Транзистори
Транзистор FHF12N60 оригінал (заміна для HF12N60 ) , TO220F
В наявності
107,16 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку ID (25 °C) | 12 А |
| Опір Rds(on) | 0,7 Ом макс., мін. 0,6 Ом (VGS = 10 В, ID = 6 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл тип., макс. 63 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1760 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 51 Вт (TC = 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±30 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Feihonltd |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHF12N65 оригінал (заміна для HF12N65 , PJF12N65M , F12N65M ) , TO220F
В наявності
164,50 ₴
Транзистор FHF18N50 оригінал , TO220F
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | FeiHong |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 18 А (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 14 А (TC 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0,31 Ом тип., 0,37 Ом макс. (VGS=10 В, ID=9 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 58 нКл тип. (VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 37 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHF20N50 оригінал (заміна для HF20N50 ) , TO220F
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 20 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.28 Ом тип., 0.34 Ом макс. (VGS 10 В, ID 10 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–4.0 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 71 нКл (VDD 400 В, ID 20 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2250 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 98 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | Є: Vsd макс. 1.4 В (IS 18 А, VGS 0 В) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHF20N60 оригінал (заміна для HF20N60 ) , TO220F
В наявності
66,27 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Feihonltd |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 20 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 14 А |
| Rds(on) | 0,45 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А, Tc 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Qg | 61 нКл тип. (VGS = 10 В, VDS = 300 В, ID = 20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd (Tc 25 °C) | 85 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHF8N80 оригінал , TO220F
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | FeiHong |
| Напруга Vds | 800 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id | 8 А (Tc 25 °C) |
| Струм Id при 100 °C | 5,4 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 1,25 Ом тип., 1,5 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 4 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 49 нКл тип. (Vds 400 В, Id 8 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2150 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHP100N08 оригінал (заміна для CJP75N80 )(80V,100A) , TO220
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 80 В |
| Струм Id | 100 А (Tc 25 °C), 70 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) при Vgs 10 В, Id 40 А | 8,5 мОм макс. (типово 6,5 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл (типово) |
| Вхідна ємність Ciss | 3200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор FHP100N08 оригінал демонтаж(Заміна для CS100N08 , SSF7509 )(80V,100A) , TO220
В наявності
103,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 80 В |
| Струм Id (25 °C) | 100 А (TC 25 °C, обмеження температурою переходу) |
| Струм Id (100 °C) | 70 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 6,5 мОм типово (VGS 10 В, ID 40 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Qg | 75 нКл типово (VDS 64 В, ID 30 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 200 Вт (TC 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FHP120N08 оригінал(80V,120A) , TO220(Заміна для CS120N08 )
В наявності
89,77 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 80 В |
| Струм Id | 120 А (TC 25 °C), 84 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 6,0 мОм тип., 8,0 мОм макс. (VGS=10 В, ID=40 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 60 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 2900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 230 Вт (TC 25 °C) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHP12N60 оригінал ( заміна для TSP12N60M , JCS12N60CT , FQP12N60C , YR12N60 , RD-A 12N60 , WFP12N60 , SSFP12N60 , FP12N60C ), TO220
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.6 Ом (VGS = 10 В, ID = 6 А; типове, макс. 0.7 Ом) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Розсіювана потужність Pd | 180 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHP1404 оригінал(40V,180A) , TO220
В наявності
79,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм Id | 180 А (Tc 25 °C), 126 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) при Vgs 10 В, Id 40 А | 3,7 мОм макс. (типово 2,5 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 155 нКл (типово) |
| Потужність Pd | 176 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHP150N03 оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 150 А (обмежено Tj max) |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 96 А |
| Опір Rds(on) при Vgs 10 В | 2,2 мОм typ. (Id 40 А; макс. 4 мОм) |
| Опір Rds(on) при Vgs 4,5 В | 3 мОм typ. (Id 30 А; макс. 6,5 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (Id 250 мкА, typ 1,9 В) |
| Заряд затвора Qg | 85 нКл typ. (Vds 15 В, Id 20 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5150 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 125 Вт |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHP150N06 оригінал(Заміна для CS150N06 ), TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 60 В (TC = 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 150 А (TC = 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 95 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 5 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 40 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 146 нКл макс. (VDS = 44 В, ID = 62 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4377 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 210 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHP1906 оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | FeiHong |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 100 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 65 А |
| Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 50 А) | 5 мОм типово, макс. 7 мОм |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Заряд затвора Qg | 82 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 3485 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 130 Вт |
| Tj max | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHP20N40 оригінал, TO220
В наявності
76,61 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 400 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0,20 Ом (тип.), 0,24 Ом (макс.) при VGS = 10 В, ID = 10 А |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В при ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 35 нКл (тип.), 42 нКл (макс.) при VGS = 10 В, VDS = 320 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1840 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 273 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±30 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHP20N50 оригінал, TO220
В наявності
79,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Feihonltd |
| Напруга Vds | 500 В мін. (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 20 А |
| Опір Rds(on) | 0.2 Ом тип., макс. 0.26 Ом (VGS = 10 В) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 5.0 В макс. (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 50 нКл тип., 65 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2550 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHP20N60 оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку ID (25 °C) | 20 А |
| Струм стоку ID (100 °C) | 14 А |
| Опір Rds(on) | 0,45 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 61 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 250 Вт (TC = 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±30 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Feihonltd |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHP3205 оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 55 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 110 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 8,0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 62 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 146 нКл макс. (Vds 44 В, Id 62 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3247 пФ |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHP40N20 оригінал, TO220
В наявності
84,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | FeiHong |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 200 В (ID=250 мкА, VGS=0 В) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 35 А (Tc=25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 21.5 А (Tc=100 °C) |
| Опір Rds(on) | 70 мОм типово (VGS=10 В, ID=17.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 38 нКл типово (VDS=160 В, ID=30 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1945 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Потужність розсіювання Pd | 150 Вт (Tc=25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Вбудований діод | є |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHP740 оригінал (заміна для UF740L , UF740 , TIANRUI 740 ), TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 400 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id | 7 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.51 Ом типово, 0.58 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 3.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 147 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Напруга діода Vsd | 1.4 В макс. (Is 7 А, Vgs 0 В) |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHP80N07 оригінал , TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 68 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 80 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 56 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 40 А) | 8,5 мОм (макс.) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0…4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 73 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 3200 пФ (тип.) |
| Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C) | 110 Вт |
| Температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHP80N08 оригінал (заміна для ME80N08A ), TO220
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 80 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку ID | 194 А (TC = 25 °C; обмеження корпусом 80 А) |
| Опір Rds(on) | 5 мОм макс., тип. 3,9 мОм (VGS = 10 В, ID = 80 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 221 нКл (VDD = 40 В, VGS = 10 В, ID = 80 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 12500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 300 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHP8N60 оригінал (заміна для FIR8N60P, HM8N60P , 07N60C2 , MTP6N60E )(600V,8A), TO220
В наявності
103,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss (Tc 25 °C) | 600 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 8.0 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 4.0 А) | 1.2 Ом (макс.) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Qg | 28 нКл (тип.), 36 нКл (макс.) |
| Вхідна ємність Ciss | 965 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd (Tc 25 °C) | 147 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Vgss макс. | ±30 В |
| Корпус | TO-220 |
| Канал | N-канал |
| Виробник | Feihong |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FIR24N50APT оригінал, TO-3P
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | American First Semiconductor |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vdss | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 24 А (Tc 25 °C); 15.2 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип. (Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 24 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 290 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FMH07N90E ( 07N90E ) оригінал, TO-3P
В наявності
183,30 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fuji Electric |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга Vds | 900 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 7 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 1.65 Ом тип., 2.0 Ом макс. (VGS 10 В, ID 3.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 39 нКл тип. (Vcc 450 В, ID 7 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 145 Вт (Tc 25 °C) |
| Tch макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FMH23N50E ( 23N50E ) оригінал(500V,23A) , TO-3P
В наявності
198,34 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Fuji Electric |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id | 23 А (Tc 25 °C, безперервний) |
| Rds(on) | 0.21 Ом тип., 0.245 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 11.5 А) |
| Qg | 93 нКл тип., 139.5 нКл макс. (Vcc 250 В, Id 23 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2.5–3.5 В, типово 3.0 В (Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 315 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FMMT2222A ( MMBT2222 )(маркування 1P) , sot23
В наявності
2,82 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга VCEO | 40 В |
| Напруга VCBO | 75 В |
| Напруга VEBO | 6 В |
| Струм колектора IC | 600 мА |
| Потужність Ptot | 330 мВт (Tamb 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| VCE(sat) | 0.3 В макс. (IC = 150 мА, IB = 15 мА) |
| hFE | 100–300 (IC = 150 мА, VCE = 10 В) |
| fT | 300 МГц мін. (IC = 20 мА, VCE = 20 В, f = 100 МГц) |
| Маркування | 1P |
| Корпус | SOT-23 |
| Виробник | Zetex Semiconductors |
Транзистор FMMT2907A (PMBT2907A) (маркування 2F) , sot23
В наявності
2,82 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга колектор-емітер VCEO | -60 В (IC = -10 мА) |
| Напруга колектор-база VCBO | -60 В |
| Напруга емітер-база VEBO | -5 В |
| Струм колектора IC | -600 мА (постійний) |
| Потужність розсіювання Ptot | 330 мВт (Tamb 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга насичення VCE(sat) | -0.4 В макс. (IC = -150 мА, IB = -15 мА) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 100–300 (IC = -150 мА, VCE = -10 В) |
| Гранична частота fT | 200 МГц мін. (IC = -50 мА, VCE = -20 В, f = 100 МГц) |
| Маркування | 2F |
| Корпус | SOT-23 |
| Виробник | Zetex Semiconductors |
Демонтаж
Транзистор FP50N06 ( RFP50N06 )(Заміна для FQP50N06 , WFP50N06 , CEP50N06 , KIA50N06 , SW50N06 , SFP50N06 , FIR50N06P , HM50N06P ), TO220
В наявності
53,11 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (MegaFET) |
| Виробник | onsemi |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdss | 60 В (TJ = 25…150 °C) |
| Струм Id | 50 А (за рис. 2 datasheet) |
| Rds(on) | 0.022 Ом макс. (ID = 50 А, VGS = 10 В) |
| Потужність Pd | 131 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 2020 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VGS = VDS, ID = 250 мкА) |
| Температура Tj | -55…+175 °C |
Транзистор FQA11N90C ( 11N90C ) оригінал (заміна для FQA9N90C ) , TO-3P
В наявності
146,17 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал (QFET) |
| Напруга Vds | 900 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 11 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 6.9 А |
| Rds(on) макс. (VGS = 10 В, ID = 5,5 А) | 1.4 Ом |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 60 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2530 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd (TC = 25 °C) | 300 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Стан | Оригінал |