Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор GP039N12S ( HGP039N12S ) оригінал, TO220

263,20 ₴

24 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

24 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

GP039N12S (HGP039N12S) – N-канальний польовий транзистор Hunteck у корпусі TO-220, оригінал. Для синхронного випрямлення в SMPS і керування двигунами.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ТипMOSFET N-канал
ВиробникHunteck
Напруга Vds120 В (VGS 0 В, ID 250 мкА)
Струм стоку Id197 А при Tc 25 °C (обмеження кристалом, корпусом 180 А); 139 А при Tc 100 °C
Опір Rds(on)3.6 мОм тип., 4.2 мОм макс. TO-220 (VGS 10 В, ID 20 А)
Порогова напруга Vgs(th)2–4 В, тип. 3 В (VGS = VDS, ID 250 мкА)
Заряд затвора Qg68 нКл (VDD 60 В, ID 20 А, VGS 10 В)
Вхідна ємність Ciss6427 пФ (Vds 60 В, f 1 МГц)
Потужність Pd357 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура Tj175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал
Опис

GP039N12S (HGP039N12S) – N-канальний MOSFET виробництва Hunteck у корпусі TO-220. Напруга Vds 120 В (VGS 0 В, ID 250 мкА). Струм стоку Id 197 А при Tc 25 °C (обмеження кристалом, обмеження корпусом 180 А) і 139 А при Tc 100 °C. Опір Rds(on) 3.6 мОм типовий, 4.2 мОм максимальний для TO-220 (VGS 10 В, ID 20 А). Порогова напруга Vgs(th) 2–4 В, типова 3 В. Заряд затвора Qg 68 нКл (VDD 60 В, ID 20 А, VGS 10 В). Вхідна ємність Ciss типово 6427 пФ (Vds 60 В, f 1 МГц). Потужність Pd 357 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура Tj 175 °C. Вбудований діод: Vsd 0.9 В типове, 1.2 В максимальне (IF 20 А, VGS 0 В), trr 60 нс.

У назві товару – «оригінал». Підбираючи заміну, порівняйте канал, Vds, Id, Rds(on), заряд затвора та корпус. Прямі заміни за даними виробника: HGB039N12S і HGK039N12S. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Синхронне випрямлення в SMPS
  • Високошвидкісні перемикальні схеми
  • Електроінструмент, UPS, керування двигунами
Часто питають
Чим замінити GP039N12S?

Виробник називає прямі заміни HGB039N12S і HGK039N12S. Ці номери в каталозі не вказані як наявні, тому звіряйте корпус перед покупкою.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Як перевірити, що транзистор підходить?

Порівняйте корпус TO-220, Vds 120 В, Id і Rds(on) 3.6 мОм типове при VGS 10 В, ID 20 А з вимогами вашої схеми.

Чи є у транзистора вбудований діод?

Так: Vsd 0.9 В типове, 1.2 В максимальне при IF 20 А, VGS 0 В; trr 60 нс при VR 60 В, dIF/dt 500 А/мкс.

Datasheet

Документація виробника: HGP039N12S (Hunteck).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

HGP039N12S (Hunteck) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds500 В
Струм Id (Tc 25 °C)16.5 А
Струм Id (Tc 100 °C)9.9 А
Rds(on)0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А
Vgs(th)3.0–5.0 В
Потужність розсіювання205 Вт
Вхідна ємність Ciss1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss40 В (Tc 25 °C)
Струм Id (25 °C)202 А
Струм Id (100 °C)143 А
Rds(on)3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А
Vgs(th)2–4 В при Id 250 мкА
Qg103.6 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd271 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-220
ВиробникIPS
СтанОригінал

Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F

В наявності

107,16 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, режим збагачення
Напруга Vds600 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)12 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)7.6 А
Опір Rds(on) (тип.)0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність розсіювання Pd51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-220F
ВиробникSilan
СтанОригінал

Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdss500 В
Струм стоку Id (DC)15 А (Ta 25 °C)
Опір Rds(on)0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА)
Потужність Pd50 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Температура каналу Tch150 °C
Напруга Vgss±30 В
КорпусTO-220F
ВиробникToshiba
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.