Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDA59N30 ( 59N30 ) оригінал(300V,59A) , TO-3P
305,50 ₴
13 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
13 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FDA59N30 (59N30) – N-канальний польовий транзистор onsemi серії UniFET, 300 В і 59 А, корпус TO-3P. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 300 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 59 А (TC 25 °C), 35 А (TC 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 236 А (імпульс, обмежений Tj max) |
| Rds(on) тип. | 0.047 Ом (Vgs 10 В, Id 29.5 А) |
| Rds(on) макс. | 0.056 Ом (Vgs 10 В, Id 29.5 А, TC 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 77 нКл (тип.; Vds 240 В, Id 59 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Напруга затвор-витік | ±30 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
FDA59N30 (також 59N30) – N-канальний польовий транзистор onsemi серії UniFET у корпусі TO-3P. За datasheet: напруга Vdss 300 В при TC 25 °C, струм стоку Id 59 А при TC 25 °C і 35 А при TC 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) типово 0.047 Ом, максимум 0.056 Ом при Vgs 10 В, Id 29.5 А. Заряд затвора Qg типово 77 нКл при Vds 240 В, Id 59 А, Vgs 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 3590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Поріг Vgs(th) – 3.0–5.0 В при Vds=Vgs, Id 250 мкА, напруга затвор-витік ±30 В.
Це оригінал, не демонтаж. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня. Якщо шукаєте заміну, порівнюйте за datasheet канал (N), Vdss не нижче 300 В, струм при TC 100 °C, Rds(on) при Vgs 10 В і заряд затвора Qg. Корпус має бути TO-3P з тією самою розпіновкою.
Де застосовують
- PDP TV
- Безперебійне живлення (UPS)
- AC-DC блоки живлення
- PFC
- живлення FPD TV
- ATX
- електронні баласти
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити FDA59N30?
Підбирайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-3P з Vdss не нижче 300 В, з порівнянними струмом і Rds(on) при Vgs 10 В. Заряд затвора Qg також порівняйте: від нього залежить навантаження на драйвер. Порівнюйте за datasheet.
Як перевірити польовий транзистор мультиметром?
Випаяйте деталь, у режимі перевірки діодів перевірте діод між витоком і стоком, а також відсутність пробою між затвором і іншими виводами. Точну розпіновку беріть з datasheet.
Чи підходить FDA59N30 для блоку живлення?
У datasheet onsemi вказано застосування в AC-DC блоках живлення, UPS, PFC та ATX. Напруга Vdss 300 В при TC 25 °C.
Який струм витримує FDA59N30?
59 А при TC 25 °C і 35 А при TC 100 °C. Імпульсний струм Idm – 236 А (імпульс, обмежений Tj max).
Документація виробника: FDA59N30/D, Rev. 3.
Pd і Tj max не прочитані з datasheet (таблиця абсолютних максимумів у PDF зіпсована), тому в картці їх немає.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В |
| Струм Id (25 °C) | 210 А |
| Струм Id (100 °C) | 148 А |
| Rds(on) | 2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А |
| Vgs(th) | 1.3–2.5 В при Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 239 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 310 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура каналу Tch | 150 °C |
| Напруга Vgss | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А |
| Вхідна ємність Ciss | 4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130.5 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.