Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY5110W ( HY5110 ) оригінал (100V,316A), TO247
147,11 ₴
45 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
45 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
HY5110W (HY5110) – оригінальний N-канальний польовий транзистор на 100 В, 316 А у корпусі TO-247. Підходить для керування живленням в інверторних системах.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vds | 100 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 316 А (Tc 25 °C); 214 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 2,1 мОм typ., 2,5 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 158 А, Tc 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3 В (діапазон 2–4 В, Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 16465 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Стан | Оригінал |
HY5110W (HY5110) – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) у корпусі TO-247-3L. Напруга Vds – 100 В при Tc 25 °C. Струм стоку Id – 316 А при Tc 25 °C (обмежений температурою переходу) і 214 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – типово 2,1 мОм (макс. 2,5 мОм) при Vgs 10 В, Id 158 А, Tc 25 °C. Порогова напруга Vgs(th) – 3 В при Vds=Vgs, Id 250 мкА (діапазон 2–4 В). Вхідна ємність Ciss типово 16465 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 500 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C. Вбудований діод є: Vsd типово 0,8 В, макс. 1,3 В при Isd 158 А.
Оригінал, не демонтаж. Якщо шукаєте заміну, порівнюйте тип каналу (N), Vds, Id, Rds(on) і корпус: усі значення мають бути не гірші за наведені вище, а корпус – той самий. Взаємозамінність перевіряйте самостійно за datasheet. Відправка Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Керування живленням в інверторних системах
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити HY5110W?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-247 з Vds не менше 100 В, струмом стоку і Rds(on) не гірше за наведені на сторінці. Перед заміною порівняйте значення в datasheet.
Як перевірити MOSFET мультиметром?
Витягніть деталь зі схеми, розрядіть затвор і перевірте вбудований діод між витоком і стоком у режимі діода. Короткого замикання між виводами бути не повинно.
Яка особливість HY5110W?
Дуже малий опір відкритого каналу: типово 2,1 мОм при Vgs 10 В, Id 158 А, Tc 25 °C. Струм 316 А при Tc 25 °C обмежений температурою переходу.
Документація виробника: HY5110W (HUAYI).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.