Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HUAYI G023N04 ( HYG023N04LS1B ) оригінал, D2PAK
164,50 ₴
63 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
63 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
HYG023N04LS1B (G023N04) – оригінальний N-канальний польовий транзистор HUAYI у корпусі D2PAK для керування живленням у DC/DC перетворювачах.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | HUAYI |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 170 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 120 А |
| Rds(on) (VGS 10 В, IDS 40 А) | 2.1 мОм (тип.), 2.6 мОм (макс.) |
| Rds(on) (VGS 4.5 В, IDS 40 А) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) |
| Vgs(th) | 1–3 В |
| Qg | 58.7 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 4032 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd (Tc 25 °C) | 150 Вт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
HYG023N04LS1B (G023N04) – N-канальний MOSFET HUAYI у корпусі D2PAK (TO-263-2L), працює в режимі збагачення. Напруга стік-витік Vds 40 В (VGS 0 В, IDS 250 мкА). Струм стоку Id 170 А при Tc 25 °C і 120 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) 2.1 мОм (тип.), 2.6 мОм (макс.) при VGS 10 В, IDS 40 А, Tc 25 °C; при VGS 4.5 В – 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.). Вхідна ємність Ciss типово 4032 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd 150 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу 175 °C.
Товар – оригінал, не демонтаж. Заряд затвора Qg 58.7 нКл (VGS 10 В, VDS 32 В, IDS 20 А), порогова напруга Vgs(th) 1–3 В при VDS = VGS, IDS 250 мкА. Підбираючи заміну, порівнюйте канал (N), Vds, Id, Rds(on) при тому самому VGS, заряд затвора і корпус D2PAK. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Керування живленням у DC/DC перетворювачах (Power Management for DC/DC)
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити HYG023N04LS1B?
Шукайте N-канальний MOSFET у D2PAK з Vds не нижче 40 В, струмом Id, близьким до 170 А при Tc 25 °C, і Rds(on) не вищим за 2.6 мОм (макс.) при VGS 10 В. Якщо Qg удвічі більший за 58.7 нКл, перевірте драйвер затвора.
Який корпус у HYG023N04LS1B?
D2PAK (TO-263-2L), код корпусу B.
Яка напруга відкриття затвора?
Порогова напруга Vgs(th) 1–3 В при VDS = VGS, IDS 250 мкА. Rds(on) нормовано при VGS 10 В і 4.5 В.
Документація виробника: HYG023N04LS1B (HUAYI).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 202 А |
| Струм Id (100 °C) | 143 А |
| Rds(on) | 3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А |
| Vgs(th) | 2–4 В при Id 250 мкА |
| Qg | 103.6 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 271 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | IPS |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В |
| Струм Id (25 °C) | 210 А |
| Струм Id (100 °C) | 148 А |
| Rds(on) | 2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А |
| Vgs(th) | 1.3–2.5 В при Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 239 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 310 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.