Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор SP25N135T оригінал(1350V,25A) , TO-3P
173,90 ₴
Немає в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Немає в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
SP25N135T – IGBT Trench-FS Xiner на 1350 В і 25 А в корпусі TO-3P, силовий ключ індукційних плит. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1350 В (VGE = 0 В, ID = 0,5 мА, мін.) |
| Струм Ic | 25 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,9 В тип., 2,1 В макс. (VGE = 15 В, IC = 25 А, Tc = 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 4,0–6,5 В, тип. 5,2 В (VGE = VCE, ID = 0,4 мА) |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | Xiner |
| Стан | Оригінал |
SP25N135T – IGBT серії Trench-FS виробництва Xiner у корпусі TO-3P (TO3PN). Напруга колектор–емітер Vces 1350 В (VGE = 0 В, ID = 0,5 мА, мін.). Струм колектора Ic 25 А. Напруга насичення Vce(sat) 1,9 В типово, 2,1 В макс. (VGE = 15 В, IC = 25 А, Tc = 25 °C). Порогова напруга Vge(th) 4,0–6,5 В, типово 5,2 В (VGE = VCE, ID = 0,4 мА).
Оригінал, не демонтаж. Документ описує деталь як Trench-FS IGBT на 1350 В і 25 А для силових ключів індукційних плит. Підбираючи заміну, порівняйте Vces, Ic, Vce(sat), наявність вбудованого діода й корпус TO-3P за datasheet обох деталей, а також драйвер затвора у вашій схемі. Відправка Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Силові ключі індукційних плит
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити SP25N135T?
Потрібен IGBT у корпусі TO-3P з Vces не нижче 1350 В і Ic не нижче 25 А. Прямих замін ми не називаємо: порівнюйте datasheet самостійно.
Для яких пристроїв підходить SP25N135T?
Документ вказує силові ключі індукційних плит. Перед заміною звірте маркування деталі на платі й схему керування затвором.
Яка напруга відкривання затвора?
Порогова напруга Vge(th) 4,0–6,5 В, типово 5,2 В (VGE = VCE, ID = 0,4 мА). Vce(sat) наведено при VGE = 15 В.
Документація виробника: SP25N135T (Xiner).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (обмежено виводами, кристал 60 А) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Vce(sat) | 1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор H25R1202 ( IHW25N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Зворотно-провідний IGBT (soft switching) |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 50 А |
| Струм Ic (100 °C) | 25 А |
| Потужність Ptot (25 °C) | 365 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 25 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.6 В |
| Заряд затвора Qg | 60.7 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2342 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 25 А, 25 °C) | 1.5 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 316 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 60 А, 25 °C) | 1.7 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.