Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор D50N06 оригінал (50A,60V)( заміна для FQD50N06 ), D-PAK
32,90 ₴
46 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
46 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
D50N06 – N-канальний польовий транзистор на 60 В у корпусі D-PAK. Оригінал, не демонтаж; може замінити FQD50N06.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | ROUM |
| Напруга Vds | 60 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 66 А |
| Струм Id (100 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 12 мОм тип., 18 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 20 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В |
| Qg | 51 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2068 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Pd | 88 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
D50N06 – N-канальний MOSFET виробництва ROUM у корпусі TO-252 (D-PAK). Напруга Vds – 60 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА). Струм стоку Id – 66 А при Tc 25 °C і 50 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 12 мОм типово, 18 мОм максимум при VGS = 10 В, ID = 20 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2–4 В. Заряд затвора Qg – 51 нКл при VGS = 10 В, VDS = 20 В, ID = 20 А. Вхідна ємність Ciss типово 2068 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 88 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу 175 °C.
Це оригінал, не демонтаж. D50N06 може замінити FQD50N06; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Для іншої заміни порівнюйте Vds, Id, Rds(on) і корпус. Відправка Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні перетворювачі напруги DC-DC
- Джерела безперебійного живлення (UPS)
- Ключі навантаження
Чи може D50N06 замінити FQD50N06?
Так, у назві товару вказано заміну для FQD50N06. Заміна одностороння: зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Який струм витримує D50N06?
66 А при Tc 25 °C і 50 А при Tc 100 °C. У схемі орієнтуйтеся на значення при 100 °C.
Це оригінал чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який опір каналу в D50N06?
12 мОм типово і 18 мОм максимум при VGS = 10 В, ID = 20 А.
Документація виробника: D50N06 (ROUM).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура каналу Tch | 150 °C |
| Напруга Vgss | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.