Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор FHP10N60 оригінал (заміна для P10N60SE , WGP10N60SE ) , TO220

155,10 ₴

51 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

51 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

FHP10N60 – N-канальний польовий транзистор виробництва Feihonltd у корпусі TO-220 для імпульсних джерел живлення. Оригінал.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ТипN-канал
ВиробникFeihonltd
Напруга Vds600 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id10 А (Tc 25 °C)
Опір Rds(on)0,7 Ом типово, 0,8 Ом максимум (Vgs 10 В, Id 5 А)
Поріг Vgs(th)2,0–4,0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Потужність Pd180 Вт (Tc 25 °C)
Tj max150 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал
Опис

FHP10N60 – N-канальний польовий транзистор виробництва Feihonltd у корпусі TO-220 (за документом – TO-220AB). Напруга Vds – 600 В при Tc 25 °C. Струм стоку Id – 10 А при Tc 25 °C. Опір Rds(on) типово 0,7 Ом, максимум 0,8 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А. Поріг Vgs(th) – 2,0–4,0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА. Потужність Pd – 180 Вт при Tc 25 °C, Tj max – 150 °C.

Оригінал, не демонтаж. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня. FHP10N60 може замінити P10N60SE і WGP10N60SE; зворотна заміна не завжди можлива, тому взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Для іншої заміни порівнюйте Vds, Id, Rds(on), корпус і розпіновку. Застосування: імпульсні джерела живлення AC-DC та DC-DC.

Де застосовують

  • Імпульсні джерела живлення AC-DC та DC-DC
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чи може FHP10N60 замінити P10N60SE?

FHP10N60 може замінити P10N60SE і WGP10N60SE. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.

Чим замінити FHP10N60?

Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з тією самою розпіновкою: Vds не нижче 600 В, Id не менше 10 А при Tc 25 °C, Rds(on) не гірше 0,7 Ом при Vgs 10 В. Звіряйте за даташитом.

Для яких схем підходить?

За документом – для імпульсних джерел живлення AC-DC та DC-DC.

Datasheet

Документація виробника: FHP10N60 (Feihonltd).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

FHP10N60 (Feihonltd) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F

В наявності

104,81 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds500 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id12 А (Tc 25 °C)
Rds(on)0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А)
Вхідна ємність Ciss2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd40 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-220F
ВиробникOSEN
СтанОригінал

Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds600 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C
Rds(on)0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Vgs(th)2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність Pd272 Вт при Tc 25 °C
Вхідна ємність Ciss2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Вбудований діодє: Vsd макс. 1.5 В
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247

В наявності

100,11 ₴
ПараметрЗначення
ТипMOSFET, N-канал
ВиробникFairchild Semiconductor
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id (25 °C)24 А
Струм стоку Id (100 °C)15.2 А
Rds(on)0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А)
Заряд затвора Qg90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F

В наявності

107,16 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, режим збагачення
Напруга Vds600 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)12 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)7.6 А
Опір Rds(on) (тип.)0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність розсіювання Pd51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-220F
ВиробникSilan
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.