Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-252 (D-PAK)
СтанОригінал

Транзистор DOD150N03 ( 150N03 ) оригінал ( заміна для CSD30N30 )(30V,150A), D-PAK

150,40 ₴

49 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

49 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

DOD150N03 (150N03) – N-канальний польовий транзистор Doingter у корпусі D-PAK, оригінал. Може замінити CSD30N30.

ПараметрЗначення
КорпусTO-252 (D-PAK)

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникDoingter
Тип каналуN
Напруга Vds30 В
Струм стоку Id (25 °C)150 А (Tc 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)98 А (Tc 100 °C)
Rds(on) при Vgs 10 В3.3 мОм макс. (тип. 2,5 мОм; Id 30 А, Tc 25 °C)
Rds(on) при Vgs 4,5 В6.5 мОм макс. (тип. 4,5 мОм; Id 20 А)
Vgs(th)1–2.5 В (тип. 1,6 В; Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg37 нКл тип. (Vgs 10 В, Vds 15 В, Id 30 А)
Вхідна ємність Ciss3499 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц)
Розсіювана потужність Pd108 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-252 (D-PAK)
Вбудований діодє
СтанОригінал
Опис

DOD150N03 (150N03) – N-канальний MOSFET виробника Doingter у корпусі TO-252 (D-PAK). Напруга Vds 30 В, струм стоку 150 А при Tc 25 °C і 98 А при Tc 100 °C. Rds(on) не більше 3.3 мОм (типово 2,5 мОм) при Vgs 10 В, Id 30 А і Tc 25 °C; при Vgs 4,5 В і Id 20 А – не більше 6.5 мОм. Порогова напруга Vgs(th) 1–2.5 В при Id 250 мкА, заряд затвора Qg типово 37 нКл. Вхідна ємність Ciss типово 3499 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц). Розсіювана потужність 108 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу 150 °C. Вбудований діод є.

Стан – оригінал, не демонтаж. DOD150N03 може замінити CSD30N30; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Для інших замін дивіться на канал (N), Vds, струм стоку, Rds(on) і той самий корпус D-PAK.

Де застосовують

  • Ключі на траншейній технології з низьким Rds(on) і малим зарядом затвора (загальне застосування)
Часто питають
Чим замінити DOD150N03?

У назві товару вказано заміну для CSD30N30: DOD150N03 може замінити CSD30N30. Зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чи можна керувати транзистором напругою 4,5 В?

У документі наведено Rds(on) не більше 6.5 мОм при Vgs 4,5 В і Id 20 А, а при Vgs 10 В – не більше 3.3 мОм.

Яке маркування на корпусі?

На корпусі позначення 150N03.

Datasheet

Документація виробника: DOD150N03 (DOINGTER).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

DOD150N03 (DOINGTER) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F

В наявності

104,81 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds500 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id12 А (Tc 25 °C)
Rds(on)0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А)
Вхідна ємність Ciss2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd40 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-220F
ВиробникOSEN
СтанОригінал

Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds500 В
Струм Id (Tc 25 °C)16.5 А
Струм Id (Tc 100 °C)9.9 А
Rds(on)0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А
Vgs(th)3.0–5.0 В
Потужність розсіювання205 Вт
Вхідна ємність Ciss1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор IRL1404 оригінал , TO220

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon (International Rectifier)
Тип каналуN-канал, логічний рівень керування
Напруга Vdss40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Струм Id160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А)
Rds(on)не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Розсіювана потужність Pd200 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Напруга затвор-витік Vgs±20 В (абсолютний максимум)
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220

В наявності

117,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss40 В
Струм Id (25 °C)210 А
Струм Id (100 °C)148 А
Rds(on)2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А
Vgs(th)1.3–2.5 В при Id 250 мкА
Заряд затвора Qg239 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання310 Вт
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.