Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS7N60F оригінал, TO220F
122,20 ₴
8 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
8 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
CS7N60F – польовий N-канальний транзистор (MOSFET) на 600 В у корпусі TO-220F. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (VDMOS) |
| Напруга стік–витік Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 7 А (TC = 25 °C); 4.4 А (TC = 100 °C) |
| Імпульсний струм стоку Idm | 28 А |
| Опір Rds(on) | 1.0 Ом типово, макс. 1,3 Ом (VGS = 10 В, ID = 3,5 А) |
| Напруга Vgs | ±30 В |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 24 нКл типово (VGS = 10 В, VDD = 480 В, ID = 7 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1121 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Енергія лавини EAS | 400 мДж (одиночний імпульс) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Huajing Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
CS7N60F – N-канальний польовий транзистор (VDMOS) виробництва Huajing Microelectronics. Напруга стік–витік Vds 600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА), струм стоку Id 7 А при TC = 25 °C і 4.4 А при TC = 100 °C, імпульсний струм Idm 28 А. Опір відкритого каналу Rds(on) типово 1.0 Ом (максимум 1,3 Ом) при VGS = 10 В, ID = 3,5 А. Порогова напруга Vgs(th) 2.0–4.0 В, заряд затвора Qg типово 24 нКл (VGS = 10 В, VDD = 480 В, ID = 7 А). Вхідна ємність Ciss типово 1121 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Максимальна напруга затвора Vgs ±30 В, температура переходу до 150 °C, енергія лавини EAS 400 мДж (одиночний імпульс).
Оригінал, не демонтаж. Корпус TO-220F ізольований від радіатора, його звичайно ставлять у ключові каскади імпульсних блоків живлення. Щоб підібрати заміну, порівняйте канал, Vds, Id, Rds(on) при тому самому Vgs і корпус з розпіновкою. Беріть документ саме на ту деталь, яку ставите.
Де застосовують
- Імпульсні блоки живлення: адаптери та зарядні пристрої (силовий ключ)
Чим замінити CS7N60F?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-220F з Vds не нижче 600 В, струмом Id близьким до 7 А і Rds(on) близьким до 1.0 Ом при Vgs 10 В. Порівняйте заряд затвора Qg, якщо драйвер слабкий.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Як перевірити такий транзистор?
Тестером у режимі діода перевірте відсутність пробою між виводами стік, витік і затвор. Параметри в схемі звіряйте з документом на CS7N60F.
Для яких пристроїв підходить CS7N60F?
Це силовий ключ імпульсних блоків живлення: адаптерів та зарядних пристроїв. Напруга 600 В розрахована на живлення від мережі.
Документація виробника: CS7N60FA9R (Huajing Microelectronics).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) макс. | 99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–5 В (Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В |
| Струм Id (25 °C) | 210 А |
| Струм Id (100 °C) | 148 А |
| Rds(on) | 2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А |
| Vgs(th) | 1.3–2.5 В при Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 239 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 310 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.