Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JCS11N90WT оригінал, TO247
122,20 ₴
30 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
30 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
JCS11N90WT – N-канальний польовий транзистор на 900 В і 11 А в корпусі TO-247 для імпульсних блоків живлення. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 900 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 11 А (Tc 25 °C), 6.9 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.90 Ом тип., 1.10 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 5.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 66 нКл (Vds 720 В, Id 11 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2550 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 277 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | JILIN SINO-MICROELECTRONICS |
| Стан | Оригінал |
JCS11N90WT – N-канальний MOSFET виробництва JILIN SINO-MICROELECTRONICS у корпусі TO-247. Напруга Vds – 900 В, струм стоку Id – 11 А при Tc 25 °C і 6.9 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 0.90 Ом (тип.) і 1.10 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 5.5 А. Заряд затвора Qg – 66 нКл при Vds 720 В, Id 11 А, Vgs 10 В, порогова напруга Vgs(th) – 3.0–5.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА. Вхідна ємність Ciss типово 2550 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 277 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C. Пряма напруга діода Vsd – до 1.4 В при Vgs 0 В, Is 11 А.
Стан: оригінал. Підбираючи заміну, зіставте канал (потрібен N), напругу Vds не нижче 900 В, струм Id, опір Rds(on) при Vgs 10 В і корпус TO-247. Якщо заряд затвора заміни помітно більший, перевірте, чи впорається драйвер. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні блоки живлення з високою ефективністю
- ДБЖ (UPS)
- Електронні баласти ламп на напівмостовій схемі
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| STW12NK95Z | канал N = N, Vds 950 ≥ 900, Id(25 °C) 10 ≥ 0.8×11=8.8, Rds(on) Vgs 10 В max 0.69 ≤ 1.3×1.1=1.43, корпус TO-247 = TO-247 | Qg 113 нКл проти 66 нКл у JCS11N90WT – перевірте драйвер затвора. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити JCS11N90WT?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-247 з напругою Vds не нижче 900 В і таким самим або вищим струмом Id та не вищим Rds(on) при Vgs 10 В. У нашому каталозі є STW12NK95Z, він підходить за цими параметрами; заряд затвора в нього більший, тож перевірте драйвер.
Як перевірити транзистор перед установкою?
Мультиметром у режимі діода перевірте, що між стоком і витоком проводить лише діод в одному напрямку, а затвор не має зв’язку зі стоком і витоком.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Яка порогова напруга затвора в JCS11N90WT?
Vgs(th) – 3.0–5.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА. Опір Rds(on) у параметрах вказано при Vgs 10 В.
Документація виробника: JCS11N90WT (JILIN SINO-MICROELECTRONICS).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (постійний) | 20 А при Ta 25 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Напруга відсічки Vgs(off) | 2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.