Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HYG100N20 ( HYG100N20NS1P ) оригінал, TO220
164,50 ₴
68 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
68 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
HYG100N20 (HYG100N20NS1P) – N-канальний MOSFET на 200 В, 140 А у корпусі TO-220, для синхронного випрямлення й приводів. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vdss | 200 В |
| Струм стоку Id | 140 А (Tc 25 °C); 98 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on), тип. | 9 мОм (Vgs 10 В, Id 40 А; макс. 10.7 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3.1 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg, тип. | 64 нКл (Vgs 10 В, Vds 160 В, Id 40 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 4708 пФ (Vds 25 В, f 300 кГц) |
| Потужність Pd | 416 Вт (Tc 25 °C); 208 Вт (Tc 100 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Час відновлення діода trr, тип. | 136 нс (Isd 40 А, dI/dt 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | HUAYI Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
HYG100N20 (HYG100N20NS1P) – N-канальний MOSFET виробника HUAYI Microelectronics у корпусі TO-220. Напруга Vdss – 200 В. Струм стоку Id – 140 А при Tc 25 °C і 98 А при Tc 100 °C. Опір Rds(on) типово 9 мОм при Vgs 10 В, Id 40 А (максимум 10.7 мОм). Порогова напруга Vgs(th) – 2–4 В (типово 3.1 В) при Vds = Vgs, Id 250 мкА. Заряд затвора Qg типово 64 нКл при Vgs 10 В, Vds 160 В, Id 40 А. Вхідна ємність Ciss типово 4708 пФ (Vds 25 В, f 300 кГц). Потужність Pd – 416 Вт при Tc 25 °C і 208 Вт при Tc 100 °C. Максимальна температура переходу – 175 °C. Час відновлення діода trr типово 136 нс при Isd 40 А, dI/dt 100 А/мкс.
У нас ця деталь – оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте тип каналу, Vdss, Id при 100 °C, Rds(on) при Vgs 10 В і заряд затвора Qg. Корпус і розпіновку звіряйте за datasheet. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Синхронне випрямлення
- Керування двигунами та приводи
- Джерела безперебійного живлення (UPS)
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Які основні параметри HYG100N20?
N-канал, Vdss 200 В, Id 140 А при Tc 25 °C (98 А при Tc 100 °C), Rds(on) типово 9 мОм при Vgs 10 В, Id 40 А, корпус TO-220.
Чим замінити HYG100N20?
Порівняйте з datasheet тип каналу, Vdss, Id при 100 °C, Rds(on), Qg, корпус і розпіновку. Заряд затвора 64 нКл важливий для драйвера.
Чи підходить HYG100N20 для керування двигуном?
Так, керування двигунами та приводи – одне із застосувань за документом. Враховуйте Vdss 200 В і Id 98 А при Tc 100 °C.
Документація виробника: HYG100N20NS1P (HUAYI).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Транзистор HY1920P ( HY1920 ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, режим збагачення |
| Виробник | HUAYI Microelectronics |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Напруга Vdss | 200 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 90 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 70 А |
| Імпульсний струм Idm (Tc 25 °C) | 360 А |
| Rds(on) типовий (Vgs 10 В, Id 45 А) | 22 мОм |
| Rds(on) максимум (Vgs 10 В, Id 45 А) | 24 мОм |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (типово 3,0 В) |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Заряд затвора Qg | 130.4 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5871 пФ (Vds 25 В) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 375 Вт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (постійний) | 20 А при Ta 25 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Напруга відсічки Vgs(off) | 2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 153 А |
| Rds(on) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 195 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 397 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Hooyi (Huayi) |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.