Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220
СтанОригінал, демонтаж б/в

Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.

Транзистор FTP08N08NF оригінал демонтаж, TO220

188,00 ₴

10 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

10 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

FTP08N08NF – N-канальний польовий транзистор у корпусі TO-220. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникInPower Semiconductor (IPS)
ТипMOSFET N-канал
КорпусTO-220
Напруга Vds85 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм стоку Id (TC = 25 °C)100 А
Струм стоку Id (TC = 100 °C)65 А
Опір Rds(on)8,5 мОм макс. (тип. 6,6 мОм), VGS = 10 В, ID = 50 А
Порогова напруга Vgs(th)2–4 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg59,8 нК (тип.), VGS = 10 В, VDD = 64 В, ID = 50 А
Вхідна ємність Ciss3564 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання Pd198 Вт (TC = 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Напруга затвор–витік Vgs±20 В
СтанОригінал, демонтаж б/в
Опис

FTP08N08NF – N-канальний MOSFET виробництва InPower Semiconductor (IPS) у корпусі TO-220. За даташитом найближчої деталі FTP08N08NE (IPS): напруга Vds 85 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА), струм стоку Id 100 А при TC = 25 °C і 65 А при TC = 100 °C. Опір Rds(on) не більше 8,5 мОм (типово 6,6 мОм) при VGS = 10 В, ID = 50 А. Порогова напруга Vgs(th) 2–4 В, заряд затвора Qg 59,8 нК (типово), потужність розсіювання 198 Вт при TC = 25 °C, напруга затвор–витік ±20 В. Вхідна ємність Ciss типово 3564 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц).

Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів. Щоб підібрати заміну, шукайте N-канальний транзистор у TO-220 з Vds не нижче 85 В, не меншим струмом Id і не гіршим Rds(on). Для швидкого перемикання порівняйте також заряд затвора. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Адаптери
  • Зарядні пристрої
  • Імпульсні блоки живлення (SMPS)
Аналоги та заміни

Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.

Модель Чому підходить Примітка
G042N10 канал N = N, Vds 100 ≥ 85, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×100=80, Rds(on) Vgs 10 В max 4.2 ≤ 1.3×8.5=11.1 мОм, корпус TO-220 = TO-220 Порівняйте заряд затвора з вашим драйвером. Купити

Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.

Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

Чим замінити FTP08N08NF?

Підійде N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з Vds не нижче 85 В і не гіршими Id та Rds(on) при VGS 10 В. У нашому каталозі є G042N10, див. таблицю аналогів.

Чи збігаються параметри з вашою деталлю точно?

Цифри взято з даташиту найближчої деталі FTP08N08NE. Перед встановленням у відповідальну схему порівняйте їх зі схемою свого пристрою.

Де застосовується FTP08N08NF?

В адаптерах, зарядних пристроях та імпульсних блоках живлення (SMPS). Ключовий параметр для таких схем – Rds(on) 8,5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 50 А.

Datasheet

Найближчий datasheet: FTP08N08NE (IPS).

Точного даташиту не знайдено. Параметри взято з найближчого за назвою даташиту.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

Найближчий datasheet: FTP08N08NE (IPS) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN (CoolMOS P7)
Напруга Vds600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max
Струм стоку Id48 А (Tc 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)30 А (Tc 100 °C)
Rds(on)0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C)
Vgs(th)3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА)
Заряд затвора Qg67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В)
Вхідна ємність Ciss2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц)
Потужність Pd164 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-247
ВиробникInfineon
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор CS20N65 оригінал, TO-3P

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds650 В (VGS = 0 В)
Струм стоку Id20 А (безперервний)
Rds(on)0.35 Ом тип., 0.4 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А)
Vgs(th)3.0–4.0 В
Заряд затвора Qg80 нКл (VDD = 520 В, ID = 20 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss2701 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi (Fairchild)
Тип каналуN (UniFET)
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id16 А (температура не вказана)
Rds(on)0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А)
Vgs(th)3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247

В наявності

129,72 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds950 В при Vgs 0 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)10 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)6.3 А
Опір Rds(on) (тип.)0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА
Потужність розсіювання Pd230 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
ВиробникSTMicroelectronics
СтанОригінал, демонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.