Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Транзистор FDP18N50 , TO220
103,40 ₴
12 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
12 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FDP18N50 – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) onsemi, 500 В, 18 А у корпусі TO-220. Використовують в імпульсних блоках живлення та схемах PFC.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Виробник | onsemi |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 18 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0,265 Ом макс. (VGS 10 В, ID 9 А) |
| Vgs(th) | 3,0–5,0 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл тип. (VDS 400 В, ID 18 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 235 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
FDP18N50 – N-канальний MOSFET виробництва onsemi (UniFET, планарна DMOS) у корпусі TO-220. Напруга стік-витік Vds 500 В. Струм стоку Id 18 А при Tc 25 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) не більше 0,265 Ом при VGS 10 В, ID 9 А. Порогова напруга Vgs(th) 3,0–5,0 В при VDS = VGS, ID 250 мкА. Заряд затвора Qg 45 нКл (тип.) при VDS 400 В, ID 18 А, VGS 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 2200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd 235 Вт при Tc 25 °C, температура переходу Tj до 150 °C.
Щоб підібрати заміну, звіряйте канал, корпус і розпіновку, а також Vds, Id і Rds(on) з однаковими умовами вимірювання. Варіант FDPF18N50 описано в тій самій документації; перед заміною перевірте корпус. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні блоки живлення високої ефективності.
- Активна корекція коефіцієнта потужності (PFC).
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| PTP20N50A | канал N = N, Vds 500 ≥ 500, Id(25 °C) 20 ≥ 0.8×18 = 14.4, Rds(on) макс. 0,3 ≤ 1.3×0,265 = 0,345 при VGS 10 В, корпус TO-220 = TO-220 | Qg 65 нКл (тип.) проти 45 нКл (тип.): перевірте драйвер затвора | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити FDP18N50?
У нашому каталозі є PTP20N50A у тому самому корпусі TO-220: Vds 500 В, Id 20 А, Rds(on) не більше 0,3 Ом при VGS 10 В. Заряд затвора в нього більший, тому звірте драйвер затвора.
Чим FDP18N50 відрізняється від FDPF18N50?
Це дві деталі з однієї документації onsemi. Корпус FDPF18N50 перевіряйте за документом.
Як перевірити FDP18N50 мультиметром?
Випаяйте деталь або перевірте її окремо. У режимі перевірки діодів тіловий діод між витоком і стоком проводить в одному напрямку. Між затвором і іншими виводами провідності бути не повинно.
Чи підходить FDP18N50 для схем PFC?
Так, у документі onsemi серед застосувань названо активну корекцію коефіцієнта потужності та імпульсні блоки живлення високої ефективності.
Документація виробника: FDP18N50 (onsemi).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Trench |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 112 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.