Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-252 (D-PAK)
СтанОригінал

Транзистор 70S900P7 ( IPD70R900P7S ) оригінал, D-PAK

49,82 ₴

20 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

20 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

70S900P7 (IPD70R900P7S) – N-канальний польовий транзистор Infineon CoolMOS P7 на 700 В у корпусі D-PAK. Оригінал.

ПараметрЗначення
КорпусTO-252 (D-PAK)

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Маркування на корпусі70S900P7
ВиробникInfineon
ТипN-канал, CoolMOS P7 (superjunction)
Напруга Vds700 В (Tj = 25 °C)
Rds(on), макс.0,9 Ом (VGS = 10 В, ID = 1,1 А, Tj = 25 °C)
Rds(on), тип.0,74 Ом (VGS = 10 В, ID = 1,1 А, Tj = 25 °C)
Імпульсний струм Id,pulse12,8 А (TC = 25 °C)
Розсіювана потужність30,5 Вт (TC = 25 °C)
Qg, тип.6,8 нКл (VDD = 400 В, ID = 0,9 А, VGS = 0…10 В)
Вхідна ємність Ciss211 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц)
КорпусTO-252 (D-PAK)
СтанОригінал
Опис

70S900P7 – це маркування транзистора IPD70R900P7S від Infineon: N-канальний польовий MOSFET за технологією CoolMOS P7 (superjunction) у корпусі D-PAK (PG-TO 252-3). Напруга Vds – 700 В при Tj = 25 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – не більше 0,9 Ом при VGS = 10 В, ID = 1,1 А, Tj = 25 °C (типове значення 0,74 Ом). Імпульсний струм стоку – 12,8 А при TC = 25 °C, розсіювана потужність – 30,5 Вт при TC = 25 °C, заряд затвора Qg – типово 6,8 нКл. Вхідна ємність Ciss типово 211 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц). Затвор має вбудований ESD-діод.

Оригінал, не демонтаж. Це SMD-деталь: монтується на площадку D-PAK на платі. Щоб підібрати заміну, порівнюйте напругу Vds, струм стоку, Rds(on) і тип корпусу; шукайте той самий N-канал у D-PAK і звіряйтеся з datasheet виробника. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.

Де застосовують

  • Зворотноходові (flyback) схеми, наприклад зарядні пристрої й адаптери
  • Освітлення та інші споживчі пристрої, чутливі до вартості: зарядні пристрої, адаптери, освітлення, ТВ
Часто питають
Що означає маркування 70S900P7?

Це маркування на корпусі транзистора IPD70R900P7S від Infineon.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чим замінити 70S900P7?

Потрібен N-канальний MOSFET у D-PAK з Vds не нижче 700 В, з таким самим або нижчим Rds(on) і не меншим струмом. Перед заміною порівняйте параметри за datasheet.

Чи є в транзистора захист затвора?

Так, у datasheet вказано вбудований ESD-діод на затворі; клас ESD (HBM) – 1C.

Datasheet

Документація виробника: IPD70R900P7S Final Data Sheet, Rev. 2.2.

Datasheet Infineon знайдено; постійний струм стоку, статус виробництва й нижню межу температури не підтверджено, тому їх не наведено.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

IPD70R900P7S Final Data Sheet, Rev. 2.2 Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss40 В (Tc 25 °C)
Струм Id (25 °C)202 А
Струм Id (100 °C)143 А
Rds(on)3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А
Vgs(th)2–4 В при Id 250 мкА
Qg103.6 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd271 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-220
ВиробникIPS
СтанОригінал

Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220

В наявності

69,56 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникHUAYI
Тип каналуN (режим збагачення)
Напруга Vds80 В (TC 25 °C)
Струм стоку Id200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C)
Rds(on)2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА)
Заряд затвора Qg197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Вхідна ємність Ciss8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd345 Вт (TC 25 °C)
Tj max175 °C
КорпусTO-220FB-3L
СтанОригінал

Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )

В наявності

109,98 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss60 В
Струм Id (25 °C)200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А)
Струм Id (100 °C)140 А (розрахунково)
Rds(on)2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А
Vgs(th)2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА
Qg155 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц)
Pd300 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-220
ВиробникRuichips
СтанОригінал

Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипN-канальний MOSFET (CoolMOS)
V(BR)DSS500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА)
Струм Id16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C)
Rds(on)0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C)
Qg66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А)
Вхідна ємність Ciss1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Ptot160 Вт (Tc 25 °C)
Vgs±20 В
КорпусTO-247
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.