Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY1906P ( HY1906 ) оригінал, TO220
47,94 ₴
100 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
100 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
HY1906P (HY1906) – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) HOOYI на 60 В у корпусі TO-220FB-3L. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220FB-3L |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 60 В (Tc = 25 °C) |
| Струм Id | 120 А (Tc = 25 °C); 80 А (Tc = 100 °C) |
| Rds(on) | 6,0 мОм тип., 7,5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 60 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В; VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Qg | 96 нКл тип. (VDS = 30 В, VGS = 10 В, IDS = 60 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 4577 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 188 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Виробник | HOOYI |
| Стан | Оригінал |
HY1906P (HY1906) – N-канальний MOSFET виробництва HOOYI у режимі збагачення, у корпусі TO-220FB-3L із вбудованим діодом. Напруга стік–витік Vds – 60 В при Tc = 25 °C. Струм стоку Id – 120 А при Tc = 25 °C на великому радіаторі і 80 А при Tc = 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – типово 6,0 мОм, максимум 7,5 мОм при VGS = 10 В, IDS = 60 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2–4 В (типово 3 В) при VDS = VGS, IDS = 250 мкА. Заряд затвора Qg – типово 96 нКл при VDS = 30 В, VGS = 10 В, IDS = 60 А. Вхідна ємність Ciss типово 4577 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Розсіювана потужність – 188 Вт при Tc = 25 °C (94 Вт при 100 °C), температура переходу – до 175 °C.
Оригінал, не демонтаж. Відправляємо в день оплати або наступного дня Новою поштою зі складу у Запоріжжі. Щоб підібрати заміну, порівняйте канал (N), напругу, струм, Rds(on), заряд затвора й корпус. Версія з літерою B у документі – у корпусі TO-263-2L, це інший корпус.
Де застосовують
- Керування живленням в інверторних системах
- Схеми з лавинною стійкістю (Avalanche Rated)
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити HY1906P?
Потрібен N-канальний MOSFET у тому ж корпусі з напругою не нижче 60 В, струмом не нижче 80 А при 100 °C і Rds(on) не гірше 7,5 мОм при 10 В. Підібраних аналогів у каталозі зараз немає, порівнюйте datasheet.
Як перевірити HY1906P мультиметром?
У режимі перевірки діодів між стоком і витоком вбудований діод має пропускати струм в один бік. Затвор у справного транзистора не має провідності ні до стоку, ні до витоку.
Яка різниця між HY1906P і версією B?
За документом літера P означає корпус TO-220FB-3L, а версія B – TO-263-2L.
Документація виробника: HY1906P (HUAYI).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Trench |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 112 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.