Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HUAYI G045N03 ( HYG045N03 , HYG045N03LA1D ) оригінал(заміна для FTD045N03NA ), D-PAK
107,16 ₴
12 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
12 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
G045N03 – N-канальний польовий транзистор HUAYI у корпусі D-PAK для комутації навантаження. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Виробник | HUAYI |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vds | 30 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 80 А (Tc 25 °C), 56 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 290 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 3.8 мОм (тип.) при Vgs 10 В, Id 20 А |
| Qg | 47 нКл (тип.) при Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2156 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 57 Вт (Tc 25 °C) |
| Стан | Оригінал |
G045N03 (HYG045N03, HYG045N03LA1D) – N-канальний MOSFET виробництва HUAYI у корпусі D-PAK (TO-252-2L). Напруга Vds – 30 В при Tc 25 °C. Струм стоку Id – 80 А при Tc 25 °C і 56 А при Tc 100 °C, імпульсний струм Idm – 290 А при Tc 25 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 3.8 мОм (тип.) при Vgs 10 В і Id 20 А, максимум 4.5 мОм; при Vgs 4,5 В – 5.1 мОм (тип.). Заряд затвора Qg – 47 нКл (тип.) при Vgs 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 2156 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 57 Вт при Tc 25 °C. Вбудований діод є.
Товар оригінальний, не демонтаж. Для заміни дивіться на тип каналу, корпус, Vds, Id, Rds(on) при тому самому Vgs і заряд затвора Qg: від нього залежить навантаження на драйвер. G045N03 може замінити FTD045N03NA; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Комутація навантаження
- Захист літієвих акумуляторів
Чим замінити G045N03?
Шукайте N-канальний MOSFET у D-PAK з Vds не нижче 30 В, струмом і Rds(on) не гіршими за G045N03 при тому самому Vgs. Порівнюйте з datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи може G045N03 замінити FTD045N03NA?
Так, G045N03 може замінити FTD045N03NA. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Який опір каналу при керуванні 4,5 В?
5.1 мОм (тип.) при Vgs 4,5 В і Id 20 А; максимум 6.0 мОм. При Vgs 10 В – 3.8 мОм (тип.).
Документація виробника: HYG045N03LA1D (HUAYI).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 60 В |
| Струм Id (25 °C) | 200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А) |
| Струм Id (100 °C) | 140 А (розрахунково) |
| Rds(on) | 2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 155 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Ruichips |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.