Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор IRG4PC30FD оригінал , TO-247
145,23 ₴
Немає в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Немає в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IRG4PC30FD – IGBT-транзистор International Rectifier на 600 В, 31 А з антипаралельним діодом HEXFRED у корпусі TO-247. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА) |
| Струм Ic при 25 °C | 31 А |
| Струм Ic при 100 °C | 17 А |
| Імпульсний струм Icm | 120 А |
| Напруга насичення Vce(on) | 1.59 В (типово, IC = 17 А, VGE = 15 В, TJ = 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 3.0–6.0 В (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 51 нКл (типово, IC = 17 А, VCC = 400 В, VGE = 15 В) |
| Потужність Pd | 100 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Вбудований діод | так (HEXFRED, ультрашвидкий) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор IRG4PC30FD виробництва International Rectifier – n-канал з антипаралельним швидким діодом HEXFRED в одному корпусі TO-247AC. Напруга колектор-емітер Vces 600 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА). Струм колектора Ic 31 А при TC = 25 °C і 17 А при TC = 100 °C, імпульсний Icm 120 А. Напруга насичення Vce(on) типово 1.59 В (макс. 1,8 В) при IC = 17 А, VGE = 15 В, TJ = 25 °C. Заряд затвора Qg типово 51 нКл (макс. 77) при IC = 17 А, VCC = 400 В, VGE = 15 В. Діод: Vfm типово 1.4 В при IF = 12 А, trr типово 42 нс. Потужність розсіювання 100 Вт при TC = 25 °C, максимальна температура переходу 150 °C.
Оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте напругу, струм при 100 °C, Vce(on), наявність діода, заряд затвора та корпус. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Мостові схеми та інвертори: IGBT з антипаралельним швидким діодом HEXFRED
- Оптимізований для середніх частот: 1–5 кГц при жорсткому перемиканні, понад 20 кГц у резонансному режимі
- Може замінювати IGBT третього покоління International Rectifier (drop-in)
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| K20T60 | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 20 ≥ 0.8×17=13.6, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.5 ≤ 1.3×1.59=2.07, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | перевірте драйвер затвора та порівняйте datasheet | Купити |
| IRG4PC50UD | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 27 ≥ 0.8×17=13.6, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.65 ≤ 1.3×1.59=2.07, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | перевірте драйвер затвора та порівняйте datasheet | Купити |
| NCE40TD60BT | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×17=13.6, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.7 ≤ 1.3×1.59=2.07, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | перевірте драйвер затвора та порівняйте datasheet | Купити |
| RJH60F5 | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×17=13.6, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.37 ≤ 1.3×1.59=2.07, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | перевірте драйвер затвора та порівняйте datasheet | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити IRG4PC30FD?
Підійдуть IGBT з діодом у TO-247 на 600 В і не меншим струмом при 100 °C. Є кілька варіантів у каталозі, перед заміною порівняйте datasheet і перевірте драйвер затвора.
Як перевірити IGBT мультиметром?
Витягніть деталь зі схеми та перевірте тестером затвор відносно колектора й емітера: обрив або пробій видно одразу. Вбудований діод перевіряється як звичайний діод між емітером і колектором.
Який діод вбудований в IRG4PC30FD?
Антипаралельний ультрашвидкий діод HEXFRED з trr типово 42 нс (IF = 12 А, VR = 200 В, di/dt = 200 А/мкс, TJ = 25 °C).
Документація виробника: IRG4PC30FD (International Rectifier).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.