Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4903B оригінал, D2PAK
164,50 ₴
15 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
15 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
HY4903B – N-канальний польовий транзистор на 30 В з низьким опором відкритого каналу, корпус D2PAK. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 260 А (TC = 25 °C, обмежено корпусом) |
| Опір Rds(on) | 1,4 мОм (VGS = 10 В, ID = 30 А, типове) |
| Опір Rds(on) при 4,5 В | 1,6 мОм (VGS = 4,5 В, ID = 20 А, типове) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,5–2,5 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 179 нКл (VGS = 10 В, VDS = 10 В, ID = 120 А, типове) |
| Вхідна ємність Ciss | 12 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Температура переходу | 175 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
HY4903B – N-канальний польовий транзистор (trench MOSFET) у корпусі D2PAK (TO-263). Напруга Vds – 30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА). Струм стоку Id – 260 А при TC = 25 °C, обмежений корпусом. Опір відкритого каналу Rds(on) – 1,4 мОм при VGS = 10 В, ID = 30 А (типове значення) і 1,6 мОм при VGS = 4,5 В, ID = 20 А (типове). Порогова напруга Vgs(th) – 1,5–2,5 В при VDS = VGS, ID = 250 мкА. Заряд затвора Qg – 179 нКл при VGS = 10 В, VDS = 10 В, ID = 120 А (типове). Вхідна ємність Ciss типово 12 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц). Потужність Pd – 375 Вт при TC = 25 °C, температура переходу до 175 °C.
Оригінал, не демонтаж. Корпус D2PAK має малий тепловий опір, тому деталь підходить для силових каскадів на низьку напругу. Щоб підібрати заміну, шукайте N-канальний транзистор у тому ж корпусі з напругою Vds не нижче 30 В, таким самим або вищим струмом і не вищим Rds(on) за тих самих значень Vgs. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Силовий N-канальний trench MOSFET 30 В з низьким опором відкритого каналу.
- Корпус D2PAK з малим тепловим опором.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити HY4903B?
Підбирайте транзистор того ж типу каналу (N), у тому ж корпусі D2PAK, з не меншою напругою Vds і струмом та не вищим Rds(on). Порівнюйте параметри за даташитом, взаємозамінність перевіряйте самостійно.
Яка напруга керування потрібна для HY4903B?
Rds(on) наведено при VGS = 10 В (1,4 мОм) і при VGS = 4,5 В (1,6 мОм), обидва значення типові.
Який заряд затвора в HY4903B?
Qg – 179 нКл типове при VGS = 10 В, VDS = 10 В, ID = 120 А. Врахуйте це при виборі драйвера затвора.
Документація виробника: HY4903B (VBsemi).
Параметри наведено за даташитом HY4903B (VBsemi).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (постійний) | 20 А при Ta 25 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Напруга відсічки Vgs(off) | 2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Trench |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 112 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.