Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FMH07N90E ( 07N90E ) оригінал, TO-3P
183,30 ₴
6 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
6 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FMH07N90E (07N90E) – N-канальний польовий транзистор Fuji Electric у корпусі TO-3P, оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fuji Electric |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга Vds | 900 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 7 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 1.65 Ом тип., 2.0 Ом макс. (VGS 10 В, ID 3.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 39 нКл тип. (Vcc 450 В, ID 7 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 145 Вт (Tc 25 °C) |
| Tch макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
FMH07N90E (маркування 07N90E) – N-канальний MOSFET Fuji Electric серії Super FAP-E3 у корпусі TO-3P. Напруга Vds становить 900 В при Tc 25 °C. Безперервний струм стоку Id – 7 А при Tc 25 °C, імпульсний IDP – 28 А. Опір відкритого каналу Rds(on) типово 1.65 Ом (макс. 2.0 Ом) при VGS 10 В, ID 3.5 А, Tch 25 °C. Заряд затвора Qg типово 39 нКл при Vcc 450 В, ID 7 А, VGS 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 1200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 145 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура каналу Tch – 150 °C. Вбудований діод є.
Це оригінал, не демонтаж. Відправка з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня. Щоб підібрати заміну, порівняйте корпус TO-3P, тип каналу N, Vds, Id та Rds(on) за даташитом. Qg і поріг Vgs(th) впливають на драйвер затвора, тому їх теж варто звірити.
Де застосовують
- Імпульсні регулятори напруги
- Джерела безперебійного живлення (UPS)
- DC-DC перетворювачі
Чим замінити FMH07N90E?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-3P з Vds 900 В або вище, струмом Id не менше 7 А і не вищим Rds(on). Qg та Vgs(th) порівняйте за даташитом, щоб підійшов драйвер затвора. Підібрані аналоги під цю деталь у каталозі поки не підтверджені документами.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи є у транзистора вбудований діод?
Так. VSD типово 0.90 В, макс. 1.35 В при IF 7 А, VGS 0 В.
Яка напруга Vds у FMH07N90E?
900 В при Tc 25 °C.
Документація виробника: FMH07N90E (Fuji Electric).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (постійний) | 20 А при Ta 25 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Напруга відсічки Vgs(off) | 2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Trench |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 112 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.