Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220
СтанОригінал, демонтаж б/в

Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.

Транзистор PTP02N04NB оригінал демонтаж, TO220

188,00 ₴

10 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

10 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

PTP02N04NB – N-канальний польовий транзистор PIP у корпусі TO-220 для DC/DC-перетворювачів і синхронного випрямлення. Оригінал, демонтаж: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Тип каналуN
КорпусTO-220
Напруга Vds40 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id245 А (Tc 25 °C), 165 А (Tc 100 °C)
Rds(on)1.65 мОм тип., 2.1 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 24 А, Tj 25 °C)
Заряд затвора Qg125 нКл
Вхідна ємність Ciss5100 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В
Потужність розсіювання Pd300 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj175 °C
ВиробникPIP
СтанОригінал, демонтаж б/в
Опис

PTP02N04NB – N-канальний MOSFET виробництва PIP (Perfect Intelligent Power Semiconductor) у корпусі TO-220. Напруга Vds – 40 В, струм стоку Id – 245 А при Tc 25 °C і 165 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 1.65 мОм (тип.), 2.1 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 24 А, Tj 25 °C. Заряд затвора Qg – 125 нКл при Vdd 20 В, Id 80 А, Vgs 0…10 В. Вхідна ємність Ciss типово 5100 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Порогова напруга Vgs(th) – 2.0–4.0 В при Id 250 мкА. Потужність розсіювання – 300 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C. Вбудований діод швидкий відновлюваний: Vsd до 1.2 В при Is 24 А, trr 55 нс (тип.) при If 24 А.

Оригінал, демонтаж б/в: деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Щоб підібрати заміну, порівнюйте канал (N), корпус TO-220 і розпіновку, а також Vds, Id, Rds(on) і заряд затвора Qg: від нього залежить навантаження на драйвер. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.

Де застосовують

  • Високоефективні перетворювачі DC/DC
  • Синхронне випрямлення
  • Інвертори ДБЖ
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

Чим замінити PTP02N04NB?

Беріть N-канальний MOSFET у TO-220 з тією самою розпіновкою, Vds не нижче 40 В і Rds(on) не вищим за 2.1 мОм при Vgs 10 В. Параметри порівнюйте за datasheet.

Для чого підходить цей транзистор?

За документацією виробника – для високоефективних перетворювачів DC/DC, синхронного випрямлення та інверторів ДБЖ.

Що важливо знати про вбудований діод?

Діод швидкий відновлюваний: trr 55 нс (тип.) при If 24 А і dI/dt 100 А/мкс, Vsd до 1.2 В при Is 24 А.

Datasheet

Документація виробника: PTP02N04NB (PIP).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

PTP02N04NB (PIP) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F

В наявності

104,81 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds500 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id12 А (Tc 25 °C)
Rds(on)0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А)
Вхідна ємність Ciss2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd40 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-220F
ВиробникOSEN
СтанОригінал

Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, режим збагачення
Напруга Vds650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА)
Струм стоку Id38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В)
Опір Rds(on) макс.99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C)
Заряд затвора Qg103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2–5 В (Id 250 мкА)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )

В наявності

109,98 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss60 В
Струм Id (25 °C)200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А)
Струм Id (100 °C)140 А (розрахунково)
Rds(on)2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А
Vgs(th)2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА
Qg155 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц)
Pd300 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-220
ВиробникRuichips
СтанОригінал

Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vds500 В
Струм Id21 А (при 25 °C, макс.)
Імпульсний струм Id63 А (макс.)
Опір Rds(on)190 мОм (Vgs 10 В, макс.)
Заряд затвору Qg95 нКл (тип., Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.1–3.9 В
Потужність Ptot208 Вт (макс.)
Rth(j-c)0.6 К/Вт (макс.)
КорпусTO-247
ВиробникInfineon
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.