Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор FDP8860 оригінал, TO220

99,64 ₴

20 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

20 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

FDP8860 – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) на 30 В у корпусі TO-220, оригінал. Підходить для DC-DC перетворювачів і автомобільних систем старт-стартер / генератор.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Виробникonsemi (Fairchild Semiconductor)
ТипMOSFET, N-канал
Напруга Vds (Tc 25 °C)30 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C, VGS = 10 В)80 А (обмеження корпусу), 219 А (обмеження кремнію)
Опір Rds(on)1,9 мОм тип., 2,5 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 80 А)
Опір Rds(on) при 4,5 В2,9 мОм макс. (VGS = 4,5 В, ID = 80 А)
Напруга Vgs(th)1–2,5 В, тип. 1,6 В (VGS = VDS, ID = 250 мкА)
Температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-220
Вхідна ємність Ciss9200 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц)
СтанОригінал
Опис

FDP8860 – N-канальний польовий транзистор onsemi (Fairchild Semiconductor), технологія PowerTrench, діод з низьким Qrr. Напруга стік–витік Vds – 30 В при Tc 25 °C. Струм стоку Id при Tc 25 °C і VGS = 10 В – 80 А (обмеження корпусу) і 219 А (обмеження кремнію). Опір відкритого каналу Rds(on) – 1,9 мОм типово і 2,5 мОм максимум (VGS = 10 В, ID = 80 А); при VGS = 4,5 В – 2,9 мОм максимум (ID = 80 А). Порогова напруга Vgs(th) – 1–2,5 В, типово 1,6 В (VGS = VDS, ID = 250 мкА). Максимальна температура переходу Tj – 175 °C. Корпус TO-220AB. Вхідна ємність Ciss типово 9200 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц).

Стан: оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте з вашою деталлю канал (N), Vds не нижче, струм Id, Rds(on) не вище при тому ж Vgs і корпус TO-220 з тією ж розпіновкою. Якщо керуєте затвором від 4,5 В, дивіться саме значення Rds(on) при цій напрузі. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • DC-DC перетворювачі із синхронним або звичайним ШІМ-керуванням.
  • Системи старт-стартер / генератор автомобіля.
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чим замінити FDP8860?

Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з тією ж розпіновкою. Vds має бути не нижче 30 В, Rds(on) не вищий за 2,5 мОм (VGS = 10 В, ID = 80 А), а струм Id порівнянний. Порівнюйте цифри при однакових умовах вимірювання.

Як перевірити FDP8860 мультиметром?

Вимкніть деталь з плати. У режимі перевірки діодів між стоком і витоком транзистор поводиться як діод, а між затвором і іншими виводами струму бути не повинно. Перед перевіркою розрядіть затвор, торкнувшись до виводів.

Чому в даташиті два значення струму Id?

80 А – обмеження корпусу, 219 А – обмеження кремнієвого кристала (Tc 25 °C, VGS = 10 В). У схемі орієнтуйтеся на менше значення, тобто на обмеження корпусу.

Datasheet

Документація виробника: FDP8860 (onsemi).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

FDP8860 (onsemi) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN (CoolMOS P7)
Напруга Vds600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max
Струм стоку Id48 А (Tc 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)30 А (Tc 100 °C)
Rds(on)0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C)
Vgs(th)3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА)
Заряд затвора Qg67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В)
Вхідна ємність Ciss2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц)
Потужність Pd164 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-247
ВиробникInfineon
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220

В наявності

117,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss40 В
Струм Id (25 °C)210 А
Струм Id (100 °C)148 А
Rds(on)2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А
Vgs(th)1.3–2.5 В при Id 250 мкА
Заряд затвора Qg239 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання310 Вт
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247

В наявності

129,72 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds950 В при Vgs 0 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)10 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)6.3 А
Опір Rds(on) (тип.)0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА
Потужність розсіювання Pd230 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
ВиробникSTMicroelectronics
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F

В наявності

107,16 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, режим збагачення
Напруга Vds600 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)12 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)7.6 А
Опір Rds(on) (тип.)0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність розсіювання Pd51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-220F
ВиробникSilan
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.