Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDP032N08B оригінал, TO220
164,50 ₴
4 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
4 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FDP032N08B – N-канальний польовий транзистор PowerTrench від onsemi (Fairchild) у корпусі TO-220. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild Semiconductor) |
| Тип | MOSFET, N-канал, PowerTrench |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdss | 80 В (Id 250 мкА, Vgs 0 В) |
| Струм Id (25 °C) | 211 А (обмеження корпусом 120 А) |
| Струм Id (100 °C) | 149 А |
| Rds(on) типовий | 2,85 мОм (Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Rds(on) максимальний | 3,3 мОм (Vgs 10 В, Id 100 А) |
| Qg(tot) | 111 нКл тип. (Vds 40 В, Id 100 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 8245 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2,5–4,5 В (Id 250 мкА) |
| Vgss | ±20 В |
| Pd | 263 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура Tj, Tstg | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
FDP032N08B – N-канальний MOSFET серії PowerTrench від onsemi (Fairchild Semiconductor) у корпусі TO-220. Напруга стік-витік Vdss – 80 В (мінімум при Id 250 мкА, Vgs 0 В). Струм стоку Id – 211 А при Tc 25 °C (обмеження по кремнію; обмеження корпусом – 120 А) і 149 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) типовий 2,85 мОм при Vgs 10 В, Id 50 А; максимальний 3,3 мОм при Vgs 10 В, Id 100 А. Заряд затвора Qg(tot) – 111 нКл (тип.) при Vds 40 В, Id 100 А, Vgs 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 8245 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц). Розсіювана потужність – 263 Вт при Tc 25 °C.
Це оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте напругу Vdss, струм Id, опір Rds(on) при однаковій Vgs, заряд затвора Qg та корпус: при більшому Qg драйвер затвора може працювати гірше. Розпіновку TO-220 звіряйте за datasheet. Відправка Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Синхронне випрямлення в блоках живлення ATX / серверних / телеком
- Схеми захисту акумуляторів
- Приводи двигунів та джерела безперебійного живлення
- Системи відновлюваної енергії
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити FDP032N08B?
Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з такою самою розпіновкою: Vdss не нижче 80 В, Rds(on) не гірше 3,3 мОм при Vgs 10 В, порівнянні Id та Qg. Виробник таблицю замін не наводить, тому перед заміною порівняйте datasheet.
Який опір каналу в FDP032N08B?
Типовий Rds(on) – 2,85 мОм при Vgs 10 В, Id 50 А; максимальний – 3,3 мОм при Vgs 10 В, Id 100 А, Tc 25 °C.
Чи можна отримати весь струм 211 А?
Ні. 211 А – обмеження по кремнію при Tc 25 °C; обмеження корпусом TO-220 – 120 А.
Документація виробника: FDP032N08B Rev. C1 (Fairchild, N-Channel PowerTrench MOSFET).
Параметри наведено за datasheet виробника onsemi (Fairchild), FDP032N08B Rev. C1.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А |
| Вхідна ємність Ciss | 4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130.5 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.