Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор FGA15N120ANTD ( FGA15N120AND ) оригінал демонтаж б/в, TO3P
164,50 ₴
12 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
12 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FGA15N120ANTD – IGBT-транзистор onsemi з вбудованим діодом у корпусі TO-3P. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic при Tc 25 °C | 30 А |
| Струм Ic при Tc 100 °C | 15 А |
| Імпульсний струм Icm | 45 А |
| Vce(sat) при Ic 15 А, Vge 15 В | 1.9 В |
| Потужність Pd при Tc 25 °C | 186 Вт |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2650 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | так |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | onsemi |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
FGA15N120ANTD – N-канальний IGBT-транзистор onsemi типу NPT з антипаралельним діодом у корпусі TO-3P. Напруга колектор–емітер Vces – 1200 В. Струм колектора Ic – 30 А при Tc 25 °C і 15 А при Tc 100 °C, імпульсний Icm – 45 А (обмежено Tj max). Напруга насичення Vce(sat) – 1.9 В при Ic 15 А і Vge 15 В (2.2 В при Tc 125 °C). Потужність розсіювання Pd – 186 Вт при Tc 25 °C, 74 Вт при 100 °C. Заряд затвора Qg – 120 нКл при Vce 600 В, Ic 15 А, Vge 15 В. Вхідна ємність Cies типово 2650 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Максимальна температура переходу – 150 °C.
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, дивіться на корпус TO-3P, напругу 1200 В, струм Ic при Tc 100 °C, наявність вбудованого діода та заряд затвора Qg: від нього залежить навантаження на драйвер. Відправляємо з Запоріжжя Новою поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Резонансні та м'яко комутовані схеми
- Індукційний нагрів
- Мікрохвильові печі
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати, інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити FGA15N120ANTD?
Шукайте IGBT у корпусі TO-3P з Vces не менше 1200 В, зі струмом Ic при Tc 100 °C не нижче 15 А та з вбудованим діодом. Виробник вказує номер FGA15N120ANTDTU. Взаємозамінність перевіряйте за datasheet.
Чи підходить для мікрохвильових печей та індукційного нагріву?
Так, ці схеми вказані серед застосувань у документі: резонансні та м'яко комутовані схеми, індукційний нагрів, мікрохвильові печі.
Чи є в транзисторі вбудований діод?
Так, антипаралельний діод: If 30 А при 25 °C і 15 А при 100 °C. Пряма напруга діода Vfm – 1.7 В при If 15 А, Tc 25 °C.
Документація виробника: FGA15N120ANTDTU F109 (onsemi).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор H25R1202 ( IHW25N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Зворотно-провідний IGBT (soft switching) |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 50 А |
| Струм Ic (100 °C) | 25 А |
| Потужність Ptot (25 °C) | 365 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 25 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.6 В |
| Заряд затвора Qg | 60.7 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2342 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 25 А, 25 °C) | 1.5 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tvj ≥25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 275 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | Vrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.