Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY1920P ( HY1920 ) оригінал, TO220
96,35 ₴
25 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
25 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
HY1920P (HY1920) – N-канальний польовий транзистор HUAYI у корпусі TO220, 200 В. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220FB-3L |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, режим збагачення |
| Виробник | HUAYI Microelectronics |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Напруга Vdss | 200 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 90 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 70 А |
| Імпульсний струм Idm (Tc 25 °C) | 360 А |
| Rds(on) типовий (Vgs 10 В, Id 45 А) | 22 мОм |
| Rds(on) максимум (Vgs 10 В, Id 45 А) | 24 мОм |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (типово 3,0 В) |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Заряд затвора Qg | 130.4 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5871 пФ (Vds 25 В) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 375 Вт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
HY1920P (також HY1920) – N-канальний польовий транзистор HUAYI Microelectronics, режим збагачення, у корпусі TO-220 (TO-220FB-3L). Напруга стік-витік Vdss – 200 В (мінімум при Vgs 0 В, Id 250 мкА). Струм стоку Id – 90 А при Tc 25 °C і 70 А при Tc 100 °C, імпульсний Idm – 360 А при Tc 25 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) при Vgs 10 В, Id 45 А і Tc 25 °C – 22 мОм типово, 24 мОм максимум. Заряд затвора Qg – 130.4 нКл (типово, Vds 160 В, Vgs 10 В, Id 45 А). Вхідна ємність Ciss типово 5871 пФ (Vds 25 В). Потужність розсіювання Pd – 375 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C.
Стан: оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте з datasheet Vdss, Id, Rds(on) при Vgs 10 В, заряд затвора Qg (для драйвера) і корпус TO220. Порогова напруга Vgs(th) – 2,0–4,0 В (типово 3,0 В), максимальна напруга затвор-витік – ±20 В. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Керування живленням в інверторних системах
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити HY1920P?
Готового аналога в каталозі поки немає. Підбирайте польовий N-канальний транзистор у корпусі TO220 з таким самим або вищим Vdss, не меншим струмом стоку та не вищим опором Rds(on). Перед заміною порівняйте datasheet.
Яка напруга відкриває HY1920P?
Опір Rds(on) у datasheet вказано при Vgs 10 В: 22 мОм типово, 24 мОм максимум. Порогова напруга Vgs(th) – 2,0–4,0 В (типово 3,0 В) при Id 250 мкА, максимальна напруга затвор-витік – ±20 В.
Який заряд затвора у HY1920P?
Qg – 130.4 нКл типово (Vds 160 В, Vgs 10 В, Id 45 А). Драйвер затвора має бути розрахований на такий заряд.
Документація виробника: HY1920P/B, N-Channel Enhancement Mode MOSFET, V1.0.
Параметри наведено за datasheet виробника HUAYI Microelectronics (HY1920P/B, V1.0).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Транзистор HYG100N20 ( HYG100N20NS1P ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vdss | 200 В |
| Струм стоку Id | 140 А (Tc 25 °C); 98 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on), тип. | 9 мОм (Vgs 10 В, Id 40 А; макс. 10.7 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3.1 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg, тип. | 64 нКл (Vgs 10 В, Vds 160 В, Id 40 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 4708 пФ (Vds 25 В, f 300 кГц) |
| Потужність Pd | 416 Вт (Tc 25 °C); 208 Вт (Tc 100 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Час відновлення діода trr, тип. | 136 нс (Isd 40 А, dI/dt 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | HUAYI Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 153 А |
| Rds(on) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 195 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 397 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Hooyi (Huayi) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.