Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

IGBT-транзистор GW40NC60KD ( STGW40NC60KD ) , TO247

197,40 ₴

Немає в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Немає в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

GW40NC60KD (STGW40NC60KD) – N-канальний IGBT-транзистор з діодом на 600 В, корпус TO-247, для високочастотних інверторів і драйверів двигунів. Нова деталь.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Напруга колектор-емітер Vces600 В (Vge = 0)
Напруга затвор-емітер Vge±20 В
Струм колектора Ic70 А (Tc 25 °C); 38 А (Tc 100 °C), розрахункові за формулою з документа
Імпульсний струм колектора Icp220 А (ширина імпульсу обмежена Tj max)
Повна розсіювана потужність Ptot250 Вт (Tc 25 °C)
Повний заряд затвора Qg135 нКл (Vce 480 В, Ic 30 А, Vge 15 В)
Напруга насичення Vce(sat)2.1 В тип. / 2.7 В макс. (Vge 15 В, Ic 30 А, Tc 25 °C); 1.9 В тип. (Tc 125 °C)
Порогова напруга затвора Vge(th)4.5 / 6.5 В (мін. / макс.; Vce = Vge, Ic 250 мкА)
Час спаду струму tf87 нс (Vcc 480 В, Ic 30 А, Rg 10 Ом, Vge 15 В, індуктивне навантаження, Tc 25 °C); 130 нс (Tc 125 °C)
Втрати вимкнення Eoff716 мкДж (Vcc 480 В, Ic 30 А, Rg 10 Ом, Vge 15 В, Tc 25 °C); 1200 мкДж (Tc 125 °C)
Час витримки короткого замикання10 мкс (Vce = 0,5 V(br)ces, Tj 125 °C, Rg 10 Ом, Vge 12 В)
Вбудований діодє, надшвидкий (ultra fast free-wheeling)
Пряма напруга діода Vf2.4 В тип. (If 30 А, Tc 25 °C); 1.8 В тип. (Tc 125 °C)
Час зворотного відновлення діода trr45 нс (If 30 А, Vr 50 В, di/dt 100 А/мкс, Tc 25 °C); 100 нс (Tc 125 °C)
Робоча температура переходу Tj-55…+150 °C
Тепловий опір перехід-корпус0.5 °C/Вт (IGBT, макс.); діод 1,5 °C/Вт
КорпусTO-247
Опис

GW40NC60KD – маркування N-канального IGBT-транзистора STGW40NC60KD виробництва STMicroelectronics, з вбудованим надшвидким діодом, корпус TO-247. Напруга колектор-емітер Vces 600 В (Vge = 0). Постійний струм колектора Ic 70 А при Tc 25 °C і 38 А при Tc 100 °C (розрахункові за формулою з документа), імпульсний Icp 220 А. Напруга насичення Vce(sat) 2.1 В типово і 2.7 В макс. при Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C. Повний заряд затвора Qg 135 нКл (Vce 480 В, Ic 30 А, Vge 15 В). Повна розсіювана потужність Ptot 250 Вт при Tc 25 °C. Діод: Vf 2.4 В типово при If 30 А, Tc 25 °C, trr 45 нс (If 30 А, Vr 50 В, di/dt 100 А/мкс, Tc 25 °C).

Нова деталь. Щоб підібрати заміну, порівняйте з datasheet Vces, Ic при Tc 100 °C, Vce(sat) при тому самому струмі, діод і корпус TO-247. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.

Де застосовують

  • Високочастотні інвертори
  • Драйвери двигунів
Часто питають
Це нова деталь чи демонтаж?

Нова деталь, не демонтаж.

Чи GW40NC60KD і STGW40NC60KD – одна й та сама деталь?

GW40NC60KD – маркування на корпусі, STGW40NC60KD – номер з документа STMicroelectronics, за яким наведено параметри.

Чи є в GW40NC60KD вбудований діод?

Так, надшвидкий діод. Vf 2.4 В типово при If 30 А, Tc 25 °C; trr 45 нс (If 30 А, Vr 50 В, di/dt 100 А/мкс, Tc 25 °C).

Чим замінити GW40NC60KD?

Порівняйте з datasheet Vces, Ic при Tc 100 °C, Vce(sat) при Ic 30 А, діод і корпус TO-247. Взаємозамінність перевіряйте самостійно.

Datasheet

Документація виробника: STGW40NC60KD (ST).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

STGW40NC60KD (ST) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Мікросхема IR2104 оригінал, DIP8

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon (International Rectifier)
Макс. напруга VOFFSET600 В
Напруга живлення драйвера VOUT10–20 В
Вихідний струм IO– (тип.)270 мА
Мертвий час (тип.)520 нс
КорпусDIP8
СтанОригінал

Схожі товари

IGBT-транзистор IRGP20B60PD ( GP20B60PD ) оригінал демонтаж б/в , TO247

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
НомерIRGP20B60PD
МаркуванняGP20B60PD
ВиробникInfineon (International Rectifier)
ТипIGBT-транзистор NPT (WARP2) з діодом HEXFRED
Напруга Vces600 В
Струм Ic (25 °C)40 А
Струм Ic (100 °C)22 А
Vce(on)2,05 В тип. (IC = 13 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C)
Потужність Pd (25 °C)220 Вт
Вхідна ємність Cies1570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникJilin Sino-Microelectronics (JSMC)
ТипIGBT Trench FS з діодом
КорпусTO-247
Напруга Vces650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В)
Струм Ic (25 °C)100 А
Струм Ic (100 °C)50 А
Vce(sat)1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C)
Vge(th)4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА)
Заряд затвора Qg121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В)
Вхідна ємність Cies3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd437 Вт (Tc = 25 °C)
Tj max175 °C
Діодє, антипаралельний
СтанОригінал

IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220

В наявності

122,67 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникLuxin Semiconductor (LU SEMI)
ТипIGBT Trench Field Stop з діодом
КорпусTO-220
Напруга Vces650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА)
Струм Ic (25 °C)40 А
Струм Ic (100 °C)20 А
Vce(sat)1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C)
Vge(th)4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА)
Заряд затвора Qg45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В)
Вхідна ємність Cies1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd125 Вт (Tj = 25 °C)
Tj max175 °C
Діодє, антипаралельний
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.