Транзистори
Транзистор GF10NC60KD ( STGF10NC60KD ) оригінал , TO220F
В наявності
156,04 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT N-канал з діодом |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, Ic 1 мА) |
| Струм Ic | 9 А (Tc 25 °C), 6 А (Tc 100 °C), корпус TO-220FP |
| Vce(sat) | 2,2 В тип., 2,5 В макс. (VGE 15 В, Ic 5 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 19 нКл тип. (VCC 390 В, Ic 5 А, VGE 0–15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 380 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Ptot | 25 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга ізоляції Viso | 2,5 кВ (RMS, 1 с) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GK110N20S ( HGK110N20S ) оригінал, TO247
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Hunteck |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 200 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 132 А (обмеження кремнієм) |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 93 А |
| Rds(on) | 8,7 мОм тип., 10,9 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 20 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) |
| Заряд затвора Qg | 56 нКл (VDD = 100 В, ID = 20 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4970 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| trr | 140 нс (VR = 100 В, IF = 20 А, dIF/dt = 100 А/мкс) |
| Потужність Pd | 429 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GL24N90 ( 24N90 , GL24N90A47 , GL24N90A ) оригінал, TO247
В наявності
329,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (VDMOSFET) |
| Виробник | Wuxi Guang Lei |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vds | 900 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 24 А (Tc 25 °C), 20 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 350 мОм макс. (VGS 10 В, ID 12 А) |
| Vgs(th) | 2,5–4,5 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 400 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 7600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є, trr 550 нс тип. (IS 24 А, dIF/dt 100 А/мкс, Tj 25 °C) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GL25N50 ( 25N50 , GL25N50B47 , GL25N50AN ) оригінал, TO247
В наявності
345,92 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vds | 500 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 25 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 200 мОм тип., 240 мОм макс. (VGS 10 В, ID 14 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл тип. (VDS 400 В, ID 25 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GP GP47S60X оригінал, TO247
В наявності
345,92 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Greatpower Microelectronic |
| Тип каналу | N |
| Напруга пробою Vds | 600 В |
| Струм Id | 47 А |
| Rds(on) при Vgs 10 В, Id 15,6 А | 81 мОм макс. (типово 68 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 87,967 нКл (типово) |
| Вхідна ємність Ciss | 3111,9 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 417 Вт (TO-247) |
| Без галогенів | так (Halogen Free) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GP039N12S ( HGP039N12S ) оригінал, TO220
В наявності
263,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Hunteck |
| Напруга Vds | 120 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 197 А при Tc 25 °C (обмеження кристалом, корпусом 180 А); 139 А при Tc 100 °C |
| Опір Rds(on) | 3.6 мОм тип., 4.2 мОм макс. TO-220 (VGS 10 В, ID 20 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3 В (VGS = VDS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 68 нКл (VDD 60 В, ID 20 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6427 пФ (Vds 60 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 357 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор GP28S50G оригінал демонтаж, TO220F
В наявності
200,22 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Greatpower Microelectronic (Champion) |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-220F |
| Корпус (докладно) | TO220F (у документі TO-220FP) |
| Напруга стік–витік Vds | 500 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (Tj 25 °C) | 28 А |
| Rds(on) | 125 мОм макс. (VGS=10 В, ID=15 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В), VDS=VGS, ID=250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 40,7 нКл (VDS=400 В, ID=20 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1517.7 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор GP8NC60KD ( STGP8NC60KD ) оригінал, TO220
В наявності
114,68 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор-емітер Vces | 600 В (VGE = 0) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 15 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 8 А |
| Імпульсний струм Icp | 30 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип., 2.75 В макс. (VGE = 15 В, Ic = 3 А, TC = 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 4.5–6.5 В |
| Напруга затвор-емітер Vge | ±20 В |
| Вбудований діод | так, антипаралельний, дуже м’який ультрашвидкий |
| Температура переходу Tj | від -55 до 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Вхідна ємність Cies | 380 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GPT10N50ADG оригінал, TO220F
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга стік–витік V(BR)DSS | 500 В (мін.; VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj = 25 °C) |
| Rds(on) | 0,7 Ом (макс.; VGS = 10 В, ID = 5 А, Tj = 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,5–4,5 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Qg | 26,7 нКл (VDS = 400 В, ID = 10 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1149 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 44 Вт (для TO-220F) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Greatpower |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GPT16N50DG оригінал, TO220F
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Greatpower |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id | 15,5 А (безперервний; значення для TO-220 і TO-220FP) |
| Rds(on) | 0,38 Ом (Vgs 10 В, Id 8 А) |
| Vgs(th) | 3–5 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Qg | 49,3 нКл (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2299 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| trr | 475 нс (IS = 16 А, dIS/dt = 100 А/мкс) |
| Pd | 49 Вт (версія TO-220FP) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор GS4B60KD1 ( IRGS4B60KD1 ) оригінал демонтаж б/в, D2PAK
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор з діодом |
| Виробник | International Rectifier |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 11 А |
| Струм Ic (100 °C) | 7.6 А |
| Напруга VCE(on) | 2.1 В (тип., IC = 4.0 А, VGE = 15 В, TJ = 25 °C) |
| Потужність Pd | 63 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 190 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор GS6B60KD ( IRGS6B60KD ) оригінал демонтаж б/в, D2PAK
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | IGBT n-канал з ультрашвидким діодом (NPT) |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 18 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 10 А |
| Імпульсний струм Icm | 26 А |
| Vce(on) (Ic 5 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) | 1,80 В тип. |
| Напруга Vge | ±20 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 90 Вт |
| Заряд затвора Qg | 18,2 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 290 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор GT50J327 ( 50J327 ) оригінал, TO-218
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic | 50 А (температура корпусу в документі не вказана) |
| Імпульсний струм Icp | 100 А |
| Vce(sat) | 1.9 В (тип.), 2.3 В (макс.) при Ic 50 А, Vge 15 В |
| Потужність Pc | 140 Вт (температура корпусу в документі не вказана) |
| Вхідна ємність Cies | 2500 пФ (Vce 10 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є, If 20 А (DC) |
| Корпус | TO-218 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор GW20NC60VD ( STGW20NC60VD ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В при VGE = 0 |
| Струм Ic | 60 А при Tc 25 °C (розрахунковий); 30 А при Tc 100 °C |
| Vce(sat) | 1.8 В тип., 2.5 В макс. при Vge 15 В, Ic 20 А, Tj 25 °C |
| Vge(th) | 3.75–5.75 В при Ic 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 100 нКл тип. при Vce 390 В, Ic 20 А, Vge 15 В |
| Вхідна ємність Cies | 2200 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Ptot | 200 Вт при Tc 25 °C |
| Робоча частота | до 50 кГц |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор GW20NC60VD ( STGW20NC60VD ) оригінал, TO247
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В (Vge = 0) |
| Струм колектора Ic | 60 А при 25 °C, 30 А при 100 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.8 В типово, макс. 2,5 В (Vge 15 В, Ic 20 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 100 нКл типово (Vce 390 В, Ic 20 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 2200 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є, антипаралельний, надшвидкий |
| Потужність розсіювання Ptot | 200 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GW30V60DF ( STGW30V60DF ) оригінал, TO247
В наявності
306,44 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT trench gate field-stop, серія V, із діодом |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, IC = 2 мА) |
| Струм Ic | 60 А (TC = 25 °C); 30 А (TC = 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,85 В тип. (VGE = 15 В, IC = 30 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 163 нКл (тип., VCC = 480 В, IC = 30 А) |
| Вхідна ємність Cies | 3750 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 258 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор GW38IH130D ( STGW38IH130D ) оригінал демонтаж б/в, TO-3P
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор-емітер Vces | 1300 В (VGE = 0) |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 33 А (TC = 100 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.1 В тип., 2.8 В макс. (VGE = 15 В, Ic = 20 А, TC = 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 3.75–5.75 В |
| Пряма напруга діода Vf | 1.9 В (If = 20 А) |
| Вбудований діод | так, антипаралельний (free-wheeling) |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Вхідна ємність Cies | 2900 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор GW39NC60VD ( STGW39NC60VD ) оригінал, TO247
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В (Vge = 0) |
| Струм колектора Ic (TC 25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (TC 100 °C) | 40 А |
| Імпульсний струм Icp | 220 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.8 В (typ., Vge 15 В, Ic 30 А, TC 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 126 нКл (Vce 390 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 2900 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є (надшвидкий) |
| Потужність Ptot | 250 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор H20R1353 ( IHW20N135R3 ) оригінал, TO-247
В наявності
221,84 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | RC-IGBT, Resonant Switching, TRENCHSTOP |
| Напруга Vce | 1350 В при Tvj=25 °C |
| Струм колектора Ic | 40 А при Tc=25 °C; 20 А при Tc=100 °C |
| Імпульсний струм колектора | 60 А |
| Vce(sat) | 1,60 В тип. при VGE=15 В, IC=20 А, Tvj=25 °C; 1,90 В при Tvj=175 °C |
| Вбудований діод | є, монолітний, Vf 1,60 В тип. при IF=20 А |
| Заряд затвора QG | 195 нКл (тип., VCC=1080 В, IC=20 А, VGE=15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1500 пФ |
| Потужність Ptot | 310 Вт при Tc=25 °C; 155 Вт при Tc=100 °C |
| Температура переходу Tvj | -40…+175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор H30PR5 ( IHW30N135R5 ) оригінал, TO-247
В наявності
240,64 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Номер | IHW30N135R5 |
| Напруга Vce | 1350 В (VGE = 0 В, IC = 0,5 мА, Tvj = 25 °C) |
| Струм Ic (TC = 25 °C) | 60 А |
| Струм Ic (TC = 100 °C) | 30 А |
| Vce(sat) | 1,65 В, макс. 1,95 В (VGE = 15 В, IC = 30 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Ptot (TC = 25 °C) | 330 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1810 пФ |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор H30SR5 ( IHW30N160R5 ) оригінал, TO-247
В наявності
345,92 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vce | 1600 В (Tvj 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 60 А при TC 25 °C, 39 А при TC 100 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.85 В типово, макс. 2,15 В (Vge 15 В, Ic 30 А, Tvj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 205 нКл типово (Vcc 1280 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1500 пФ |
| Вбудований діод | є, монолітний зворотний (reverse conducting) |
| Потужність розсіювання Ptot | 263 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tvj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Транзистор H30T100 ( IHW30N100T ) оригінал, TO-247
В наявності
564,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vce | 1000 В |
| Струм Ic при 25 °C | 60 А |
| Струм Ic при 100 °C | 30 А |
| Vce(sat) | 1.55 В тип. (макс. 1.7 В) при IC = 30 А, VGE = 15 В, Tj 25 °C |
| Qg | 217 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3573 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є, антипаралельний |
| Ptot | 412 Вт при Tc 25 °C |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор H40R1353 ( IHW40N135R3 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Позначка в документі | IHW40N135R3 |
| Напруга Vce | 1350 В (VGE=0 В, IC=0.20 мА) |
| Струм Ic при 25 °C | 80 А (Tc 25 °C) |
| Струм Ic при 100 °C | 40 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1.65 В тип., макс. 1.85 В (IC=40 А, VGE=15 В, Tvj 25 °C) |
| Qg | 365 нКл тип. (VCC=1080 В, IC=40 А, VGE=15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 2712 пФ |
| Вбудований діод | є (монолітний, зворотно-провідний IGBT) |
| Потужність Ptot | 429 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор HA210N06 оригінал (заміна для DG210N06 )(60V,210A), TO-3P
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Haolin |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 210 А (обмеження корпусу 50 А) |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 130 А |
| Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 75 А) | 3.2 мОм типово, макс. 4 мОм |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 135 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 220 Вт |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор HD1750FX оригінал демонтаж ( Заміна для J6910 , FJAF6910 )
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vces | 1700 В (VBE = 0) |
| Напруга Vceo | 800 В (IB = 0) |
| Напруга Vebo | 10 В (IC = 0) |
| Струм колектора Ic | 24 А (постійний) |
| Імпульсний струм Icm | 36 А (tp < 5 мс) |
| Потужність розсіювання Ptot | 75 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 3 В макс. (IC = 12 А, IB = 3 А, Tcase 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 6,5–9,5 (IC = 12 А, VCE = 5 В) |
| Час спаду tf | 350 нс тип. |
| Час розсмоктування ts | 3,1 мкс тип. |
| Напруга ізоляції | 2500 В RMS |
| Корпус | ISOWATT218FX |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор HF8N65 оригінал, TO220F
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 650 В (BVDSS, VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 7,5 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 4,6 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,90 Ом (тип.), 1,05 Ом (макс.) при VGS = 10 В, ID = 4,0 А |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 22 нКл (тип.), 29 нКл (макс.) |
| Вхідна ємність Ciss | 940 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 48 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±30 В |
| trr | 365 нс (тип.) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |