Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Транзистор H30PR5 ( IHW30N135R5 ) , TO-247

150,40 ₴

Немає в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Немає в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

H30PR5 (IHW30N135R5) – IGBT з вбудованим діодом для індукційних плит і мікрохвильових печей. Нова деталь.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon
ТипIGBT з вбудованим діодом
КорпусTO-247
Напруга Vce1350 В (Vge = 0, Ic = 0,75 мА)
Струм Ic60 А (Tc = 25 °C); 30 А (Tc = 100 °C)
Vce(sat)1,65 В (Vge = 15 В, Ic = 30 А, Tvj = 25 °C)
Заряд затвора Qg235 нКл (Vcc = 1080 В, Ic = 30 А, Vge = 15 В)
Потужність Ptot330 Вт (Tc = 25 °C)
Макс. температура переходу175 °C
Опис

H30PR5 (IHW30N135R5) – IGBT-транзистор Infineon із вбудованим зворотним діодом у корпусі TO-247 (PG-TO247-3). Напруга колектор–емітер 1350 В (при Vge = 0, Ic = 0,75 мА). Струм колектора 60 А при Tc = 25 °C і 30 А при Tc = 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) 1,65 В (Vge = 15 В, Ic = 30 А, Tvj = 25 °C). Заряд затвора Qg 235 нКл (Vcc = 1080 В, Ic = 30 А, Vge = 15 В). Потужність розсіювання 330 Вт при Tc = 25 °C. Максимальна температура переходу 175 °C.

Нова деталь. Підбираючи заміну, порівнюйте напругу, струм при 100 °C, Vce(sat), наявність діода і корпус. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.

Де застосовують

  • Індукційні плити
  • Мікрохвильові печі
Часто питають
Це нова деталь чи демонтаж?

Нова деталь, не демонтаж.

Чим замінити H30PR5?

Підходить деталь з маркуванням IHW30N135R5. Іншу заміну підбирайте за напругою, струмом при 100 °C, Vce(sat), наявністю діода і корпусом TO-247.

Чи підходить для індукційної плити?

У документі серед застосувань названо індукційні плити та мікрохвильові печі.

Який струм колектора у H30PR5?

60 А при Tc = 25 °C і 30 А при Tc = 100 °C.

Datasheet

Документація виробника: IHW30N135R5 (Infineon).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

IHW30N135R5 (Infineon) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор FGA60N65SMD , TO-3P

В наявності

208,68 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникFairchild Semiconductor (onsemi)
Напруга Vces650 В
Струм Ic (25 °C)120 А
Струм Ic (100 °C)60 А
Напруга насичення Vce(sat)1.9 В тип. / 2.5 В макс.
Заряд затвора Qg189 нКл тип. / 284 нКл макс.
Вбудований діодтак
Розсіювана потужність Pd600 Вт (Tc 25 °C)
КорпусTO-3P

IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникWuxi NCE Power
ТипIGBT з антипаралельним діодом
Напруга Vces600 В
Струм Ic (25 °C)120 А
Струм Ic (100 °C)60 А
Потужність Pd (25 °C)316 Вт
Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C)1.7 В
Заряд затвора Qg262 нКл
Вхідна ємність Cies7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Vf діода (IF = 60 А, 25 °C)1.7 В
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247

В наявності

258,50 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В (Tvj ≥25 °C)
Струм колектора Ic (25 °C)80 А
Струм колектора Ic (100 °C)50 А
Розсіювана потужність Pd (25 °C)275 Вт
Напруга насичення Vce(sat)1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C)
КорпусTO-247
Вбудований діодVrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс
Максимальна температура переходу Tj175 °C
СтанОригінал, демонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.