Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NTMFS4C10NT1G ( NTMFS4C10N , 4C10N ) оригінал, SO-8 FL
59,69 ₴
20 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
20 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
NTMFS4C10NT1G (NTMFS4C10N, 4C10N) – N-канальний польовий транзистор onsemi на 30 В, 46 А, корпус SO-8 FL. Оригінал, для живлення процесорів і DC-DC перетворювачів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 46 А (TC = 25 °C), 34 А (TC = 80 °C) |
| Rds(on) при VGS 10 В | 6.95 мОм макс., 5.8 мОм тип. (ID = 30 А) |
| Rds(on) при VGS 4,5 В | 10.8 мОм макс., 8.9 мОм тип. (ID = 15 А) |
| Vgs(th) | 1.3–2.2 В |
| Заряд затвора Qg | 9.7 нК (VGS 4,5 В), 18.6 нК (VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 987 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 23.6 Вт (TC = 25 °C) |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
| Виробник | onsemi |
| Стан | Оригінал |
NTMFS4C10NT1G (NTMFS4C10N, 4C10N) – N-канальний польовий транзистор виробництва onsemi у корпусі SO-8 FL (DFN5 5×6, CASE 488AA). Напруга Vds 30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА). Струм стоку Id 46 А при TC = 25 °C і 34 А при TC = 80 °C. Опір Rds(on) максимум 6.95 мОм (типово 5.8 мОм) при VGS = 10 В, ID = 30 А; при VGS = 4,5 В, ID = 15 А – максимум 10.8 мОм (типово 8.9 мОм). Порогова напруга Vgs(th) 1.3–2.2 В. Заряд затвора Qg типово 9.7 нК при VGS = 4,5 В і 18.6 нК при VGS = 10 В (VDS = 15 В, ID = 30 А). Вхідна ємність Ciss типово 987 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання 23.6 Вт при TC = 25 °C, напруга затвор–витік до ±20 В, температура переходу до 150 °C.
Це оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте канал (потрібен N), Vds не нижче 30 В, Id, Rds(on) при тому самому VGS і корпус SO-8 FL з тією самою розпіновкою. Відправка з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Живлення процесорів (CPU Power Delivery)
- DC-DC перетворювачі
Чим замінити NTMFS4C10NT1G?
Підійде N-канальний транзистор у корпусі SO-8 FL (DFN5 5x6) з Vds не нижче 30 В і не гіршими Id та Rds(on) при VGS 10 В і 4,5 В. Перевірте розпіновку за даташитом.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи можна керувати затвором від 4,5 В?
У даташиті наведено Rds(on) для VGS = 4,5 В: максимум 10.8 мОм при ID = 15 А.
Для чого застосовують цей транзистор?
Для живлення процесорів (CPU Power Delivery) і DC-DC перетворювачів.
Документація виробника: NTMFS4C10NT1G (onsemi).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 60 В |
| Струм Id (25 °C) | 200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А) |
| Струм Id (100 °C) | 140 А (розрахунково) |
| Rds(on) | 2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 155 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Ruichips |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.