Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JCS12N60FT оригінал, TO220F
164,50 ₴
12 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
12 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
JCS12N60FT – N-канальний польовий транзистор на 600 В і 12 А в корпусі TO-220F для імпульсних блоків живлення. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C), 7.6 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.56 Ом тип., 0.65 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6 А, 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 39 нКл (Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1790 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 51 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 418 нс тип. (Is 12 А, dI/dt 100 А/мкс) |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
JCS12N60FT – N-канальний MOSFET виробництва Jilin Sino-Microelectronics у корпусі TO-220F (у документі TO-220MF). Напруга Vds – 600 В, струм стоку Id – 12 А при Tc 25 °C і 7.6 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 0.56 Ом (тип.) і 0.65 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 6 А, 25 °C. Заряд затвора Qg – 39 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В, порогова напруга Vgs(th) – 3.0–5.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА. Вхідна ємність Ciss типово 1790 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 51 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C. Діод: Vsd до 1.39 В при Vgs 0 В, Is 12 А, час відновлення trr – 418 нс (тип.) при Is 12 А, dI/dt 100 А/мкс. Параметри наведено за datasheet серії JCS12N60T, зі стовпця виконання JCS12N60FT.
Стан: оригінал. Підбираючи заміну, зіставте канал (N), напругу Vds не нижче 600 В, струм Id, Rds(on) при Vgs 10 В і той самий корпус TO-220F. Виробник вказує також варіанти серії JCS12N60CT, JCS12N60ST і JCS12N60BT: перед заміною звіряйте корпус і параметри за datasheet. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні блоки живлення з високою ефективністю
- Електронні баласти ламп
- Блоки живлення світлодіодів
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| SVF12N60F | канал N = N, Vds 600 ≥ 600, Id(25 °C) 12 ≥ 0.8×12=9.6, Rds(on) Vgs 10 В max 0.58 ≤ 1.3×0.65=0.845, корпус TO-220F = TO-220F | Qg 34 нКл проти 39 нКл у JCS12N60FT. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити JCS12N60FT?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-220F з напругою Vds не нижче 600 В, співмірним струмом Id і не вищим Rds(on) при Vgs 10 В. У нашому каталозі є SVF12N60F, він підходить за цими параметрами.
Як перевірити транзистор перед установкою?
Мультиметром у режимі діода перевірте, що між стоком і витоком проводить лише діод в одному напрямку, а затвор не має зв’язку зі стоком і витоком.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим відрізняються JCS12N60FT, JCS12N60CT, JCS12N60ST і JCS12N60BT?
Це варіанти однієї серії JCS12N60T, їх розрізняють кінцеві літери в назві. Ця деталь у виконанні FT, її Pd – 51 Вт при Tc 25 °C. Для інших виконань значення Pd і корпус беріть з datasheet.
Документація виробника: JCS12N60FT-220MF (Jilin Sino-Microelectronics).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 202 А |
| Струм Id (100 °C) | 143 А |
| Rds(on) | 3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А |
| Vgs(th) | 2–4 В при Id 250 мкА |
| Qg | 103.6 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 271 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | IPS |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 153 А |
| Rds(on) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 195 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 397 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Hooyi (Huayi) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.