Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP25NM60N ( P25NM60N ) оригінал, TO220
183,77 ₴
7 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
7 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
STP25NM60N (маркування P25NM60N) – N-канальний польовий транзистор STMicroelectronics серії MDmesh II у корпусі TO-220 для імпульсних перетворювачів. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Серія | MDmesh II |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 600 В (Vgs 0 В) |
| Струм стоку Id | 21 А (Tc 25 °C), 13 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.130 Ом тип., 0.160 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10.5 А, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 84 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Потужність розсіювання Pd | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
STP25NM60N з маркуванням P25NM60N – N-канальний MOSFET виробництва STMicroelectronics серії MDmesh II у корпусі TO-220. Напруга Vds – 600 В при Vgs 0 В, струм стоку Id – 21 А при Tc 25 °C і 13 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 0.130 Ом (тип.), 0.160 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10.5 А, Tc 25 °C. Заряд затвора Qg – 84 нКл при Vdd 480 В, Id 21 А, Vgs 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 2400 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц). Порогова напруга Vgs(th) – 2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА. Потужність розсіювання – 160 Вт при Tc 25 °C у виконанні TO-220, максимальна температура переходу – 150 °C. Пряма напруга вбудованого діода Vsd – до 1.3 В при Isd 21 А.
Оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівнюйте канал (N), корпус TO-220 і розпіновку, Vds, Id, Rds(on) та заряд затвора Qg. Той самий кристал випускається в інших корпусах: STB25NM60N, STF25NM60N, STW25NM60N, але в TO-220 їх не поставиш. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Імпульсні перетворювачі
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити STP25NM60N?
Беріть N-канальний MOSFET у TO-220 з тією самою розпіновкою, Vds не нижче 600 В і Rds(on) не вищим за 0.160 Ом при Vgs 10 В. Параметри порівнюйте за datasheet.
Чи те саме P25NM60N і STP25NM60N?
P25NM60N – маркування на корпусі STP25NM60N у TO-220, так вказано в документації STMicroelectronics.
Чи є інші корпуси цієї серії?
Так, документ охоплює STB25NM60N, STF25NM60N, STW25NM60N. Це інші корпуси, у TO-220 вони не підійдуть.
Документація виробника: STP25NM60N (STMicroelectronics).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура каналу Tch | 150 °C |
| Напруга Vgss | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.