Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор H15R1202 ( IHW15N120R2 ) оригінал, TO-247
216,20 ₴
Немає в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Немає в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
H15R1202 (IHW15N120R2) – зворотно-провідний IGBT-транзистор Infineon Technologies у корпусі TO-247 з вбудованим діодом. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 30 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 15 А |
| Заряд затвора Qg | 133 нКл (VCC 960 В, Ic 15 А, VGE 15 В) |
| Потужність Ptot | 357 Вт (Tc 25 °C) |
| Енергія вимкнення Eoff | 0,9 мДж (VCC 600 В, Ic 15 А, VGE 0/15 В, Rg 14,8 Ом, Tj 25 °C) |
| Час спаду tf | 62 нс (VCC 600 В, Ic 15 А, VGE 0/15 В, Rg 14,8 Ом, Tj 25 °C) |
| Вбудований діод | є, монолітний |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
H15R1202 (IHW15N120R2) – зворотно-провідний IGBT-транзистор Infineon Technologies серії Soft Switching у корпусі TO-247 з вбудованим монолітним діодом, який затискає негативну напругу. Напруга колектор–емітер Vces 1200 В. Струм колектора Ic 30 А при Tc 25 °C і 15 А при Tc 100 °C. Заряд затвора Qg 133 нКл (VCC 960 В, Ic 15 А, VGE 15 В). Потужність розсіювання Ptot 357 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу Tj 175 °C. Цифри наведено за даташитом IHW15N120R2.
Оригінал, не демонтаж. Позначення на корпусі – H15R1202, у документі виробника ця деталь має номер IHW15N120R2. Підбираючи заміну, порівнюйте Vces, Ic при Tc 100 °C, наявність діода і корпус, а для схем з м'яким перемиканням ще й заряд затвора Qg, щоб драйвер справлявся. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Індукційні плити
- Схеми з м'яким перемиканням
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| IHW25N120R2 | Vces 1200 ≥ 1200, Ic(100 °C) 25 ≥ 0.8×15=12, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.6 ≤ 1.3×1.5=1.95, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Це демонтаж б/в; перевірте, чи підходить драйвер затвора | Купити |
| IHW40N120R3 | Vces 1200 ≥ 1200, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×15=12, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.55 ≤ 1.3×1.5=1.95, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Серія R3, перед заміною порівняйте заряд затвора і драйвер | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити H15R1202?
Підходять IGBT з тим самим корпусом TO-247, Vces не нижче 1200 В, діодом у корпусі та струмом Ic при Tc 100 °C, близьким до 15 А. Варіанти з нашого каталогу – у таблиці аналогів на сторінці.
Чи H15R1202 і IHW15N120R2 – одна деталь?
Так, IHW15N120R2 – номер цієї деталі у документі Infineon Technologies, H15R1202 – маркування на корпусі.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи є в H15R1202 вбудований діод?
Так, вбудований монолітний діод: If 30 А при Tc 25 °C і 15 А при Tc 100 °C.
Документація виробника: IHW15N120R2 (Infineon Technologies).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор IRGP20B60PD ( GP20B60PD ) оригінал демонтаж б/в , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IRGP20B60PD |
| Маркування | GP20B60PD |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | IGBT-транзистор NPT (WARP2) з діодом HEXFRED |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 22 А |
| Vce(on) | 2,05 В тип. (IC = 13 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 220 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 65 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C |
| Вбудований швидкий діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.