Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY3306P ( HY3306 ) оригінал, TO220
117,50 ₴
16 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
16 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
HY3306P (HY3306) – оригінальний N-канальний MOSFET HOOYI у корпусі TO-220 на 60 В і 130 А (при Tc 25 °C, обмежено температурою переходу).
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220FB-3L |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HOOYI |
| Тип | MOSFET N-канал, режим збагачення |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 130 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 84 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Ids 65 А) | 5,4 мОм тип., 6,8 мОм макс. |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Напруга Vgs макс. | ±25 В |
| Заряд затвора Qg тип. | 67 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 3318 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 230 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
HY3306P (HY3306) – N-канальний MOSFET HOOYI режиму збагачення у корпусі TO-220FB-3L. Напруга стік-витік Vds – 60 В (VGS 0 В, IDS 250 мкА, Tc 25 °C). Струм стоку Id – 130 А при Tc 25 °C (обмежено температурою переходу) і 84 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) типово 5,4 мОм, макс. 6,8 мОм при VGS 10 В, IDS 65 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2,0–4,0 В (тип. 3,0 В) при IDS 250 мкА, максимальна напруга затвор-витік ±25 В. Заряд затвора Qg типово 67 нКл при VDS 48 В, VGS 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 3318 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 230 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C. Вбудований діод є, Vsd макс. 1,2 В при ISD 65 А.
Це оригінал, не демонтаж. Для заміни шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з Vds не нижче 60 В, Id, близьким до 130 А і Rds(on) порівнянним з 6,8 мОм при Vgs 10 В. У тому ж документі виробника є HY3306B, але в іншому корпусі. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Комутаційні застосування
- Керування живленням в інверторних системах
Чим замінити HY3306P?
Підбирайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з Vds не нижче 60 В, Id, близьким до 130 А і Rds(on) порівнянним з 6,8 мОм при Vgs 10 В. Порівнюйте за datasheet. HY3306B – варіант з того ж документа, але в іншому корпусі.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який струм витримує HY3306P?
Id 130 А при Tc 25 °C (обмежено температурою переходу) і 84 А при Tc 100 °C. Напруга Vds – 60 В.
Якою напругою відкривати HY3306P?
Rds(on) 5,4 мОм (тип.) наведено при VGS 10 В. Порогова напруга Vgs(th) – 2,0–4,0 В; максимальна напруга затвор-витік ±25 В.
Документація виробника: HY3306P (HOOYI).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.