Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247
СтанОригінал

IGBT-транзистор IRG4PC30F оригінал (600V,31A,100W) , TO-247

163,56 ₴

Немає в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Немає в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

IRG4PC30F – IGBT-транзистор International Rectifier на 600 В, 31 А у корпусі TO-247. Оригінал, не демонтаж.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Напруга Vces600 В (VGE = 0 V, IC = 250 µA)
Струм Ic при 25 °C31 А
Струм Ic при 100 °C17 А
Напруга насичення Vce(on)1.59 В (типово, IC = 17 A, VGE = 15 V, TJ = 25 °C)
Порогова напруга Vge(th)3.0–6.0 В (VCE = VGE, IC = 250 µA)
Заряд затвора Qg51 нКл (типово, IC = 17 A, VCC = 400 V, VGE = 15 V)
Потужність Pd100 Вт (TC = 25 °C)
Макс. температура переходу150 °C
Тип каналуn-канал
КорпусTO-247
СтанОригінал
Опис

IGBT-транзистор IRG4PC30F виробництва International Rectifier – швидкий IGBT 4-го покоління, n-канал, корпус TO-247AC. Напруга колектор–емітер Vces 600 В (VGE = 0 V, IC = 250 µA). Струм колектора Ic 31 А при TC = 25 °C і 17 А при TC = 100 °C. Напруга насичення Vce(on) типово 1.59 В (макс. 1.8 В) при IC = 17 A, VGE = 15 V, TJ = 25 °C. Заряд затвора Qg типово 51 нКл (макс. 77 нКл) при IC = 17 A, VCC = 400 V, VGE = 15 V. Потужність розсіювання 100 Вт при TC = 25 °C, максимальна температура переходу 150 °C.

Оригінал, не демонтаж. Версія без вбудованого діода: якщо схемі потрібен антипаралельний діод, його ставлять окремо. Підбираючи заміну, порівнюйте напругу, струм при 100 °C, Vce(on), заряд затвора та корпус. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Швидкий IGBT 4-го покоління для середніх частот: 1–5 кГц у жорсткому перемиканні, понад 20 кГц у резонансному режимі.
  • Задуманий як взаємозамінний з IGBT 3-го покоління.
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чим відрізняється IRG4PC30F від IRG4PC30FD?

IRG4PC30F без вбудованого діода, а IRG4PC30FD – з діодом. Якщо діод потрібен у схемі, його додають окремо або беруть версію з діодом.

Як перевірити IGBT мультиметром?

Витягніть деталь зі схеми та перевірте тестером затвор відносно колектора й емітера: обрив або пробій видно одразу.

На яких частотах працює IRG4PC30F?

За даними виробника – 1–5 кГц у жорсткому перемиканні та понад 20 кГц у резонансному режимі.

Datasheet

Документація виробника: IRG4PC30FPBF (Infineon).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

IRG4PC30FPBF (Infineon) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор FGA60N65SMD , TO-3P

В наявності

208,68 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникFairchild Semiconductor (onsemi)
Напруга Vces650 В
Струм Ic (25 °C)120 А
Струм Ic (100 °C)60 А
Напруга насичення Vce(sat)1.9 В тип. / 2.5 В макс.
Заряд затвора Qg189 нКл тип. / 284 нКл макс.
Вбудований діодтак
Розсіювана потужність Pd600 Вт (Tc 25 °C)
КорпусTO-3P

IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
Напруга колектор–емітер Vces1300 В (Tc 25 °C)
Напруга затвор–емітер Vges±25 В
Струм колектора Ic60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C)
Імпульсний струм Icm90 А (обмежено Tj max)
Потужність розсіювання Pd500 Вт (Tc 25 °C)
Vce(sat)1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C)
Робоча температура переходу Tj-55…+175 °C
Заряд затвора Qg372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В)
Вхідна ємність Cies3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Напруга колектор–емітер Vces650 В
Струм колектора Ic (25 °C)65 А
Струм колектора Ic (100 °C)40 А
Напруга насичення Vce(sat)1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C
Вбудований швидкий діодє
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-3P
Вхідна ємність Cies2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц)
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор NCE30TD60BT оригінал, TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces600 В
Струм Ic (25 °C)60 А
Струм Ic (100 °C)30 А
Vce(sat) (тип., 25 °C)1,7 В
Час зворотного відновлення діода trr178 нс
КорпусTO-247
ВиробникWuxi NCE Power
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.