Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусPDFN-8 (5×6)
СтанОригінал

Транзистор HUAYI HYG015N04 ( HYG015N04LS1C2 , G015N04 ) оригінал(40V/150A), PDFN5*6-8L

164,50 ₴

16 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

16 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

HYG015N04 – N-канальний польовий транзистор HUAYI, 40 В, 150 А, у корпусі PDFN5*6-8L. Оригінал; є позначення HYG015N04LS1C2 та G015N04.

ПараметрЗначення
КорпусPDFN-8 (5×6)

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ТипMOSFET N-канал
ВиробникHUAYI
Напруга Vds40 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id150 А (Tc 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)106 А (Tc 100 °C)
Імпульсний струм Idm600 А (Tc 25 °C)
Rds(on)1.4 мОм тип., макс. 1.7 мОм (VGS 10 В, Id 20 А)
Rds(on) при 4,5 В2.0 мОм тип., макс. 2.4 мОм (VGS 4,5 В, Id 20 А)
Vgs(th)1,2–2,5 (тип. 1,9) В (VDS=VGS, Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg59 нКл тип. (VGS 10 В)
Вхідна ємність Ciss4050 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Qg при 4,5 В27 нКл тип. (VGS 4,5 В)
Потужність Pd75 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj175 °C
Вбудований діодє
КорпусPDFN-8 (5×6)
СтанОригінал
Опис

HYG015N04 – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) HUAYI у корпусі PDFN5*6-8L, режим збагачення. Напруга Vds – 40 В при Tc 25 °C. Струм стоку Id – 150 А при Tc 25 °C і 106 А при Tc 100 °C; імпульсний струм Idm – 600 А (Tc 25 °C). Опір відкритого каналу Rds(on) – 1.4 мОм (тип.) при VGS 10 В, Id 20 А, максимум – 1.7 мОм; при VGS 4,5 В – 2.0 мОм (тип.), максимум – 2.4 мОм. Заряд затвора Qg – 59 нКл (тип.) при VGS 10 В і 27 нКл при VGS 4,5 В. Вхідна ємність Ciss типово 4050 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 75 Вт при Tc 25 °C. Є вбудований діод.

Стан товару – оригінал, не демонтаж. Деталь має ще позначення HYG015N04LS1C2 та G015N04. Підбираючи заміну, порівнюйте канал, Vds, Id, Rds(on) і корпус PDFN5*6-8L, а також заряд затвора, якщо важливий драйвер. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Комутація
  • Керування живленням DC/DC
  • Захист акумуляторів
Часто питають
Чим замінити HYG015N04?

Прямих замін у нашому каталозі зараз немає. Підбирайте за datasheet: N-канал, Vds не нижче 40 В, струм, Rds(on) і той самий корпус PDFN5*6-8L.

Чим HYG015N04 відрізняється від HYG015N04LS1C2 та G015N04?

Це позначення тієї самої деталі: ці номери вказані в назві товару разом із основним.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чи керується HYG015N04 логічним рівнем?

Rds(on) нормується і при VGS 4,5 В: 2.0 мОм (тип.), максимум 2.4 мОм при Id 20 А. Порогова напруга Vgs(th) – 1,2–2,5 (тип. 1,9) В при VDS=VGS, Id 250 мкА.

Datasheet

Документація виробника: HYG015N04LS1C2 (HUAYI).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

HYG015N04LS1C2 (HUAYI) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss40 В (Tc 25 °C)
Струм Id (25 °C)202 А
Струм Id (100 °C)143 А
Rds(on)3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А
Vgs(th)2–4 В при Id 250 мкА
Qg103.6 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd271 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-220
ВиробникIPS
СтанОригінал

Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220

В наявності

69,56 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникHUAYI
Тип каналуN (режим збагачення)
Напруга Vds80 В (TC 25 °C)
Струм стоку Id200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C)
Rds(on)2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА)
Заряд затвора Qg197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Вхідна ємність Ciss8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd345 Вт (TC 25 °C)
Tj max175 °C
КорпусTO-220FB-3L
СтанОригінал

Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, Trench Gate
Напруга Vdss250 В
Струм Id25 (Tc 25 °C)50 А
Rds(on)60 мОм (макс.) при Vgs 10 В
Vgs(th)3.0–5.0 В при Id 1 мА
Заряд затвора Qg(on)78 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання400 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vds500 В
Струм Id21 А (при 25 °C, макс.)
Імпульсний струм Id63 А (макс.)
Опір Rds(on)190 мОм (Vgs 10 В, макс.)
Заряд затвору Qg95 нКл (тип., Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.1–3.9 В
Потужність Ptot208 Вт (макс.)
Rth(j-c)0.6 К/Вт (макс.)
КорпусTO-247
ВиробникInfineon
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.