Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор FQA55N25 оригінал демонтаж, TO-3P
258,50 ₴
10 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
10 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FQA55N25 – N-канальний польовий транзистор QFET на 250 В у корпусі TO-3P. Оригінал, демонтаж – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor (onsemi) |
| Тип | N-канал, QFET, режим збагачення |
| Напруга Vds | 250 В |
| Струм Id | 55 А (TC = 25 °C) |
| Rds(on), макс. | 40 мОм (VGS = 10 В, ID = 27,5 А) |
| Qg, тип. | 140 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 4800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Crss, тип. | 125 пФ |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
FQA55N25 – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) серії QFET від Fairchild Semiconductor (onsemi), режим збагачення. Корпус TO-3P (у datasheet – TO-3PN), виводи G–D–S. Напруга Vds – 250 В. Безперервний струм стоку Id – 55 А при TC = 25 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – не більше 40 мОм при VGS = 10 В, ID = 27,5 А. Заряд затвора Qg – типово 140 нКл, прохідна ємність Crss – типово 125 пФ. Вхідна ємність Ciss типово 4800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Виробник заявляє 100% Avalanche Tested.
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів. Реальний виробник конкретного екземпляра може відрізнятися від наведеного в datasheet. Щоб підібрати заміну, порівнюйте напругу Vds, струм Id, Rds(on) і корпус TO-3P; параметри звіряйте з datasheet. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Імпульсні джерела живлення (SMPS)
- Активна корекція коефіцієнта потужності (PFC)
- Електронні баласти для ламп
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити FQA55N25?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-3P з Vds не нижче 250 В, з не меншим струмом Id і таким самим або нижчим Rds(on). Порівняйте параметри за datasheet.
Як перевірити транзистор перед встановленням?
Мультиметром у режимі перевірки діодів перевірте, що між виводами немає пробою. Розпіновка в datasheet – G–D–S.
Чи підходить FQA55N25 для імпульсних блоків живлення?
Так, у datasheet серед застосувань вказано імпульсні джерела живлення (SMPS), активну корекцію коефіцієнта потужності (PFC) та електронні баласти для ламп.
Документація виробника: FQA55N25 N-Channel QFET MOSFET, Rev. C2 (Fairchild, файл onsemi).
Datasheet onsemi знайдено; потужність, Vgs(th), Tj max, Id при 100 °C і умови Qg не прочитані та не наведені, статус виробництва не підтверджено.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.