IGBT-транзистор FGA90N33ATD оригінал, TO-3P

FGA90N33ATD – IGBT-транзистор Fairchild Semiconductor з вбудованим антипаралельним діодом у корпусі TO-3P, розрахований на плазмові панелі (PDP). Напруга колектор-емітер Vces – 330 В. Струм колектора Ic – 90 А при Tc 25 °C, імпульсний струм – 220 А (Tc 25 °C, імпульс 100 мкс, шпаруватість 0,1). Напруга насичення Vce(sat) – 1.6 В при Ic 90 А, Vge 15 В, Tc 25 °C і 1.7 В при Tc 125 °C. Заряд затвора Qg – 95 нКл (Vce 200 В, Ic 20 А, Vge 15 В). Вхідна ємність Cies типово 2200 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Час спаду tf – 180 нс (Vcc 200 В, Ic 20 А, Rg 5 Ом, Vge 15 В, Tc 25 °C). Діод: Vfm 1.1 В при If 10 А, trr 23 нс (If 10 А, dI/dt 200 А/мкс, Tc 25 °C). Потужність розсіювання Pd – 223 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу 150 °C.

Оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте напругу Vces, струм Ic, Vce(sat), заряд затвора Qg, параметри діода та корпус TO-3P. Пряма заміна за даними виробника – FGA90N33ATDTU. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

• Плазмові панелі (PDP)