Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема U3115S , so-8
110,45 ₴
28 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
28 в наявності
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
U3115S – драйвер напівмоста UNI-SEMIC для керування N-канальними MOSFET та IGBT, корпус SO-8.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-8 |
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | UNI-SEMIC |
| Макс. напруга плаваючого каналу VOFFSET | 300 В |
| Вихідний струм IO- | 1.5 А |
| Затримка вмикання ton (typ) | 400 нс |
| Затримка вимикання toff (typ) | 200 нс |
| Мертвий час (typ) | 200 нс |
| Напруга живлення VCC | 9–20 В |
| Макс. напруга VB відносно COM | 325 В |
| Розсіювана потужність Pd (TA ≤ 25 °C) | 0.63 Вт |
| Робочий діапазон температури | -40…+125 °C |
| Корпус | SO-8 |
U3115S – мікросхема-драйвер напівмоста виробництва UNI-SEMIC для керування N-канальними MOSFET та IGBT у високовольтному напівмості. Максимальна напруга плаваючого каналу VOFFSET – 300 В, абсолютний максимум VB відносно COM – 325 В. Вихідний струм IO+ – 1.2 А, IO- – 1.5 А. Затримка вмикання ton – 400 нс, вимикання toff – 200 нс, мертвий час – 200 нс (всі значення typ). Напруга живлення VCC – 9–20 В за рекомендованими умовами. Входи HIN і /LIN сумісні з 3.3 В CMOS / LSTTL, 5 В. Корпус SO-8 (SOP8), 8 виводів. Розсіювана потужність – 0.63 Вт при TA ≤ 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C, робочий діапазон температури -40…+125 °C, допустима швидкість зміни VS dVS/dt – до 55 В/нс.
У мікросхемі є вбудований діод бутстрепа; якщо ви його використовуєте, ємність і MOSFET підбирають за вимірюваннями. Заміну підбирайте за напругою, вихідними струмами, часом затримки та розпіновкою корпусу, порівнюючи їх з datasheet. За даними виробника, пряма заміна – U3116S. Відправка Новою поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Керування високовольтним напівмостом для N-канальних MOSFET та IGBT
- Побутова техніка, промислові приводи, електродвигуни
- DC/AC-перетворювачі, індукційний нагрів, ОВК
Чим замінити U3115S?
За даними виробника, пряма заміна – U3116S. Перед заміною порівняйте розпіновку, напругу та вихідні струми за datasheet обох мікросхем.
Які транзистори можна керувати цим драйвером?
N-канальні MOSFET та IGBT у напівмосту. Максимальна напруга плаваючого каналу VOFFSET – 300 В.
Який рівень сигналу потрібен на входах?
Входи HIN і /LIN сумісні з 3.3 В CMOS / LSTTL, 5 В.
Чи є в мікросхемі діод бутстрепа?
Так, діод бутстрепа вбудований. Якщо ви його використовуєте, ємність і MOSFET підбирають за вимірюваннями.
Документація виробника: U3115S (UNI-SEMIC).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.

Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.