Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-263-6L
СтанОригінал

Транзистор HUAYI G028N10 ( HYG028N10 , HYG028N10NS1B6 ) оригінал, TO263-6

94,00 ₴

24 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

24 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

HYG028N10NS1B6 (G028N10) – N-канальний MOSFET HUAYI у корпусі TO263-6 на 100 В. Оригінал, не демонтаж.

ПараметрЗначення
КорпусTO-263-6L

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникHUAYI
ПозначенняHYG028N10NS1B6
МаркуванняG028N10
ТипMOSFET N-канал
КорпусTO-263-6L
Напруга Vds100 В
Струм Id (Tc 25 °C)230 А
Струм Id (Tc 100 °C)162 А
Rds(on) (Vgs 10 В, Id 50 А)2.4 мОм тип., 3.1 мОм макс.
Потужність Pd (Tc 25 °C)300 Вт
Вхідна ємність Ciss10320 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
СтанОригінал
Опис

HYG028N10NS1B6 (маркування G028N10, також HYG028N10) – N-канальний MOSFET HUAYI у корпусі TO263-6. Напруга стік–витік Vds – 100 В при Vgs 0 В, Tj 25 °C. Струм стоку Id – 230 А при Tc 25 °C і 162 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 2.4 мОм типово і 3.1 мОм максимум при Vgs 10 В, Id 50 А, Tc 25 °C. Розсіювана потужність – 300 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C. Вхідна ємність Ciss типово 10320 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц).

Товар оригінальний, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте канал, Vds, Id, Rds(on) при Vgs 10 В та заряд затвора Qg (176 нКл при Vds 80 В, Vgs 10 В, Id 50 А). Корпус TO263-6 і розпіновка мають збігатися, інакше деталь не встане на плату без переробки. Відправляємо з Запоріжжя Новою поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Комутаційні схеми живлення
  • Джерела безперебійного живлення
  • Керування двигунами
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чим замінити HYG028N10NS1B6?

Шукайте N-канальний транзистор у корпусі TO263-6 з Vds не нижче 100 В, Id не менше 230 А при Tc 25 °C і Rds(on) не вище 3.1 мОм при Vgs 10 В. Розпіновку корпусу звіряйте з datasheet.

Які ще позначення має ця деталь?

Маркування G028N10, також зустрічається HYG028N10. Повна назва – HYG028N10NS1B6.

Яка напруга керування затвором?

Rds(on) наведено при Vgs 10 В. Порогова напруга Vgs(th) – 3 В при Id 250 мкА, максимальна напруга затвор–витік Vgs – ±20 В.

Datasheet

Документація виробника: HYG028N10NS1B6 (HUAYI).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

HYG028N10NS1B6 (HUAYI) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds500 В
Струм Id (Tc 25 °C)16.5 А
Струм Id (Tc 100 °C)9.9 А
Rds(on)0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А
Vgs(th)3.0–5.0 В
Потужність розсіювання205 Вт
Вхідна ємність Ciss1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247

В наявності

100,11 ₴
ПараметрЗначення
ТипMOSFET, N-канал
ВиробникFairchild Semiconductor
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id (25 °C)24 А
Струм стоку Id (100 °C)15.2 А
Rds(on)0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А)
Заряд затвора Qg90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F

В наявності

107,16 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, режим збагачення
Напруга Vds600 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)12 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)7.6 А
Опір Rds(on) (тип.)0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність розсіювання Pd51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-220F
ВиробникSilan
СтанОригінал

Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C
Rds(on)6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А
Vgs(th)2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА
Заряд затвора Qg70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А
Вхідна ємність Ciss4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц)
Потужність Pd130.5 Вт при TC 25 °C
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.