Транзистори
Демонтаж
IGBT-транзистор FGA15N120ANTD ( FGA15N120AND ) оригінал демонтаж б/в, TO3P
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic при Tc 25 °C | 30 А |
| Струм Ic при Tc 100 °C | 15 А |
| Імпульсний струм Icm | 45 А |
| Vce(sat) при Ic 15 А, Vge 15 В | 1.9 В |
| Потужність Pd при Tc 25 °C | 186 Вт |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2650 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | так |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | onsemi |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор FGA25N120ANTD оригінал ( заміна для TGAN25N120ND , NGTB25N120IHLWG , 25N120IHL ) , TO-3P
В наявності
249,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 50 А |
| Струм Ic (100 °C) | 25 А |
| Імпульсний струм ICM | 90 А |
| Vce(sat) (25А/15В/25°C) | 2.0 В тип. |
| Пряма напруга діода Vf | 2.0 В тип. / 3.0 В макс. |
| Розсіювана потужність Ptot | 312 Вт |
| Робоча температура Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор FGA30S120P ( FGA30S 120P ) оригінал демонтаж б/в, TO-3P
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Напруга Vces | 1300 В (VGE = 0 В, Ic = 1 мА, мін.) |
| Струм Ic (Tc = 25 °C) | 60 А |
| Струм Ic (Tc = 100 °C) | 30 А |
| Vce(sat) | 1,75 В тип. (Ic = 30 А, VGE = 15 В, Tc = 25 °C) |
| Діод у корпусі | є |
| Заряд затвора Qg | 78 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc = 25 °C) | 348 Вт |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор FGA40N65SMD оригінал демонтаж б/в, TO-3P ( Заміна для FGH40N65UFD , MP40N65BU , MP40N65BH )
В наявності
150,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 40 А |
| Імпульсний струм Icm | 120 А |
| Vce(sat) (Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) | 1.9 В (тип.), 2.5 В (макс.) |
| Pd (Tc 25 °C) | 349 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1880 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор FGA60N65SMD , TO-3P
В наявності
208,68 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor (onsemi) |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.9 В тип. / 2.5 В макс. |
| Заряд затвора Qg | 189 нКл тип. / 284 нКл макс. |
| Вбудований діод | так |
| Розсіювана потужність Pd | 600 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
IGBT-транзистор FGA90N33ATD оригінал, TO-3P
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Тип | IGBT N-канал з діодом (PDP) |
| Напруга Vces | 330 В |
| Струм Ic при Tc 25 °C | 90 А |
| Імпульсний струм | 220 А |
| Vce(sat) при Tc 25 °C | 1.6 В при Ic 90 А, Vge 15 В |
| Vge(th) | 4.0 В при Ic 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 95 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2200 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Час спаду tf | 180 нс |
| Pd при Tc 25 °C | 223 Вт |
| Tj max | 150 °C |
| Вбудований діод | так, антипаралельний |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор FGB20N60SFD оригінал демонтаж б/в, D2PAK
В наявності
150,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic при 25 °C | 40 А |
| Струм Ic при 100 °C | 20 А |
| Vce(sat) | 2.2 В (Ic 20 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 940 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 208 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор FGB40T65SPD оригінал демонтаж б/в, D2PAK
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (TC = 25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (TC = 100 °C) | 40 А |
| Імпульсний струм | 120 А |
| Vce(sat) | 2,0 В тип., 2,4 В макс. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tj 25 °C) |
| Вбудований діод | є (м’який швидкий діод) |
| Розсіювана потужність Pd | 267 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Заряд затвора Qg | 36 нКл (VCE = 400 В, IC = 40 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1520 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор FGH40N60SFD оригінал демонтаж , TO247 (Заміна для 30N60F , NGTB30N60FWG , HGTG12N60A4D , 12N60A4D )
В наявності
155,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Імпульсний струм Icm | 120 А |
| Vce(sat) (40 А, 15 В, 25 °C, тип.) | 2,3 В |
| Потужність Pd (25 °C) | 290 Вт |
| Qg | 120 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2110 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 150 °C |
| Діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор FGH40N60SMD оригінал демонтаж б/в , TO247
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | IGBT (Field Stop 2-го покоління) з вбудованим діодом |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм колектора Ic | 80 А (Tc = 25 °C); 40 А (Tc = 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,9 В тип., 2,5 В макс. (Ic = 40 А, VGE = 15 В, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В тип. (Ic = 250 мкА, Vce = Vge) |
| Заряд затвора Qg | 119 нКл тип. (Vce = 400 В, Ic = 40 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1880 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 349 Вт (Tc = 25 °C); 174 Вт (Tc = 100 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор FGH40N60UFD оригінал , TO247
В наявності
291,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1.8 В тип. (IC 40 А, VGE 15 В, TC 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2110 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (25 °C) | 290 Вт |
| Макс. Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор FGH40T120SMD ( FGH40T120 ) оригінал демонтаж б/в (40A,1200V), TO247
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга Vces | 1200 В (Tc 25 °C) |
| Струм Ic | 80 А (Tc 25 °C), 40 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,8 В тип. (Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 370 нКл тип. (Vce 600 В, Ic 40 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 4300 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 555 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор FGH60N60SFD оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип | IGBT Field Stop з вбудованим діодом |
| Напруга Vces | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм Ic | 120 А (Tc 25 °C); 60 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) тип. / макс. | 2,3 / 2,9 В (Ic 60 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 198 нКл (Vce 400 В, Ic 60 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 2820 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 378 Вт (Tc 25 °C); 151 Вт (Tc 100 °C) |
| Діапазон Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор FGL40N120AND ( FGL40N120 , TGL40N120FD , G40N120AND ) оригінал демонтаж б/в, TO264
В наявності
265,55 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип | IGBT NPT з вбудованим швидким діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic | 64 А (Tc 25 °C); 40 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) тип. / макс. | 2,6 / 3,2 В (Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg тип. | 220 нКл (Vce 600 В, Ic 40 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3200 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 500 Вт (Tc 25 °C); 200 Вт (Tc 100 °C) |
| Діапазон Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-264 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор FGL60N100BNTD ( G60N100 , G60N100BNTD , TGL60N100ND1 , 60N100ND1 ) оригінал демонтаж б/в , TO264
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип | IGBT NPT Trench з вбудованим швидким діодом |
| Напруга Vces | 1000 В |
| Струм Ic | 60 А (Tc 25 °C); 42 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) тип. / макс. | 2,5 / 2,9 В (Ic 60 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 275 нКл (Vce 600 В, Ic 60 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 6000 пФ (Vce 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 180 Вт (Tc 25 °C); 72 Вт (Tc 100 °C) |
| Діапазон Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-264 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор FGPF4536 оригінал демонтаж б/в, TO220F
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Напруга Vces | 360 В |
| Напруга Vges | ±30 В |
| Імпульсний струм Ic | 220 А |
| Vce(sat) (50 А, 15 В, 25 °C, тип.) | 1,59 В |
| Vge(th) | 2,4–4,0 В |
| Qg | 47 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1295 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (25 °C) | 28,4 Вт |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор G15T120BNR3S ( CRG15T120BNR3S ) оригінал , TO-3P
В наявності
133,48 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Напруга VCES | 1200 В |
| Струм IC при 25 °C | 30 А |
| Струм IC при 100 °C | 15 А |
| Імпульсний струм ICM | 45 А |
| VCE(sat) typ. | 1.95 В при IC 15 А, VGE 15 В |
| VGE(th) typ. | 5.8 В |
| Pd при 25 °C | 156 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1513 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор G15T60A83L ( CRG15T60A83L ) оригінал, TO220
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 30 А |
| Розсіювана потужність Pd | 96 Вт |
| Заряд затвора Qg | 59 нКл (Vge 15 В) |
| Час затримки включення td(on) | 30 нс |
| Час затримки вимкнення td(off) | 45 нс |
| Максимальна температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор G30T60 ( IGW30N60T ) оригінал , TO247
В наявності
330,41 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Серія | TRENCHSTOP |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга колектор-емітер Vce | 600 В (Tj ≥ 25 °C) |
| Імпульсний струм Ic(puls) | 90 А (tp обмежено Tjmax) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.5 В тип., 2.05 В макс. (VGE = 15 В, Ic = 30 А, Tj = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 167 нКл (VCC = 480 В, Ic = 30 А, VGE = 15 В) |
| Потужність розсіювання Ptot | 187 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Маркування | G30T60 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор G40N60UFD ( SGH40N60UFD ) оригінал (заміна для FGA40N60UFD ) , TO3P
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor (onsemi) |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга Vces | 600 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vges | ±20 В (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 40 А (Tc 25 °C), 20 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 160 А |
| Потужність розсіювання Pd | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,1 В тип., 2,6 В макс. (Ic 20 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 97 нКл тип. (Vce 300 В, Ic 20 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1430 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є (CO-PAK), If 15 А (Tc 100 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор G40T60AK3HD ( CRG40T60AK3HD ) оригінал , TO247
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.9 В тип. / 2.4 В макс. (Ic=40А, Vge=15В) |
| Заряд затвора Qg | 239 нКл |
| Розсіювана потужність Pd | 336 Вт (Tc=25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор G40T60AN3H оригінал ( CRG40T60AN3H , G40T60 ), TO3P
В наявності
91,65 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,9 В тип. / 2,4 В макс. |
| Заряд затвора Qg | 239 нКл |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | CRMICRO |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор G50T60AK3HD оригінал ( CRG50T60AK3HD ), TO247
В наявності
144,29 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, Ic = 250 мкА) |
| Струм Ic при 25 °C | 100 А |
| Струм Ic при 100 °C | 50 А |
| Vce(sat) типово | 1,8 В (VGE = 15 В, Ic = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Потужність Pd | 500 Вт (Tc = 25 °C) |
| Qg типово | 303 нКл (VCE = 400 В, Ic = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 7719 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | так, антипаралельний |
| Температура переходу Tj | -40…175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор G60T60AK3HD оригінал ( CRG60T60AK3HD ), TO247(Заміна для G60T60AK3SD , CRG60T60AK3SD )
В наявності
134,42 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tc 25 °C) |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Розсіювана потужність Ptot | 403 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.85 В тип. / 2.4 В макс. (60 А, 15 В) |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | є (антипаралельний) |
| Робоча температура Tj | -40…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор G60T60AN3H оригінал ( CRG60T60AN3H , G60T60 ), TO3P
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 60 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.85 В тип. / 2.4 В макс. (Ic=60А, Vge=15В) |
| Заряд затвора Qg | 117 нКл |
| Час відновлення діода trr | 80 нс (If=30А) |
| Розсіювана потужність Pd | 403 Вт (Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор G75T60AK3HD оригінал ( CRG75T60AK3HD ), TO247
В наявності
195,05 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Технологія | Field Stop (FS) |
| Напруга Vces | 600 В (Tj 25 °C) |
| Струм Ic при 25 °C | 150 А |
| Струм Ic при 100 °C | 75 А |
| Vce(sat) типово | 1,7 В (Ic 75 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd | 390 Вт (Tc 25 °C) |
| Qg | 433 нКл (Vce 480 В, Ic 75 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 11670 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є, антипаралельний |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор G80N60UFD ( SGH80N60UFD ) оригінал демонтаж б/в (заміна для FGH80N60UFD , FGH80N60FD ), TO-3P
В наявності
197,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vces | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм Ic при 25 °C | 80 А |
| Струм Ic при 100 °C | 40 А |
| Vce(sat) | 2,1 В тип. (Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Потужність Pd | 195 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 2790 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є (швидкий, CO-PAK) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор GD18N40LZ ( STGD18N40LZT4 , 18N40LZ ) оригінал, DPAK
В наявності
267,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT з внутрішнім обмеженням напруги |
| Виробник | STMicroelectronics |
| VCES(clamped) типово | 390 В |
| VCE(sat) типово | 1.35 В (VGE 4.5 В, IC 10 А, TC 25 °C) |
| VGE(th) типово | 1.6 В |
| Qg типово | 29 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 490 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| ICP | 40 А |
| ESCIS | 180 мДж |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор GP10NC60KD ( STGP10NC60KD ) оригінал (Заміна для IRGB6B60KD , GB6B60KD , IRG4BC20UD ), TO220
В наявності
156,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (TC = 25 °C) | 20 А |
| Струм Ic (TC = 100 °C) | 10 А |
| Vce(sat) (VGE = 15 В, IC = 5 А, TC = 25 °C, тип.) | 2,2 В |
| Потужність Ptot (TC = 25 °C) | 65 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 380 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Діод | є |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал демонтаж б/в, TO220
В наявності
122,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vces | 600 В (Vge 0 В) |
| Струм Ic | 35 А (Tc 25 °C), 20 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 2,0 В тип. (Ic 12 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 55 нКл тип. (Vcc 480 В, Ic 12 А) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (Tc 25 °C) |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор GS14C40L ( IRGS14C40L , IRGS14C40LTRLP ) оригінал демонтаж б/в, D2PAK
В наявності
197,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | IGBT запалювання, N-канал, логічний рівень |
| Напруга BVces | 370 (мін.), 400 (тип.), 430 (макс.) В при Rg 1 кОм, Ic 7 А, Vge 0 В |
| Струм колектора Ic | 20 А при Tc 25 °C, Vge 5 В; 14 А при Tc 110 °C |
| Розсіювана потужність Pd | 125 Вт при Tc 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 27 нКл при Ic 10 А, Vce 12 В, Vge 5 В |
| Вхідна ємність Cies | 550 пФ (Vce 25 В) |
| Стійкість до ESD | 6 кВ при C 100 пФ, R 1,5 кОм |
| Тепловий опір перехід-корпус | 1,2 °C/Вт |
| Діапазон Tj | -40…175 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор GT30F122 ( 30F122 ) , TO220F оригінал демонтаж б/в( 300V , 120A )
В наявності
122,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип | N-канальний IGBT |
| Напруга Vces | 300 В |
| Імпульсний струм колектора Icp | 120 А |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор GT30F123 ( 30F123 ) , TO220F оригінал ( 300V , 200A )
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Напруга Vces | 300 В |
| Імпульсний струм Icp | 200 А |
| Напруга насичення Vce(sat), тип. | 2,1 В |
| Вбудований діод | немає |
| Корпус | TO-220F |
| Позначення | 30F123 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор GT30F124 ( 30F124 ) оригінал демонтаж б/в, TO220F ( 300V , 200A )
В наявності
160,74 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 300 В |
| Струм колектора Ic (імпульсний, 3 мкс) | 200 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,3 В тип. (Ic 120 А) |
| Розсіювана потужність Pc | 25 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор GT30F131 ( 30F131 ) оригінал демонтаж б/в, D2PAK (TO-263)
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Напруга Vces | 360 В |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,9 В (тип.) |
| Корпус | D2PAK |
| Маркування | 30F131 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор GT30F131 оригінал , D2PAK (TO-263)
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Напруга Vces | 360 В |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,9 В (тип.) |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор GT30F132 , D2PAK (TO-263)
В наявності
65,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Напруга Vces | 360 В |
| Монтаж | поверхневий (SMD) |
| Корпус | D2PAK |
IGBT-транзистор GT30F133 ( 30F133 ) , DPAK
В наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Порогова напруга Vge(th) | 2,2…4,7 В |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |