Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.

Транзистор FDA16N50 ( 16N50 ) оригінал демонтаж (500V,16A) , TO-3P

117,50 ₴

1 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

1 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

FDA16N50 (16N50) – оригінальний N-канальний MOSFET onsemi на 500 В у корпусі TO-3P. Демонтаж: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-3P

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
Тип каналуN
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм стоку Id (TC 25 °C)16,5 А
Струм стоку Id (TC 100 °C)9,9 А
Опір Rds(on)0,38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8,3 А)
Заряд затвора Qg32 нКл тип. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Поріг Vgs(th)3,0–5,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Потужність Pd205 Вт (TC 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в
Опис

FDA16N50 (16N50) – N-канальний MOSFET onsemi в корпусі TO-3P (TO-3PN). За документом FDA16N50-F109 напруга Vds – 500 В при VGS = 0 В та ID = 250 мкА. Струм стоку Id – 16,5 А при TC 25 °C і 9,9 А при TC 100 °C. Опір Rds(on) – 0,38 Ом (макс.) при VGS = 10 В та ID = 8,3 А. Заряд затвора Qg – 32 нКл (тип.) при VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Поріг Vgs(th) – 3,0–5,0 В при VDS = VGS та ID = 250 мкА. Потужність Pd – 205 Вт при TC 25 °C, Tj макс. – 150 °C.

Оригінал, демонтаж. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, порівнюйте канал (N), Vds, Id, Rds(on) при однаковому VGS, Qg, а також корпус і розпіновку. Склад – Запоріжжя, відправка Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Імпульсні джерела живлення, корекція коефіцієнта потужності (PFC)
  • Живлення плоских дисплеїв (FPD TV), ATX, баласти ламп
  • PDP TV, джерела безперебійного живлення
Аналоги та заміни

Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.

Модель Чому підходить Примітка
FHA20N60 канал N = N, Vds 600 ≥ 500, Id(25 °C) 20 ≥ 0.8×16.5 = 13.2, Rds(on) при VGS 10 В 0.4 макс. ≤ 1.3×0.38 = 0.494, корпус TO-3P = TO-3P Qg 60 тип. при Vds 300 В: перевірте драйвер Купити
2SK2370 канал N = N, Vds 500 ≥ 500, Id(25 °C) 20 ≥ 0.8×16.5 = 13.2, Rds(on) при VGS 10 В 0.4 макс. ≤ 1.3×0.38 = 0.494, корпус TO-3P = TO-3P Драйвер: Qg 65 проти 32; демонтаж Купити
FHA24N50 канал N = N, Vds 500 ≥ 500, Id(25 °C) 24 ≥ 0.8×16.5 = 13.2, Rds(on) при VGS 10 В 0.2 макс. ≤ 1.3×0.38 = 0.494, корпус TO-3P = TO-3P Драйвер: Qg 83 проти 32 Купити

Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.

Часто питають
Чим замінити FDA16N50?

Із нашого каталогу в корпусі TO-3P пройшли порівняння FHA20N60, 2SK2370 і FHA24N50. У кожного з них заряд затвора більший, ніж у FDA16N50: перевірте драйвер. Перед заміною звірте datasheet.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, демонтаж: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

Як перевірити FDA16N50 перед встановленням?

Перевірте тестером затвор, стік і витік на пробій та обрив, а потім переконайтеся, що розпіновка збігається зі схемою.

Для яких схем використовують FDA16N50?

За документом – для імпульсних джерел живлення, PFC, ATX, баластів ламп і джерел безперебійного живлення.

Datasheet

Документація виробника: FDA16N50-F109 (onsemi).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

FDA16N50-F109 (onsemi) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор CS20N65 оригінал, TO-3P

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds650 В (VGS = 0 В)
Струм стоку Id20 А (безперервний)
Rds(on)0.35 Ом тип., 0.4 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А)
Vgs(th)3.0–4.0 В
Заряд затвора Qg80 нКл (VDD = 520 В, ID = 20 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss2701 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220

В наявності

69,56 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникHUAYI
Тип каналуN (режим збагачення)
Напруга Vds80 В (TC 25 °C)
Струм стоку Id200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C)
Rds(on)2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА)
Заряд затвора Qg197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Вхідна ємність Ciss8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd345 Вт (TC 25 °C)
Tj max175 °C
КорпусTO-220FB-3L
СтанОригінал

Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220

В наявності

70,97 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, Super Trench
Напруга Vds85 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)160 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)112 А
Опір Rds(on) (тип.)3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм
Заряд затвора Qg105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність розсіювання Pd220 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-220
ВиробникNCE Power
СтанОригінал

Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdss500 В
Струм стоку Id (DC)15 А (Ta 25 °C)
Опір Rds(on)0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА)
Потужність Pd50 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Температура каналу Tch150 °C
Напруга Vgss±30 В
КорпусTO-220F
ВиробникToshiba
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.