Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.

IGBT-транзистор GW30NC60KD ( STGW30NC60KD ) , TO247 оригінал демонтаж б/в, TO247

296,10 ₴

Немає в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Немає в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

GW30NC60KD (STGW30NC60KD) – IGBT-транзистор з вбудованим швидким діодом на 600 В у корпусі TO-247. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
Напруга колектор–емітер Vces600 В (VGE = 0 В)
Струм колектора Ic (25 °C)60 А (Tc = 25 °C)
Струм колектора Ic (100 °C)28 А (Tc = 100 °C)
Напруга насичення Vce(sat)2,1 В тип., 2,7 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tc = 25 °C)
Напруга насичення Vce(sat) при 125 °C1,9 В тип. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tc = 125 °C)
Порогова напруга Vge(th)4,5–6,5 В (VCE = VGE, IC = 250 мкА)
Заряд затвора Qg96 нКл (VCE = 480 В, IC = 20 А, VGE = 15 В)
Потужність розсіювання200 Вт (Tc = 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Вбудований діодє, швидкий (ultra fast), IF = 30 А
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в
Опис

GW30NC60KD (STGW30NC60KD) – IGBT-транзистор STMicroelectronics з вбудованим швидким діодом у корпусі TO-247. Напруга колектор–емітер Vces 600 В (VGE = 0 В). Струм колектора Ic 60 А при Tc = 25 °C і 28 А при Tc = 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) 2,1 В типово, до 2,7 В максимум (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tc = 25 °C). Заряд затвора Qg 96 нКл (VCE = 480 В, IC = 20 А, VGE = 15 В). Потужність розсіювання 200 Вт при Tc = 25 °C, температура переходу до 150 °C. Діод швидкий (ultra fast), IF = 30 А. Параметри наведені за datasheet STMicroelectronics.

Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, порівнюйте корпус і розпіновку, напругу Vces, струм Ic при 100 °C та Vce(sat) за однакових умов вимірювання, а також заряд затвора Qg: якщо він більший, перевірте драйвер.

Де застосовують

  • Високочастотні інвертори
  • Приводи двигунів
Аналоги та заміни

Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.

Модель Чому підходить Примітка
IRG4PC50UD Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 27 ≥ 0.8×28 = 22.4, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.65 ≤ 1.3×2.1 = 2.73, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 Перевірте драйвер: структури можуть відрізнятися, порівняйте Qg за datasheet. Купити
NCE40TD60BT Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×28 = 22.4, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.7 ≤ 1.3×2.1 = 2.73, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 Порівняйте заряд затвора Qg з datasheet. Купити
RJH60F5 Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×28 = 22.4, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.37 ≤ 1.3×2.1 = 2.73, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 Порівняйте заряд затвора Qg з datasheet. Купити
IRGP4068D-E Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 48 ≥ 0.8×28 = 22.4, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.65 ≤ 1.3×2.1 = 2.73, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 Порівняйте заряд затвора Qg з datasheet. Купити

Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.

Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати, перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.

Чим замінити GW30NC60KD?

Дивіться блок аналогів на сторінці: там наведені деталі з нашого каталогу, які пройшли порівняння за напругою Vces, струмом Ic при 100 °C та Vce(sat). Корпус TO-247 і наявність вбудованого діода мають збігатися.

Чи є в транзисторі вбудований діод?

Так, швидкий (ultra fast) діод, IF = 30 А. Пряма напруга Vf 2,6 В типово (IF = 20 А, Tc = 25 °C).

Як перевірити IGBT мультиметром?

Вимкніть його з плати. Перевірте, що між колектором і емітером немає короткого замикання в обох напрямках (вбудований діод поводиться як діод), а затвор ізольований від колектора й емітера.

Datasheet

Документація виробника: STGW30NC60KD Rev 2.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

STGW30NC60KD Rev 2 Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор AUPS4067D оригінал демонтаж б/в ( AUPS4067D1 , AUPS4067D2 , AUPS4067D6-G , AUPS4067D6-H , AUPS4067D1-B , AUPS4067D2-B , AUPS4067D3-B , AUPS4067D2-C , AUPS4067D1-C , AUPS4067D4-G , AUIRGPS4067D1 , IRGPS4067D , IRGPS4067DPbF , GPS4067D ), Super-247

В наявності

320,54 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces600 В
Струм колектора Ic (25 °C)240 А
Струм колектора Ic (100 °C)160 А
Напруга насичення Vce(sat)1,7 В тип. / 2,05 В макс. (Ic 120 А, Vge 15 В, Tj 25 °C)
Час відновлення діода trr360 нс (Tj 175 °C)
Розсіювана потужність Pd750 Вт (Tc 25 °C)
Максимальна температура переходу Tj175 °C
КорпусSuper-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247

В наявності

183,77 ₴
ПараметрЗначення
НомерIHW40N120R3
МаркуванняH40R1203
ВиробникInfineon
ТипIGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом
Напруга Vces1200 В
Струм Ic (25 °C)80 А
Струм Ic (100 °C)40 А
Vce(sat)1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C)
Потужність Pd (25 °C)429 Вт
Вхідна ємність Cies2708 пФ
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-247

IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Напруга колектор–емітер Vces650 В
Струм колектора Ic (25 °C)65 А
Струм колектора Ic (100 °C)40 А
Напруга насичення Vce(sat)1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C
Вбудований швидкий діодє
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-3P
Вхідна ємність Cies2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц)
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220

В наявності

122,67 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникLuxin Semiconductor (LU SEMI)
ТипIGBT Trench Field Stop з діодом
КорпусTO-220
Напруга Vces650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА)
Струм Ic (25 °C)40 А
Струм Ic (100 °C)20 А
Vce(sat)1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C)
Vge(th)4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА)
Заряд затвора Qg45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В)
Вхідна ємність Cies1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd125 Вт (Tj = 25 °C)
Tj max175 °C
Діодє, антипаралельний
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.