Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHP80N08 оригінал (заміна для ME80N08A ), TO220
188,00 ₴
45 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
45 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FHP80N08 – N-канальний польовий транзистор 80 В у корпусі TO-220, оригінал; може замінити ME80N08A.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 80 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку ID | 194 А (TC = 25 °C; обмеження корпусом 80 А) |
| Опір Rds(on) | 5 мОм макс., тип. 3,9 мОм (VGS = 10 В, ID = 80 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 221 нКл (VDD = 40 В, VGS = 10 В, ID = 80 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 12500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 300 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
FHP80N08 – N-канальний польовий транзистор у корпусі TO-220. Цифри наведено за даташитом найближчої деталі ME80N08A (MATSUKI). Напруга Vds – 80 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА). Струм стоку ID – 194 А при TC = 25 °C, обмеження корпусом – 80 А. Опір відкритого каналу Rds(on) – не більше 5 мОм (тип. 3,9 мОм) при VGS = 10 В, ID = 80 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2,0–4,0 В. Заряд затвора Qg – 221 нКл при VDD = 40 В, VGS = 10 В, ID = 80 А. Вхідна ємність Ciss типово 12500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність Pd – 300 Вт при TC = 25 °C, Tj max – 175 °C.
Оригінал, не демонтаж. FHP80N08 може замінити ME80N08A; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. За даними виробника, пряма заміна для ME80N08A – ME80N08A-G. Для підбору іншої заміни звіряйте канал (N), корпус TO-220, Vds, струм і Rds(on) при VGS = 10 В; варіанти з нашого каталогу – у блоці «Аналоги». Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Керування живленням у ноутбуках
- DC/DC-перетворювачі
- Ключі навантаження
- Інвертори підсвітки LCD
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| NCEP85T16 | канал N = N, Vds 85 ≥ 80, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×194=155, Rds(on) Vgs 10 В max 3.8 ≤ 1.3×5=6.5 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Заряд затвора у сусіда нижчий; розпіновку на платі перевірте. | Купити |
| G042N10 | канал N = N, Vds 100 ≥ 80, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×194=155, Rds(on) Vgs 10 В max 4.2 ≤ 1.3×5=6.5 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Заряд затвора у сусіда нижчий; розпіновку на платі перевірте. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи можна поставити FHP80N08 замість ME80N08A?
FHP80N08 може замінити ME80N08A. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Чим замінити FHP80N08?
Підійде N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з Vds не нижче 80 В, струмом стоку не меншим і Rds(on) при VGS = 10 В не вищим. Готові варіанти – у блоці «Аналоги».
Чи збігаються цифри на сторінці з вашою деталлю точно?
Цифри взято з даташиту найближчої деталі ME80N08A (MATSUKI), тому точну відповідність перевіряйте за маркуванням і документацією.
Найближчий datasheet: ME80N08A (MATSUKI).
Точного даташиту не знайдено. Параметри взято з найближчого за назвою даташиту.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (постійний) | 20 А при Ta 25 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Напруга відсічки Vgs(off) | 2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В |
| Струм Id (25 °C) | 210 А |
| Струм Id (100 °C) | 148 А |
| Rds(on) | 2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А |
| Vgs(th) | 1.3–2.5 В при Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 239 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 310 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.