Транзистори
Транзистор CS7N60F оригінал, TO220F
В наявності
122,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (VDMOS) |
| Напруга стік–витік Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 7 А (TC = 25 °C); 4.4 А (TC = 100 °C) |
| Імпульсний струм стоку Idm | 28 А |
| Опір Rds(on) | 1.0 Ом типово, макс. 1,3 Ом (VGS = 10 В, ID = 3,5 А) |
| Напруга Vgs | ±30 В |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 24 нКл типово (VGS = 10 В, VDD = 480 В, ID = 7 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1121 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Енергія лавини EAS | 400 мДж (одиночний імпульс) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Huajing Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS7N65F оригінал (заміна для CS7N65A ), TO220F
В наявності
126,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 650 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id (25 °C) | 7 А |
| Струм Id (100 °C) | 4,5 А |
| Rds(on) тип. | 0,98 Ом (VGS = 10 В, ID = 3,5 А) |
| Rds(on) макс. | 1,4 Ом (VGS = 10 В, ID = 3,5 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Qg | 28 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1072 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd (25 °C) | 40 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Vgs макс. | ±30 В |
| EAS | 450 мДж |
| Корпус | TO-220F |
| Тип каналу | N-канал |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CSD19505KCS оригінал, TO220
В наявності
214,79 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Тип каналу | N-канал (NexFET) |
| Напруга Vds | 80 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vgs (макс.) | ±20 В (TA 25 °C) |
| Струм Id (обмеження корпусом) | 150 А (TA 25 °C) |
| Rds(on) | 2,6 мОм тип. / 3,1 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 100 А, TA 25 °C) |
| Qg | 76 нКл (Vgs 10 В, Vds 40 В, Id 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 6090 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Pd | 300 Вт |
| Tj | від –55 до 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор D50N06 оригінал (50A,60V)( заміна для FQD50N06 ), D-PAK
В наявності
32,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | ROUM |
| Напруга Vds | 60 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 66 А |
| Струм Id (100 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 12 мОм тип., 18 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 20 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В |
| Qg | 51 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2068 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Pd | 88 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор D5N65 оригінал (5A,650V)( заміна для FQD5N65 , FQD5N60C , FCD5N60 , SVF5N65D , SVF5N60D , D5N60 , IRFU430A , IRFU420A ), D-PAK
В наявності
35,25 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (VDMOSFET) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм Id (TC 25 °C) | 5 А |
| Струм Id (TC 100 °C) | 3,1 А |
| Rds(on) тип. (Vgs 10 В, Id 2,5 А) | 1,9 Ом |
| Rds(on) макс. | 2,4 Ом |
| Vgs(th) (Id 250 мкА) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg тип. | 17,3 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 615 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 75 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор DH070N06 оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 68 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 88 А при Tc 25 °C |
| Струм стоку Id (100 °C) | 61 А при Tc 100 °C |
| Опір Rds(on) | 6.3 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 30 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–3.5 В |
| Потужність Pd | 167 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 4100 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Вбудований діод | є |
| Виробник | Jiangsu Donghai Semiconductor (WXDH) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор DHG50T65 оригінал (заміна для G50T65DS , DHG50T65DS ) , TO247
В наявності
432,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jiangsu Donghai Semiconductor (WXDH) |
| Корпус | TO-247S-3L |
| Напруга Vces | 650 В (Tj 25 °C) |
| Струм Ic | 100 А (Tc 25 °C); 50 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 200 А |
| Vce(sat) | 2.0 В тип. (Vge 15 В, Ic 50 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 86 нКл (тип., Vce 520 В, Ic 50 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 2528 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Потужність Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор DHG50T65D ( G50T65D ) оригінал , TO-3P
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jiangsu Donghai Semiconductor |
| Тип | IGBT FS Trench із діодом |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА, мін.) |
| Струм Ic | 100 А (Tj = 25 °C); 50 А (Tj = 100 °C) |
| Vce(sat) | 2,0 В тип. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 86 нКл (тип., VCE = 520 В, IC = 50 А) |
| Вхідна ємність Cies | 2528 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 320 Вт (Tj = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор DHS020N04E оригінал, D2PAK
В наявності
225,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 40 В (VGS = 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм Id | 180 А (TC 25 °C); 126 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) тип. | 1.7 мОм (VGS 10 В, ID 85 А, TC 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 2.1 мОм (VGS 10 В, ID 85 А, TC 25 °C) |
| Vgs(th) | 1–3 В, тип. 2 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 74.3 нКл (VGS 10 В, VDD 20 В, ID 85 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 4557 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 200 Вт (TC 25 °C) |
| Температура переходу | 175 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | WXDH (Jiangsu Donghai Semiconductor) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор DHS020N88 оригінал, TO220
В наявності
84,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 85 В мін. при Id 250 мкА, Vgs 0 В |
| Опір Rds(on) | 2.3 мОм макс. при Vgs 10 В, Id 80 А |
| Поріг Vgs(th) | 2–4 В при Vds=Vgs, Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 185 нКл тип. при Id 120 А, Vds 40 В, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 14489 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Jiangsu Donghai Semiconductor (WXDH) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор DOD150N03 ( 150N03 ) оригінал ( заміна для CSD30N30 )(30V,150A), D-PAK
В наявності
150,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Doingter |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 30 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 150 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 98 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) при Vgs 10 В | 3.3 мОм макс. (тип. 2,5 мОм; Id 30 А, Tc 25 °C) |
| Rds(on) при Vgs 4,5 В | 6.5 мОм макс. (тип. 4,5 мОм; Id 20 А) |
| Vgs(th) | 1–2.5 В (тип. 1,6 В; Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 37 нКл тип. (Vgs 10 В, Vds 15 В, Id 30 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3499 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 108 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Вбудований діод | є |
| Стан | Оригінал |
Транзистор DTA124ES (22k-2шт)(p-n-p) , to92
В наявності
5,17 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP, цифровий (вбудовані резистори) |
| Напруга живлення VCC | -50 В (Ta 25 °C) |
| Вхідна напруга VIN | -40…+10 В (Ta 25 °C) |
| Вихідний струм IO | -30 мА (Ta 25 °C) |
| Піковий струм IC(max) | -100 мА (Ta 25 °C) |
| Резистор R1 | 22 кОм |
| R2/R1 | 1 |
| Підсилення | 56 мін. (VO = -5 В, IO = -5 мА) |
| VO(on) | -0.3 В макс. (IO/II = -10 мА / -0,5 мА) |
| fT | 250 МГц тип. (VCE = -10 В, IE = 5 мА, f = 100 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор DXG75N120J оригінал, TO264
В наявності
470,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | DAXIN |
| Тип | IGBT-транзистор |
| Корпус | TO-264 |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (TC 25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (TC 100 °C) | 75 А |
| Напруга Vce(sat) | 2,2 В тип. (VGE 15 В, IC 75 А) |
| Вбудований діод | є |
| Потужність Pd | 833 Вт (TC 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Заряд затвора Qg | 490 нКл (VCC 960 В, VGE 15 В, IC 75 А) |
| Вхідна ємність Cies | 3600 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор F20N50SE ( WGF20N50SE ) оригінал, TO220F
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Wild Goose |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 20 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 12,9 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 10 А) | 0,23 Ом (макс.) |
| Vgs(th) | 2,5–4,5 В |
| Заряд затвора Qg | 50 нКл (тип.), 65 нКл (макс.) |
| Вхідна ємність Ciss | 3420 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd (Tc 25 °C) | 38,5 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор Fair FQP17N40 ( 17N40 ) оригінал, TO220
В наявності
267,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N-канал, збагачення (QFET) |
| Напруга Vdss | 400 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 16 А (Tc 25 °C), 10.1 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 64 А |
| Rds(on) | 0.27 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 8 А) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл тип. (Vds 320 В, Id 17.2 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Id 250 мкА) |
| Vgss | ±30 В |
| Pd | 170 Вт (Tc 25 °C) |
| Робоча температура | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор Fair G160N60UFD ( G160N60 , SGL160N60UFD , FGL160N60UFD ) оригінал демонтаж б/в, TO264
В наявності
385,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор з діодом |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 160 А |
| Струм Ic (100 °C) | 80 А |
| Напруга VCE(sat) | 2.1 В (тип., IC = 80 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 345 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Cies | 5000 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 250 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-264 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор FCA22N60N ( 22N60N ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N, SupreMOS |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В) |
| Струм стоку Id | 22 А (TC = 25 °C); 13,8 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) | 165 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 11 А) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл тип. (VDS = 380 В, ID = 11 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1950 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 205 Вт (TC = 25 °C) |
| Температура переходу | від -55 до +150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор FCPF400N80Z ( 400N80Z ) оригінал , TO220F
В наявності
137,24 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | N-канал, SUPERFET II |
| Напруга Vdss | 800 В (мін., VGS = 0 В, ID = 1 мА, TJ = 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 14 А (TC = 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 8,9 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0,4 Ом макс., 0,34 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 5,5 А) |
| Заряд затвора Qg | 43 нКл тип. (VDS = 640 В, ID = 11 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1770 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,5–4,5 В (VGS = VDS, ID = 1,1 мА) |
| Потужність Pd | 35,7 Вт (TC = 25 °C) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор FDA16N50 ( 16N50 ) оригінал демонтаж (500V,16A) , TO-3P
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 16,5 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 9,9 А |
| Опір Rds(on) | 0,38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8,3 А) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 3,0–5,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd | 205 Вт (TC 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FDA59N30 ( 59N30 ) оригінал(300V,59A) , TO-3P
В наявності
305,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 300 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 59 А (TC 25 °C), 35 А (TC 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 236 А (імпульс, обмежений Tj max) |
| Rds(on) тип. | 0.047 Ом (Vgs 10 В, Id 29.5 А) |
| Rds(on) макс. | 0.056 Ом (Vgs 10 В, Id 29.5 А, TC 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 77 нКл (тип.; Vds 240 В, Id 59 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Напруга затвор-витік | ±30 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор FDA69N25 ( 69N25 ) оригінал демонтаж(250V,69A) , TO-3P
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | onsemi |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга Vds | 250 В |
| Струм Id (25 °C) | 69 А |
| Струм Id (100 °C) | 44,2 А |
| Rds(on) | 0,034 Ом тип., макс. 0,041 Ом (VGS = 10 В, ID = 34,5 А) |
| Vgs(th) | 3,0–5,0 В |
| Заряд затвора Qg | 77 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 3570 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 480 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор FDA70N20 ( 70N20 ) оригінал демонтаж(200V,70A) , TO-3P
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 200 В (Vgs = 0 В, Id = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id (Tc = 25 °C) | 70 А |
| Струм Id (Tc = 100 °C) | 45 А |
| Імпульсний струм Idm | 280 А |
| Rds(on) | 35 мОм макс. (тип. 29 мОм) при Vgs = 10 В, Id = 35 А |
| Потужність Pd (Tc = 25 °C) | 417 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 3050 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3,0–5,0 В |
| Vgs | ±30 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FDB8447L оригінал (40V,50A,60W,0.0085R) , D2PAK
В наявності
103,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, PowerTrench |
| Напруга стік-витік Vds | 40 В |
| Струм стоку Id (обмеження корпусом) | 50 А при Tc 25 °C |
| Струм стоку Id (обмеження кремнієм) | 66 А при Tc 25 °C |
| Rds(on) макс. | 8,5 мОм при Vgs 10 В, Id 14 А |
| Rds(on) макс. (Vgs 4,5 В) | 11 мОм при Vgs 4,5 В, Id 11 А |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Розсіювана потужність Pd | 60 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 1970 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Температура переходу Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDD8447 ( FDD8447L ) (40V,50A,44W,0.01R) , D-Pak
В наявності
27,73 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм стоку Id | 50 А (обмежено корпусом) |
| Rds(on) макс. | 8,5 мОм при Vgs 10 В, Id 14 А |
| Rds(on) макс. (4,5 В) | 11,0 мОм при Vgs 4,5 В, Id 11 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0…3,0 В при Vgs = Vds, Id 250 мкА |
| Потужність (за назвою) | 44 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1970 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Робоча температура Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор FDP032N08B оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild Semiconductor) |
| Тип | MOSFET, N-канал, PowerTrench |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdss | 80 В (Id 250 мкА, Vgs 0 В) |
| Струм Id (25 °C) | 211 А (обмеження корпусом 120 А) |
| Струм Id (100 °C) | 149 А |
| Rds(on) типовий | 2,85 мОм (Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Rds(on) максимальний | 3,3 мОм (Vgs 10 В, Id 100 А) |
| Qg(tot) | 111 нКл тип. (Vds 40 В, Id 100 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 8245 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2,5–4,5 В (Id 250 мкА) |
| Vgss | ±20 В |
| Pd | 263 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура Tj, Tstg | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор FDP045N10A оригінал демонтаж(100V,164A,4.5mR) , TO220(Заміна для HY045N10P )
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм стоку Id | 164 А при Tc 25 °C (корпус обмежує до 120 А; 116 А при Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 3,8 мОм тип., 4,5 мОм макс. при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Заряд затвора Qg | 54 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 3960 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0…4,0 В при Vgs = Vds, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 263 Вт при Tc 25 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Робоча температура Tj | -55…+175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Корпус (докладно) | TO-220 (CASE 221A-09) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор FDP047AN08A0 ( FDP047AN08 , FDP047N08 ) оригінал демонтаж, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип каналу | N (PowerTrench) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 75 В (ID = 250 мкА, VGS = 0 В) |
| Струм Id | 80 А (безперервний, TC < 144 °C, VGS = 10 В) |
| Rds(on) | 4.7 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 80 А) |
| Vgs(th) | 4 В макс. (мін. 2 В) |
| Qg | 92 нКл тип. (VDD = 40 В, ID = 80 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 6600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 310 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор FDP150N10 демонтаж, TO220
В наявності
108,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 100 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 57 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 40 А |
| Імпульсний струм Idm | 228 А |
| Rds(on) тип. (Vgs 10 В, Id 49 А) | 12 мОм |
| Rds(on) макс. (Vgs 10 В, Id 49 А) | 15 мОм |
| Заряд затвора Qg(tot) | 53 нК (макс. 69 нК) |
| Вхідна ємність Ciss | 3580 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 2,5–4,5 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 110 Вт |
| Робоча температура Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Транзистор FDP18N50 , TO220
В наявності
103,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Виробник | onsemi |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 18 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0,265 Ом макс. (VGS 10 В, ID 9 А) |
| Vgs(th) | 3,0–5,0 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл тип. (VDS 400 В, ID 18 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 235 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
Транзистор FDP7030BL оригінал, TO220
В наявності
112,33 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 30 В (VGS = 0 В) |
| Струм стоку Id | 60 А (безперервний, TC = 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 180 А |
| Rds(on) при VGS = 10 В | 9 мОм макс. (ID = 30 А) |
| Rds(on) при VGS = 4,5 В | 12 мОм макс. (ID = 25 А) |
| Заряд затвора Qg | 17 нКл тип. (VDS = 15 В, ID = 30 А, VGS = 5 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1760 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 1–3 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Макс. Vgs | ±20 В |
| Потужність розсіювання Pd | 60 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Тип каналу | N-канал, logic level |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDP8860 оригінал, TO220
В наявності
99,64 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild Semiconductor) |
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Напруга Vds (Tc 25 °C) | 30 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C, VGS = 10 В) | 80 А (обмеження корпусу), 219 А (обмеження кремнію) |
| Опір Rds(on) | 1,9 мОм тип., 2,5 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 80 А) |
| Опір Rds(on) при 4,5 В | 2,9 мОм макс. (VGS = 4,5 В, ID = 80 А) |
| Напруга Vgs(th) | 1–2,5 В, тип. 1,6 В (VGS = VDS, ID = 250 мкА) |
| Температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Вхідна ємність Ciss | 9200 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDP8880 оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 30 В (Vgs = 0 В) |
| Струм Id безперервний | 54 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) макс. | 11,6 мОм (Vgs 10 В, Id 40 А) |
| Rds(on) макс. при 4,5 В | 14,5 мОм (Vgs 4,5 В, Id 40 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,2–2,5 В (Vgs = Vds, Id 250 мкА) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Температура Tj і Tstg | від -55 до 175 °C |
| Тепловий опір перехід-корпус | 2,73 °C/Вт (TO-220) |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Fairchild Semiconductor (тепер onsemi) |
| Вхідна ємність Ciss | 1240 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |