Магазин
Демонтаж
Демонтаж
Транзистор WFW20N50 оригінал демонтаж, TO247
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Wisdom Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id (25 °C) | 20 А (TC = 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 13 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) тип. | 0.21 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Rds(on) макс. | 0.26 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл (VDS = 400 В, VGS = 10 В, ID = 20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3350 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 250 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. Vgs | ±30 В |
| Енергія лавини EAS | 1110 мДж |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SVF20N50PN ( 20N50 ) оригінал, TO-3P
В наявності
305,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Silan (Hangzhou Silan Microelectronics) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id (25 °C) | 20 А (TC = 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 12.6 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) тип. | 0.20 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Rds(on) макс. | 0.27 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 49.5 нКл (VDS = 400 В, ID = 20 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2687.7 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 252 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. Vgs | ±30 В |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SUD25N06-45L ( 25N06-45 , ME25N06 , UTC25N06L ) оригінал (60V, 25A), DPAK
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vds | 60 В (мін.) |
| Струм стоку Id | 25 А (Tc 25 °C), 16 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.025 Ом тип., 0.035 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 12 А, Tj 25 °C) |
| Rds(on) при Vgs 4,5 В | 0.036 Ом тип., 0.045 Ом макс. |
| Заряд затвора Qg | 26 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1320 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1.0–3.0 В |
| Макс. напруга Vgs | ±20 В |
| Потужність розсіювання Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Виробник | Vishay |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP25NM60N ( P25NM60N ) оригінал, TO220
В наявності
183,77 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Серія | MDmesh II |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 600 В (Vgs 0 В) |
| Струм стоку Id | 21 А (Tc 25 °C), 13 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.130 Ом тип., 0.160 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10.5 А, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 84 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Потужність розсіювання Pd | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Демонтаж
Демонтаж
Транзистор PTP02N04NB оригінал демонтаж, TO220
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 245 А (Tc 25 °C), 165 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 1.65 мОм тип., 2.1 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 24 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 125 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5100 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Потужність розсіювання Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Виробник | PIP |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор MSG40T65FL оригінал, TO247
В наявності
141,94 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MASPOWER |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,05 В макс. (Vge = 15 В, Ic = 30 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 5,0–7,0 В (Ic = 600 мкА, Vce = Vge) |
| Заряд затвора Qg | 94,5 нКл (Vcc = 520 В, Ic = 40 А, Vge = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1718 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 375 Вт (Tc = 25 °C), 188 Вт (Tc = 100 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Vf діода | 1,25 В тип. (Vge = 0 В, If = 20 А, Tvj = 25 °C) |
| trr діода | 140 нс (Tvj = 25 °C, Vcc = 400 В, If = 40 А, diF/dt = 100 А/мкс) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор KNP9120A оригінал, TO220
В наявності
80,37 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 200 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 40 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 50 мОм тип., 65 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 20 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 97 нКл тип., 120 нКл макс. (Vdd 100 В, Id 20 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tc 25 °C) |
| Пряма напруга діода Vsd | 1.5 В макс. (Vgs 0 В, Is 40 А) |
| Час відновлення діода trr | 280 нс тип. (If 20 А, dI/dt 100 А/мкс) |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | KIA Semicon Tech |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор K10T60 ( IKB10N60T ) оригінал демонтаж б/в, D2PAK
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга Vces | 600 В (Tj ≥ 25 °C) |
| Струм Ic (25 °C) | 24 А |
| Струм Ic (100 °C) | 18 А |
| Потужність Ptot | 110 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Vce(sat) | 1,5 В тип., 2,05 В макс. (Vge = 15 В, Ic = 10 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,1–5,7 В, тип. 4,6 В (Ic = 0,3 мА, Vce = Vge) |
| Заряд затвора Qg | 62 нКл (Vcc = 480 В, Ic = 10 А, Vge = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 551 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Діод | є, антипаралельний швидкий Emitter Controlled HE |
| Vf діода | 1,6 В тип., 2,0 В макс. (If = 10 А, Tj = 25 °C) |
| trr діода | 115 нс (Tj = 25 °C, Vr = 400 В, If = 10 А, diF/dt = 880 А/мкс) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор K10N60A ( SKB10N60A ) оригінал демонтаж б/в, D2PAK
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга Vce | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 20 А |
| Струм Ic (100 °C) | 10,6 А |
| Потужність Ptot | 92 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Vce(sat) | 2,0 В тип., 2,4 В макс. (Vge 15 В, Ic 10 А, Tj 25 °C) |
| Vge(th) | 4,0 В тип. (Ic 300 мкА, Vce = Vge) |
| Заряд затвора Qg | 52 нКл (Vcc 480 В, Ic 10 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 550 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Діод | є, антипаралельний EmCon, швидкий з м’яким відновленням |
| Vf діода | 1,4 В тип. (If 10 А, Tj 25 °C) |
| trr діода | 220 нс (Vr 200 В, If 10 А, di/dt 200 А/мкс, Tj 25 °C) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор JCS12N60FT оригінал, TO220F
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C), 7.6 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.56 Ом тип., 0.65 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6 А, 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 39 нКл (Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1790 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 51 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 418 нс тип. (Is 12 А, dI/dt 100 А/мкс) |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JCS11N90WT оригінал, TO247
В наявності
122,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 900 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 11 А (Tc 25 °C), 6.9 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.90 Ом тип., 1.10 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 5.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 66 нКл (Vds 720 В, Id 11 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2550 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 277 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | JILIN SINO-MICROELECTRONICS |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRL3803 оригінал, TO220
В наявності
133,01 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 140 А (VGS = 10 В) |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 98 А (VGS = 10 В) |
| Опір Rds(on) при VGS = 10 В | 6 мОм макс., ID = 71 А |
| Опір Rds(on) при VGS = 4,5 В | 9 мОм макс., ID = 59 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1.0 В мін. (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 140 нК макс., ID = 71 А, VDS = 24 В, VGS = 4,5 В |
| Вхідна ємність Ciss | 5000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 200 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±16 В |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IRGP35B60PD ( GP35B60PD ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
160,27 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vce | 600 В |
| Струм Ic | 60 А (Tc 25 °C); 34 А (Tc 100 °C) |
| Потужність Pd | 308 Вт (Tc 25 °C); 123 Вт (Tc 100 °C) |
| Vce(on) | 1.85 В typ (макс. 2.15; Ic 22 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Vge(th) | 4.0 В typ (Ic 250 мкА) |
| Qg | 160 нКл typ (Ic 22 А, Vcc 400 В, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3715 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Eoff | 215 мкДж typ (Ic 22 А, Vcc 390 В, Rg 3.3 Ом, Tj 25 °C) |
| tf | 8.0 нс typ |
| Діод | HEXFRED; Vf 1.30 В typ (If 15 А); trr 42 нс typ (If 15 А, Vr 200 В) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | International Rectifier (Infineon) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Демонтаж
Транзистор FXN28N50F оригінал демонтаж, TO220F
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | FuXin Semiconductor (FX-Semi) |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 28 А (обмежено кристалом, за корпусом – 23 А) |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 16,7 А |
| Опір Rds(on) | 0,20 Ом макс. (тип. 0,17 Ом), VGS = 10 В, ID = 14 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В), VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 80 нК (тип.), VDS = 400 В, ID = 28 А, VGS = 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 4200 пФ (Vds 300 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 108 Вт (TC = 25 °C) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±30 В |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор FTP08N08NF оригінал демонтаж, TO220
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | InPower Semiconductor (IPS) |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 85 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 100 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 65 А |
| Опір Rds(on) | 8,5 мОм макс. (тип. 6,6 мОм), VGS = 10 В, ID = 50 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 59,8 нК (тип.), VGS = 10 В, VDD = 64 В, ID = 50 А |
| Вхідна ємність Ciss | 3564 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 198 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Демонтаж
Транзистор FGH50T65 ( FGH50T65UPD , FGH50T65SQD ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | IGBT Field Stop Trench з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic | 100 А (Tc = 25 °C), 50 А (Tc = 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,65 В тип. (Ic = 50 А, VGE = 15 В, Tc = 25 °C) |
| Pd | 340 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Qg | 230 нКл тип. (Vce = 400 В, Ic = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3450 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор CS10N40 оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 400 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 10 А (TC = 25 °C), 6.3 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) | 0.55 Ом макс., 0.44 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Заряд затвора Qg | 23 нК тип. (VGS = 10 В, VDD = 320 В, ID = 10 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1126 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 100 Вт (TC = 25 °C) |
| Vgs макс. | ±30 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | CR Micro |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор BT60N60 ( BT60N60ANF ) оригінал демонтаж б/в, TO-3P
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vce | 600 В |
| Vce(sat) | 2.2 В typ (макс. 2.9; Ic 60 А, Vge 15 В) |
| Vge(th) | 5.0 В typ (Ic 1 мА, Vce = Vge) |
| Qg | 150 нКл typ (Vce 400 В, Ic 60 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 2890 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Eoff | 1.13 мДж typ (Vce 400 В, Ic 60 А, Rg 10 Ом, Vge 15 В) |
| tf | 45 нс typ (Vce 400 В, Ic 60 А, Rg 10 Ом, Vge 15 В) |
| Діод | антипаралельний; Vf 1.8 В typ (If 30 А); trr 90 нс typ (If 20 А) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | Huajing Microelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор AG50EF5 ( AIGW50N65F5 ) оригінал демонтаж б/в (заміна для G50EF5 , IGW50N65F5 ), TO247
В наявності
258,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vce | 650 В (Tvj 25 °C) |
| Струм Ic | 80 А (Tc 25 °C, обмежено виводами); 53.5 А (Tc 100 °C) |
| Потужність Ptot | 270 Вт (Tc 25 °C); 136 Вт (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1.66 В typ (Vge 15 В, Ic 50 А, Tvj 25 °C) |
| Vge(th) | 4.0 В typ (Ic 0.40 мА, Vce = Vge) |
| Qg | 108 нКл typ (Vcc 520 В, Ic 50 А) |
| Вхідна ємність Cies | 2800 пФ |
| Tvj max | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 70S900P7 ( IPD70R900P7S ) оригінал, D-PAK
В наявності
49,82 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Маркування на корпусі | 70S900P7 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | N-канал, CoolMOS P7 (superjunction) |
| Напруга Vds | 700 В (Tj = 25 °C) |
| Rds(on), макс. | 0,9 Ом (VGS = 10 В, ID = 1,1 А, Tj = 25 °C) |
| Rds(on), тип. | 0,74 Ом (VGS = 10 В, ID = 1,1 А, Tj = 25 °C) |
| Імпульсний струм Id,pulse | 12,8 А (TC = 25 °C) |
| Розсіювана потужність | 30,5 Вт (TC = 25 °C) |
| Qg, тип. | 6,8 нКл (VDD = 400 В, ID = 0,9 А, VGS = 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 211 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор 60G65W ( FGW60N65W ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fuji Electric |
| Тип | IGBT-транзистор без вбудованого діода |
| Напруга Vces | 650 В (Tj 25 °C) |
| Струм Ic при 25 °C | 83 А (Tc 25 °C) |
| Струм Ic при 100 °C | 60 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1.80 В тип. (Vge 15 В, Ic 60 А) |
| Потужність Pd | 405 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 4300 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NTMFS4C10NT1G ( NTMFS4C10N , 4C10N ) оригінал, SO-8 FL
В наявності
59,69 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 46 А (TC = 25 °C), 34 А (TC = 80 °C) |
| Rds(on) при VGS 10 В | 6.95 мОм макс., 5.8 мОм тип. (ID = 30 А) |
| Rds(on) при VGS 4,5 В | 10.8 мОм макс., 8.9 мОм тип. (ID = 15 А) |
| Vgs(th) | 1.3–2.2 В |
| Заряд затвора Qg | 9.7 нК (VGS 4,5 В), 18.6 нК (VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 987 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 23.6 Вт (TC = 25 °C) |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
| Виробник | onsemi |
| Стан | Оригінал |
Реле 832HA-1A-F-C-12VDC ( заміна для 832A-1A-C-12VDC , GK-A-1A-12D , T90-12VDC-TF-A , HHC67E-1H-12VDC ) (40A/277VAC) на замикання
В наявності
190,35 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Song Chuan |
| Контактна група | 1A (SPNO), на замикання |
| Напруга котушки | 12 В DC |
| Струм котушки | 77 мА (12 В DC) |
| Опір котушки | 155 Ом (12 В DC) |
| Контакти, UL/CUL | 40 А / 277 В AC |
| Контакти, активне навантаження | 40 А / 240 В AC |
| Матеріал контактів | AgSnO |
| Час спрацювання | 15 мс макс. |
| Час відпускання | 10 мс макс. |
Оптрон TLP5702 оригінал, sop-6
В наявності
71,44 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип виходу | IC-драйвер затвора (двотактний вихід) |
| Піковий вихідний струм | ±2,5 А (макс.) |
| Напруга живлення VCC | 15–30 В |
| Поріг IFLH | 5 мА (макс.) при VCC=15 В, VO>1 В |
| Напруга ізоляції | 5000 В (діюче, мін.) |
| Затримка поширення | 200 нс (макс.) |
| CMR | 20 кВ/мкс (мін.) |
| Струм споживання ICC | 3,0 мА (макс.) |
| Пряма напруга VF | 1,55 В (тип.) |
| Прямий струм IF max | 20 мА |
| Робоча температура | -40…110 °C |
| Корпус | SO6L (6 виводів) |
| Стан | Оригінал |
Оптрон FOD3120SD ( 3120 , FOD3120 ) оригінал, sop-8
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Піковий вихідний струм | 2,5 А (абсолютний максимум 3,0 А) |
| Напруга живлення Vdd-Vss | 15–30 В (рекомендовані умови) |
| Робочий вхідний струм | 7–16 мА |
| Пороговий вхідний струм | 2,3 мА (тип.), 5,0 мА (макс.) |
| Затримка tPHL / tPLH | 150–400 нс |
| Стійкість до синфазних перешкод | 35 кВ/мкс (мін.) при Vcm = 2000 В |
| Поріг UVLO (вкл. / викл.) | 12,7 / 11,2 В (тип.), гістерезис 1,5 В |
| Напруга ізоляції Viso | 5000 В (діюче, мін.) |
| Опір вихідного каскаду Rds(on) | 1 Ом (тип.) |
| Робоча температура | -40…100 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема YD7388 ( YD7388S )
В наявності
126,43 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | E-youda |
| Вихідна потужність Po (typ, на канал) | 25 Вт |
| Вихідна потужність Po (мінімум) | 22 Вт |
| Коефіцієнт підсилення Gv (typ) | 26 дБ |
| THD (typ, Po 4 Вт) | 0.04 % |
| Струм спокою Iccq (typ) | 190 мА |
| Вхідний опір |Zi| (typ) | 100 кОм |
| Придушення пульсацій SVR (typ) | 60 дБ |
| Макс. напруга живлення Vcc | 18 В |
| Піковий вихідний струм Iop | 4.5 А |
| Розсіювана потужність Pd (Tcase 70 °C) | 80 Вт |
| Робочий діапазон температури | -20…+75 °C |
| Корпус | HZIP25B, 25 виводів |
Мікросхема U3115S , so-8
В наявності
110,45 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | UNI-SEMIC |
| Макс. напруга плаваючого каналу VOFFSET | 300 В |
| Вихідний струм IO- | 1.5 А |
| Затримка вмикання ton (typ) | 400 нс |
| Затримка вимикання toff (typ) | 200 нс |
| Мертвий час (typ) | 200 нс |
| Напруга живлення VCC | 9–20 В |
| Макс. напруга VB відносно COM | 325 В |
| Розсіювана потужність Pd (TA ≤ 25 °C) | 0.63 Вт |
| Робочий діапазон температури | -40…+125 °C |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема TOP256PN , DIP7
В наявності
80,37 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Мікросхема, інтегрований off-line ключ |
| Серія | TOPSwitch-HX |
| Виробник | Power Integrations |
| Корпус | DIP7 |
| BVDSS (мін.) | 700 В (IC = 4 мА, TJ = 25 °C) |
| ILIMIT (тип.) | 1.35 А (di/dt = 140 мА/мкс, TJ = 25 °C) |
| Піковий струм DRAIN (макс.) | 4.08 А |
| RDS(ON) при 25 °C (тип. / макс.) | 2.8 / 3.20 Ом (ID = 300 мА) |
| RDS(ON) при 100 °C (тип. / макс.) | 4.1 / 4.75 Ом |
| Частота перемикання | 66 кГц |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
Мікросхема TOP253PN , DIP7
В наявності
77,08 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Мікросхема, інтегрований off-line ключ |
| Серія | TOPSwitch-HX |
| Виробник | Power Integrations |
| Корпус | DIP7 |
| BVDSS (мін.) | 700 В (IC = 4 мА, TJ = 25 °C) |
| ILIMIT (тип.) | 0.75 А (di/dt = 80 мА/мкс, TJ = 25 °C) |
| Піковий струм DRAIN (макс.) | 1.37 А |
| RDS(ON) при 25 °C (тип. / макс.) | 8.8 / 10.10 Ом (ID = 100 мА) |
| RDS(ON) при 100 °C (тип. / макс.) | 13.1 / 15.20 Ом |
| Частота перемикання | 66 кГц |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
Мікросхема TOP246PN ( TOP246P ) оригінал, DIP7
В наявності
74,73 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | TOPSwitch-GX |
| Напруга DRAIN (макс.) | 700 В |
| Піковий струм DRAIN | 4,32 А |
| RDS(on) (ID 300 мА, Tj 25 °C) | 1,56 Ом (тип.), 2,25 Ом (макс.) |
| Струм обмеження (P/G, Tj 25 °C) | 1,256 А (мін.), 1,35 А (тип.), 1,445 А (макс.) |
| Частота перемикання (P/G) | 132 кГц |
| Температура переходу | -40…150 °C |
| Корпус | DIP7 |
| Корпус (докладно) | DIP-8B (P), 7 виводів задіяно |
| Стан | Оригінал |
