Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор FGB40T65SPD оригінал демонтаж б/в, D2PAK
235,00 ₴
16 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
16 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FGB40T65SPD – IGBT-транзистор onsemi на 650 В з вбудованим швидким діодом у корпусі D2PAK (TO-263). Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (TC = 25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (TC = 100 °C) | 40 А |
| Імпульсний струм | 120 А |
| Vce(sat) | 2,0 В тип., 2,4 В макс. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tj 25 °C) |
| Вбудований діод | є (м’який швидкий діод) |
| Розсіювана потужність Pd | 267 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Заряд затвора Qg | 36 нКл (VCE = 400 В, IC = 40 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1520 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
FGB40T65SPD – IGBT onsemi з вбудованим м'яким швидким діодом у корпусі D2PAK-3 (TO-263, CASE 418AJ). Напруга колектор–емітер Vces – 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА). Струм колектора Ic – 80 А при TC = 25 °C і 40 А при TC = 100 °C, імпульсний – 120 А. Напруга насичення Vce(sat) – 2,0 В (тип.), 2,4 В (макс.) при VGE = 15 В, IC = 40 А, Tj 25 °C. Заряд затвора Qg – 36 нКл при VCE = 400 В, IC = 40 А, VGE = 15 В. Вхідна ємність Cies типово 1520 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Діод: Vf – 2,0 В (тип.) при IF = 20 А, trr – 34 нс. Розсіювана потужність – 267 Вт при TC = 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C.
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, дивіться на корпус D2PAK, напругу 650 В, струм при TC = 100 °C, Vce(sat), заряд затвора та наявність діода. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Бортове зарядне, компресор кондиціонера, PTC-нагрівач, драйвери двигунів.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чи є в FGB40T65SPD вбудований діод?
Так, у корпусі є м'який швидкий діод: Vf 2,0 В (тип.) при IF = 20 А, trr 34 нс.
Чим замінити FGB40T65SPD?
Потрібен IGBT у корпусі D2PAK з Vces не нижче 650 В, струмом при TC = 100 °C не менше 40 А і вбудованим діодом. Порівняйте Vce(sat) та Qg, а взаємозамінність перевіряйте за datasheet.
Де застосовують FGB40T65SPD?
Бортове зарядне, компресор кондиціонера, PTC-нагрівач, драйвери двигунів.
Документація виробника: FGB40T65SPD-F085 (onsemi).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | YGW75N65HP |
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (100 °C) | 75 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.