Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF20N50PN ( 20N50 ) оригінал, TO-3P
305,50 ₴
4 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
4 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
SVF20N50PN (20N50) – N-канальний польовий транзистор Silan у корпусі TO-3P, оригінал. Для імпульсних блоків живлення та DC-DC перетворювачів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Silan (Hangzhou Silan Microelectronics) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id (25 °C) | 20 А (TC = 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 12.6 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) тип. | 0.20 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Rds(on) макс. | 0.27 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 49.5 нКл (VDS = 400 В, ID = 20 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2687.7 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 252 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. Vgs | ±30 В |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
SVF20N50PN (маркування 20N50) – N-канальний MOSFET виробництва Silan (Hangzhou Silan Microelectronics) у корпусі TO-3P. Напруга Vds – 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.). Струм стоку Id – 20 А при TC = 25 °C і 12.6 А при TC = 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 0.20 Ом типово і 0.27 Ом максимум при VGS = 10 В, ID = 10 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2.0–4.0 В, максимальна напруга затвор-витік Vgs – ±30 В. Вхідна ємність Ciss типово 2687.7 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 252 Вт при TC = 25 °C, максимальна температура переходу Tj – 150 °C.
Оригінал, не демонтаж. Заряд затвора Qg – 49.5 нКл (VDS = 400 В, ID = 20 А, VGS = 10 В), тому перед заміною перевірте, чи драйвер затвора розрахований на такий заряд. Підбираючи заміну, порівнюйте напругу Vds, струм Id при однаковій температурі корпусу, Rds(on) при тому самому VGS і корпус. За даними виробника, пряма заміна – SVF20N50F; його немає в нашому каталозі в наявності, а виконання F відрізняється від PN, тому перед заміною порівняйте корпус і документ. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою, відправка в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні блоки живлення AC-DC
- DC-DC перетворювачі
- Мостові драйвери ШІМ для двигунів
Чим замінити SVF20N50PN?
Виробник називає пряму заміну SVF20N50F. Підбираючи інший транзистор, порівняйте N-канал, Vds не нижче 500 В, струм Id при тій самій температурі, Rds(on) при VGS = 10 В і корпус TO-3P.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Як перевірити MOSFET SVF20N50PN мультиметром?
Відключіть виводи від схеми. Між затвором і іншими виводами має бути обрив, а між стоком і витоком у режимі перевірки діодів – падіння вбудованого діода.
Який заряд затвора і чому він важливий?
Qg – 49.5 нКл при VDS = 400 В, ID = 20 А, VGS = 10 В. Від нього залежить струм, який має віддавати драйвер, щоб швидко відкрити транзистор.
Документація виробника: SVF20N50F/PN Datasheet Rev. 1.6.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 153 А |
| Rds(on) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 195 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 397 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Hooyi (Huayi) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 60 В |
| Струм Id (25 °C) | 200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А) |
| Струм Id (100 °C) | 140 А (розрахунково) |
| Rds(on) | 2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 155 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Ruichips |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А |
| Вхідна ємність Ciss | 4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130.5 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.