Транзистори
Транзистор HFP11N40 оригінал, TO220
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 400 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 11.4 А |
| Струм Id (100 °C) | 7.2 А |
| Опір Rds(on) | 0.38 Ом тип., VGS = 10 В, ID = 5.7 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В |
| Заряд затвора Qg | 35 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 1450 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 147 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Тип каналу | N-канал |
| Вбудований діод | є |
| Виробник | SemiHow |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HM80N075P оригінал(75V,80A), TO220( FIR80N075PG )
В наявності
70,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 75 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 80 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 60 А |
| Rds(on) | 6.5 мОм (тип., VGS=10 В, ID=40 А) |
| Заряд затвора Qg | 100 нКл (тип., VDS=30 В, ID=30 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 2.85 В, ID=250 мкА) |
| Потужність Pd | 170 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HUAYI G023N04 ( HYG023N04LS1B ) оригінал, D2PAK
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | HUAYI |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 170 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 120 А |
| Rds(on) (VGS 10 В, IDS 40 А) | 2.1 мОм (тип.), 2.6 мОм (макс.) |
| Rds(on) (VGS 4.5 В, IDS 40 А) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) |
| Vgs(th) | 1–3 В |
| Qg | 58.7 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 4032 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd (Tc 25 °C) | 150 Вт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HUAYI G028N10 ( HYG028N10 , HYG028N10NS1B6 ) оригінал, TO263-6
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Позначення | HYG028N10NS1B6 |
| Маркування | G028N10 |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-263-6L |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 230 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 162 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 50 А) | 2.4 мОм тип., 3.1 мОм макс. |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 300 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 10320 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HUAYI G032N08 ( HYG032N08 , HYG032N08NS1P , G032N08P ) оригінал, TO220
В наявності
79,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | HUAYI |
| Напруга Vds (Vgs 0 В, Tj 25 °C) | 80 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 180 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 127.3 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 50 А) | 3.0 мОм (макс. 3.4 мОм) |
| Qg (Vds 64 В, Vgs 10 В, Id 50 А) | 118 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 7520 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd (Tc 25 °C) | 220.6 Вт |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HUAYI G045N03 ( HYG045N03 , HYG045N03LA1D ) оригінал(заміна для FTD045N03NA ), D-PAK
В наявності
107,16 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Виробник | HUAYI |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vds | 30 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 80 А (Tc 25 °C), 56 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 290 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 3.8 мОм (тип.) при Vgs 10 В, Id 20 А |
| Qg | 47 нКл (тип.) при Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2156 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 57 Вт (Tc 25 °C) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HUAYI HY3606P ( HY3606 ) оригінал, TO220
В наявності
105,28 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, enhancement mode |
| Напруга Vds | 60 В (TC 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±25 В |
| Струм стоку Id | 162 А (TC 25 °C); 105 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) тип. | 3.5 мОм (VGS 10 В, IDS 81 А, TC 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 4.5 мОм (VGS 10 В, IDS 81 А, TC 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.0 (мін.) / 3.0 (тип.) / 4.0 (макс.) В |
| Заряд затвора Qg | 130 нКл (VDS 48 В, VGS 10 В, IDS 81 А, тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4376 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 214 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Виробник | HUAYI |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HUAYI HY5012W ( HY5012 ) оригінал (125V,300A), TO247
В наявності
139,59 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 125 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 300 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 196 А |
| Rds(on) | 2,9 мОм тип., 3,6 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 150 А, Tc 25 °C) |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) |
| Заряд затвора Qg | 352 нКл (VDS = 100 В, VGS = 10 В, IDS = 150 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 16300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs макс. | ±25 В |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247A-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HUAYI HYG006N04 ( G006N04 , HYG006N04LS1TA ) оригінал(40V/600A), TOLL
В наявності
138,65 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Позначення | HYG006N04 |
| Маркування | G006N04 |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TOLL |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 600 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 424 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 80 А) | 0.45 мОм тип., 0.60 мОм макс. |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 428 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 15400 пФ (Vds 25 В, f 300 кГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HUAYI HYG011N04 ( HYG011N04LS1C2 , G011N04 ) оригінал(40V/165A), PDFN5*6-8L
В наявності
54,99 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | HUAYI |
| Напруга Vds | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 165 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 116 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 660 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 1.1 мОм тип., макс. 1.4 мОм (VGS 10 В, Id 40 А) |
| Rds(on) при 4,5 В | 1.5 мОм тип., макс. 1.9 мОм (VGS 4,5 В, Id 40 А) |
| Vgs(th) | 1,0–3,0 (тип. 1,8) В (VDS=VGS, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 89 нКл тип. (VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5876 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Qg при 4,5 В | 41 нКл тип. (VGS 4,5 В) |
| Потужність Pd | 75 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HUAYI HYG015N04 ( HYG015N04LS1C2 , G015N04 ) оригінал(40V/150A), PDFN5*6-8L
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | HUAYI |
| Напруга Vds | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 150 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 106 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 600 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 1.4 мОм тип., макс. 1.7 мОм (VGS 10 В, Id 20 А) |
| Rds(on) при 4,5 В | 2.0 мОм тип., макс. 2.4 мОм (VGS 4,5 В, Id 20 А) |
| Vgs(th) | 1,2–2,5 (тип. 1,9) В (VDS=VGS, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 59 нКл тип. (VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4050 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Qg при 4,5 В | 27 нКл тип. (VGS 4,5 В) |
| Потужність Pd | 75 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY1001P ( HY1001 ) оригінал,TO220
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 70 В (VGS = 0 В, IDS = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 80 А (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 56.5 А (TC 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 7.2 мОм тип. / 8.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 40 А) |
| Заряд затвора Qg | 79 нКл (VDS = 56 В, VGS = 10 В, IDS = 20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 4170 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2 / 3 / 4 В (мін. / тип. / макс.) |
| Потужність розсіювання Pd | 115 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Тип каналу | N-канал |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY1515P ( HY1515 ) оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 150 В при Tc 25 °C |
| Струм стоку Id | 50 А при Tc 25 °C; 36 А при Tc 100 °C |
| Імпульсний струм Idm | 180 А при Tc 25 °C |
| Rds(on) | 34 мОм макс. при Vgs 10 В, Ids 30 А (тип. 28 мОм) |
| Заряд затвора Qg | 56 нКл при Vgs 10 В, Ids 30 А |
| Вхідна ємність Ciss | 2447 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Vds=Vgs, Ids 250 мкА |
| Потужність Pd | 180 Вт при Tc 25 °C; 90 Вт при Tc 100 °C |
| Макс. Tj | 175 °C |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Виробник | HUAYI |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY1707P ( HY1707 ) оригінал,TO220
В наявності
72,85 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | HUAYI |
| Напруга Vds (BVDSS) | 70 В (VGS=0 В, IDS=250 мкА) |
| Rds(on) | 6 мОм тип., 7 мОм макс. (VGS=10 В, IDS=40 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3 В (VDS=VGS, IDS=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 88 нКл (VDS=55 В, VGS=10 В, IDS=40 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 4550 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±25 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор HY1906P ( HY1906 ) оригінал демонтаж,TO220
В наявності
39,95 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип | MOSFET, N-канал, режим збагачення |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Напруга Vds | 60 В (VGS=0 В, IDS=250 µA, TC 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 120 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 80 А |
| Rds(on) | 6.0 мОм тип., 7.5 мОм макс. (VGS=10 В, IDS=60 А) |
| Заряд затвора Qg | 96 нКл (VDS=30 В, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4577 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) |
| Потужність розсіювання Pd | 188 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор HY1906P ( HY1906 ) оригінал, TO220
В наявності
47,94 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 60 В (Tc = 25 °C) |
| Струм Id | 120 А (Tc = 25 °C); 80 А (Tc = 100 °C) |
| Rds(on) | 6,0 мОм тип., 7,5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 60 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В; VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Qg | 96 нКл тип. (VDS = 30 В, VGS = 10 В, IDS = 60 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 4577 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 188 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Виробник | HOOYI |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY1908B ( HY1908 ) оригінал, D2PAK
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, режим збагачення |
| Виробник | HUAYI Microelectronics |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга Vdss | 80 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 90 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 64 А |
| Імпульсний струм Idm (Tc 25 °C) | 360 А |
| Rds(on) типовий (Vgs 10 В, Id 45 А) | 7 мОм |
| Rds(on) максимум (Vgs 10 В, Id 45 А) | 9 мОм |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (типово 3 В) |
| Напруга Vgs | ±25 В |
| Заряд затвора Qg | 86 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 3800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 185 Вт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY1908P ( HY1908 ) оригінал,TO220
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 80 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА, мін.) |
| Струм Id | 90 А (Tc 25 °C), 64 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 7 мОм тип., до 9 мОм макс. (Vgs 10 В, Ids 45 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (Vds = Vgs, Ids 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 86 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 3800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 185 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY1920P ( HY1920 ) оригінал, TO220
В наявності
96,35 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, режим збагачення |
| Виробник | HUAYI Microelectronics |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Напруга Vdss | 200 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 90 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 70 А |
| Імпульсний струм Idm (Tc 25 °C) | 360 А |
| Rds(on) типовий (Vgs 10 В, Id 45 А) | 22 мОм |
| Rds(on) максимум (Vgs 10 В, Id 45 А) | 24 мОм |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (типово 3,0 В) |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Заряд затвора Qg | 130.4 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5871 пФ (Vds 25 В) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 375 Вт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY19P03D ( HY19P03 ) оригінал, DPAK
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HOOYI |
| Тип каналу | P |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vds | -30 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | -90 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | -59 А |
| Опір Rds(on) (Vgs -10 В, Id -45 А) | 4.8 мОм типово, макс. 6 мОм |
| Опір Rds(on) (Vgs -4,5 В, Id -45 А) | 6.4 мОм типово, макс. 8 мОм |
| Порогова напруга Vgs(th) | -1.0…-3.0 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 50 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 4787 пФ (f 1 МГц) |
| Tj max | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY3008P ( HY3008 ) оригінал (80V,100A), TO220
В наявності
59,69 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id | 100 А (Tc 25 °C), 70 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 400 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) тип. | 6.6 мОм (Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Rds(on) макс. | 8.5 мОм (Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл (Vds 64 В, Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3150 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2 / 3 / 4 В (мін. / тип. / макс., Id 250 мкА) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±25 В |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 175 °C |
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY3208P ( HY3208 ) оригінал (80V,120A,7.0mR),TO220
В наявності
74,73 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HOOYI |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 80 В (TC = 25 °C) |
| Струм стоку Id | 120 А (TC = 25 °C); 85 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) | 7.0 мОм тип., макс. 8.5 мОм (VGS = 10 В, IDS = 60 А) |
| Потужність Pd | 226 Вт (TC = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 2900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY3215P ( HY3215 ) оригінал, TO220
В наявності
94,94 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 150 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 120 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 84 А |
| Імпульсний струм стоку | 480 А (TC=25 °C) |
| Опір Rds(on) | 12 мОм тип., 15 мОм макс. (VGS=10 В, IDS=60 А) |
| Заряд затвора Qg | 137 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5785 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання Pd | 300 Вт (TC=25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY3215W ( HY3215 ) (150V,130A) , TO247 оригінал
В наявності
154,63 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 150 В (VGS = 0 В, IDS = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 130 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 93 А |
| Опір Rds(on) | 11.5 мОм тип., 14 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 40 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3 В мін., 4 В тип., 5 В макс. (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 135 нКл тип. (VDS = 100 В, VGS = 10 В, ID = 30 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 5925 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 349 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Діапазон температур зберігання Tstg | –55…175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY3306P ( HY3306 ) оригінал, TO220
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HOOYI |
| Тип | MOSFET N-канал, режим збагачення |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 130 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 84 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Ids 65 А) | 5,4 мОм тип., 6,8 мОм макс. |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Напруга Vgs макс. | ±25 В |
| Заряд затвора Qg тип. | 67 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 3318 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 230 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY3506P ( HY3506 ) оригінал, TO220
В наявності
87,89 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 60 В (Tc 25 °C; BVDSS мін. 60 В при VGS = 0 В, IDS = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 190 А (Tc 25 °C); 132 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 3.0 мОм typ, 4,0 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 95 А) |
| Заряд затвора Qg | 160 нКл (VDS = 48 В, VGS = 10 В, IDS = 95 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 13100 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 306 Вт (Tc 25 °C); 153 Вт (Tc 100 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Тип каналу | N, режим збагачення |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор HY3610P ( HY3610 ) оригінал демонтаж, TO220
В наявності
122,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds (Tc 25 °C) | 100 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 117 А |
| Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 80 А) | 4.5 мОм тип., 5.5 мОм макс. |
| Поріг Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 328 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 16200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | є; Vsd макс. 1 В (Isd 80 А, Vgs 0 В) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор HY3708P ( HY3708 ) оригінал,TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 80 В (TC=25 °C) |
| Струм стоку Id (TC=25 °C) | 170 А |
| Струм стоку Id (TC=100 °C) | 114 А |
| Імпульсний струм стоку | 660 А (TC=25 °C) |
| Опір Rds(on) | 3.8 мОм (VGS=10 В, IDS=85 А, тип.) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Заряд затвора Qg | 152 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 6109 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 288 Вт (TC=25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY3810P ( HY3810 ) оригінал (100V,180A), TO220
В наявності
51,70 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 100 В (VGS = 0 В, IDS = 250 мкА) |
| Струм Id | 180 А (TC = 25 °C); 132 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 5,0 мОм тип., 6,5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 90 А) |
| Qg | 185 нКл (VDS = 80 В, VGS = 10 В, IDS = 90 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 7889 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Потужність Pd | 346 Вт (TC = 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Виробник | HUAYI |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY3906P ( HY3906 ) оригінал,TO220
В наявності
90,71 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 60 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id | 190 А (Tc 25 °C), 128 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 720 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 4.0 мОм (Vgs 10 В, Id 95 А) |
| Заряд затвора Qg | 135 нКл (Vds 48 В, Vgs 10 В, Id 95 А, тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5726 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2.0 / 3.0 / 4.0 В (мін. / тип. / макс., Id 250 мкА) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±25 В |
| Потужність Pd | 220 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 175 °C |
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY3912 ( HY3912W ), TO247 оригінал(125V,190A,6.3mR)
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI Microelectronics |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 125 В при Tc 25 °C |
| Струм Id (25 °C) | 190 А при Tc 25 °C |
| Струм Id (100 °C) | 128 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 6,3 мОм типово при Vgs 10 В, Id 85 А, Tc 25 °C |
| Qg | 185 нКл типово при Vds 100 В, Vgs 10 В, Id 85 А |
| Вхідна ємність Ciss | 7348 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3,0 В типово при Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 349 Вт при Tc 25 °C |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247A-3L |
| Вбудований діод | є |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
69,56 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247
В наявності
96,35 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 153 А |
| Rds(on) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 195 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 397 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Hooyi (Huayi) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4903B оригінал, D2PAK
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 260 А (TC = 25 °C, обмежено корпусом) |
| Опір Rds(on) | 1,4 мОм (VGS = 10 В, ID = 30 А, типове) |
| Опір Rds(on) при 4,5 В | 1,6 мОм (VGS = 4,5 В, ID = 20 А, типове) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,5–2,5 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 179 нКл (VGS = 10 В, VDS = 10 В, ID = 120 А, типове) |
| Вхідна ємність Ciss | 12 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Температура переходу | 175 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4903P ( HY4903 ) оригінал,TO220
В наявності
85,07 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | HUAYI |
| Напруга Vds | 30 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id | 290 А (Tc 25 °C), 200 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 1,6 мОм, макс. 2,0 мОм (Vgs 10 В, Id 145 А) |
| Rds(on) при 4,5 В | 2,0 мОм, макс. 3,0 мОм (Vgs 4,5 В, Id 145 А) |
| Vgs(th) | 1,0–3,0 В (Id 250 мкА) |
| Qg | 247 нКл (Vds 24 В, Vgs 10 В, тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 11506 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 214 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY5110W ( HY5110 ) оригінал (100V,316A), TO247
В наявності
147,11 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vds | 100 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 316 А (Tc 25 °C); 214 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 2,1 мОм typ., 2,5 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 158 А, Tc 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3 В (діапазон 2–4 В, Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 16465 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY5208W ( HY5208 ) оригінал (80V,320A), TO247
В наявності
126,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N, режим підсилення |
| Напруга Vds | 80 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±25 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 320 А (Tc 25 °C, обмежено температурою переходу); 228 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 1050 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 1.7 мОм типово, макс. 2.0 мОм (Vgs = 10 В, Ids = 160 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3 В типово, діапазон 2–4 В (Vds = Vgs, Ids = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 298 нКл типово (Vds = 64 В, Vgs = 10 В, Ids = 160 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 12160 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 416 Вт (Tc 25 °C); 208 Вт (Tc 100 °C) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0.36 °C/Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Напруга діода Vsd | 0.8 В типово, макс. 1 В (Isd = 160 А, Vgs = 0 В) |
| Час відновлення діода trr | 76 нс типово (Isd = 160 А, dIsd/dt = 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-247A-3L |
| Виробник | HUAYI |
| Стан | Оригінал |