Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор KNP9120A оригінал, TO220
80,37 ₴
16 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
16 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
KNP9120A – N-канальний польовий транзистор на 200 В і 40 А в корпусі TO-220 зі швидким вбудованим діодом. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 200 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 40 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 50 мОм тип., 65 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 20 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 97 нКл тип., 120 нКл макс. (Vdd 100 В, Id 20 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tc 25 °C) |
| Пряма напруга діода Vsd | 1.5 В макс. (Vgs 0 В, Is 40 А) |
| Час відновлення діода trr | 280 нс тип. (If 20 А, dI/dt 100 А/мкс) |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | KIA Semicon Tech |
| Стан | Оригінал |
KNP9120A – N-канальний MOSFET виробництва KIA Semicon Tech у корпусі TO-220. Напруга Vds – 200 В, струм стоку Id – 40 А при Tc 25 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 50 мОм (тип.) і 65 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А, Tj 25 °C. Заряд затвора Qg – 97 нКл (тип.) і 120 нКл (макс.) при Vdd 100 В, Id 20 А, Vgs 0…10 В, порогова напруга Vgs(th) – 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА. Вхідна ємність Ciss типово 2800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 125 Вт при Tc 25 °C. Вбудований діод швидкий відновлюваний: Vsd до 1.5 В при Vgs 0 В, Is 40 А, trr – 280 нс (тип.) при If 20 А, dI/dt 100 А/мкс.
Стан: оригінал. Підбираючи заміну, зіставте канал (N), напругу Vds не нижче 200 В, струм Id, Rds(on) при Vgs 10 В і корпус TO-220. Якщо заряд затвора заміни помітно більший, перевірте, чи впорається драйвер. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Перетворювачі DC-DC
- Інвертори DC-AC для ДБЖ
- Імпульсні джерела живлення та керування двигунами
Чим замінити KNP9120A?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з напругою Vds не нижче 200 В, струмом Id при Tc 25 °C і опором Rds(on) при Vgs 10 В не гіршими за наші 40 А і 65 мОм (макс.), з невеликим запасом на розсуд конструктора. Готового аналога в нашому каталозі зараз немає.
Як перевірити транзистор перед установкою?
Мультиметром у режимі діода перевірте, що між стоком і витоком проводить лише діод в одному напрямку, а затвор не має зв’язку зі стоком і витоком.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Що за діод усередині KNP9120A?
Вбудований діод швидкий відновлюваний (Fast Recovery Body Diode): trr – 280 нс (тип.) при If 20 А, dI/dt 100 А/мкс. Це корисно в мостових схемах і інверторах.
Документація виробника: KNP9120A (KIA Semicon Tech).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.