Транзистори

IRFB4410Z транзистор TO-220, фото маркування

В наявності

79,90 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Корпус	TO-220
Напруга Vdss	100 В
Струм ID (TC = 25 °C)	97 А
Струм ID (TC = 100 °C)	69 А
Rds(on) типово	7.2 мОм (VGS = 10 В, ID = 58 А)
Rds(on) макс.	9.0 мОм (VGS = 10 В, ID = 58 А)
Vgs(th)	2.0–4.0 В
Pd (TC = 25 °C)	230 Вт
Вхідна ємність Ciss	4820 пФ
Напруга Vgs max	±20 В
Tj	-55…+175 °C
Стан	Оригінал

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFB7430 оригінал демонтаж , TO220

В наявності

141,00 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал, StrongIRFET
Виробник	Infineon
Напруга Vdss	40 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА)
Струм стоку Id (корпус)	195 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В)
Струм стоку Id (кремній)	409 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В)
Опір Rds(on)	1.0 мОм typ, 1.3 мОм max (Vgs 10 В, Id 100 А)
Порогова напруга Vgs(th)	2.2 … 3.9 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg	300 нКл typ, 460 нКл max (Id 100 А, Vds 20 В, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss	14240 пФ
Потужність Pd	375 Вт (Tc 25 °C)
Напруга Vgs	±20 В
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFB7537 оригінал, TO220

В наявності

79,90 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	60 В (VGS = 0 В, ID 250 мкА)
Струм Id	173 А (TC 25 °C, VGS 10 В); 122 А (TC 100 °C, VGS 10 В)
Rds(on) тип.	2.75 мОм (VGS 10 В, ID 100 А, Tj 25 °C)
Rds(on) макс.	3.30 мОм (VGS 10 В, ID 100 А, Tj 25 °C)
Vgs(th)	2,1–3,7 В (VDS = VGS, ID 150 мкА)
Заряд затвора Qg	142 нКл, макс. 210 нКл (VGS 10 В, VDS 30 В, ID 100 А)
Вхідна ємність Ciss	7020 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	230 Вт (TC 25 °C)
Температура переходу	175 °C
Корпус	TO-220
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Стан	Оригінал

IRFBC20 N-канальний MOSFET TO-220AB, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFBC20 оригінал (N-,600V,2.2A,50W,4.4R)

В наявності

49,35 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, N-канал
Виробник	Vishay Siliconix
Корпус	TO-220
Напруга Vds	600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм стоку Id (Tc 25 °C)	2,2 А (VGS = 10 В)
Струм стоку Id (Tc 100 °C)	1,4 А (VGS = 10 В)
Rds(on)	4,4 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 1,3 А)
Vgs(th)	2,0…4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Розсіювана потужність	50 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	350 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Стан	Оригінал

IRFBC30 N-канальний MOSFET TO-220AB, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFBC30

В наявності

39,95 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, N-канал
Виробник	Vishay Siliconix
Корпус	TO-220
Напруга Vds	600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм стоку Id (Tc 25 °C)	3,6 А (VGS = 10 В)
Струм стоку Id (Tc 100 °C)	2,3 А (VGS = 10 В)
Rds(on)	2,2 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 2,2 А)
Vgs(th)	2,0…4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Розсіювана потужність	74 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	660 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)

IRFBC40 MOSFET TO-220AB, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFBC40 оригінал

В наявності

52,17 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Vishay Siliconix
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	600 В
Струм Id (TC = 25 °C)	6.2 А
Струм Id (TC = 100 °C)	3.9 А
Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 3.7 А, максимум)	1.2 Ом
Потужність Pd (TC = 25 °C)	125 Вт
Заряд затвора Qg (максимум)	60 нКл
Вхідна ємність Ciss	1300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Напруга Vgs	±20 В
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFD110 (100V,1A,1W,0.5R), DIP4

В наявності

31,96 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Vishay Siliconix
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	100 В
Струм Id (TA = 25 °C)	1.0 А
Струм Id (TA = 100 °C)	0.71 А
Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 0.60 А, максимум)	0.54 Ом
Заряд затвора Qg (максимум)	8.3 нКл
Вхідна ємність Ciss	180 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Напруга Vgs	±20 В
Корпус	DIP4 (HVMDIP, 4 виводи)

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFD220 (200V,0.8A,1W,0.8R), DIP4

В наявності

36,19 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Vishay Siliconix
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	200 В
Струм Id (TA = 25 °C)	0.80 А
Струм Id (TA = 100 °C)	0.50 А
Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 0.48 А, максимум)	0.80 Ом
Потужність Pd (TA = 25 °C)	1.0 Вт
Заряд затвора Qg (максимум)	14 нКл
Вхідна ємність Ciss	260 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Напруга Vgs	±20 В
Корпус	DIP4 (HVMDIP, 4 виводи)

IRFI730G транзистор TO-220F, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFI730G оригінал, TO220F

В наявності

75,20 ₴

Параметр	Значення
Тип	N-канальний MOSFET
Виробник	Vishay
Корпус	TO-220F
Напруга Vds	400 В (Tj 25 °C)
Струм Id	3.7 А (Vgs 10 В, Tc 25 °C), 2.3 А (Tc 100 °C)
Rds(on)	1.0 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 2.1 А)
Vgs(th)	2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg	38 нКл макс. (Vgs 10 В, Id 3.7 А, Vds 320 В)
Вхідна ємність Ciss	700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	35 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура Tj	150 °C
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFL214 (250V;0.79A;3.1W;2 Ohm) , SOT-223

В наявності

23,03 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Vishay Siliconix
Тип каналу	N-канал, одинарний
Напруга Vds	250 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C, Vgs 10 В)	0.79 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C, Vgs 10 В)	0.50 А
Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 0.47 А)	2.0 Ом
Заряд затвора Qg макс. (Vgs 10 В)	8.2 нКл
Вхідна ємність Ciss	140 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	2.0–4.0 В
Розсіювана потужність Pd (Tc 25 °C)	3.1 Вт
Напруга Vgs	±20 В
Робоча температура переходу	-55…+150 °C
Корпус	SOT-223

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP064N оригінал (55V;110A), TO247

В наявності

117,50 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Infineon
Тип каналу	N-канал, HEXFET
Напруга Vds (Vgs 0 В, Id 250 мкА)	55 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C, Vgs 10 В)	110 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C, Vgs 10 В)	80 А
Опір Rds(on) макс. (Vgs 10 В, Id 59 А, Tj 25 °C)	0.008 Ом
Заряд затвора Qg макс.	170 нКл
Вхідна ємність Ciss	4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	2.0–4.0 В
Розсіювана потужність Pd (Tc 25 °C)	200 Вт
Напруга Vgs	±20 В
Робоча температура переходу	-55…+175 °C
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

IRFP140N та IRFP9140N транзистори TO-247, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP140N + IRFP9140N оригінали, TO247

В наявності

305,50 ₴

Параметр	Значення
Корпус	TO-247
IRFP140N: Vds	100 В
IRFP140N: Rds(on) макс.	0,052 Ом при Vgs 10 В, Id 16 А
IRFP140N: Id	33 А при Vgs 10 В
IRFP140N: Idm	110 А
IRFP140N: Pd	140 Вт при Tc 25 °C
IRFP9140N: Vds	-100 В
IRFP9140N: Rds(on) макс.	0,117 Ом при Vgs -10 В, Id -13 А
IRFP9140N: Id	-23 А при Vgs -10 В
IRFP9140N: Idm	-76 А
IRFP9140N: Pd	140 Вт при Tc 25 °C
Vgs	±20 В
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP150N оригінал (100V,44A,155W,0.03R) , TO247

В наявності

107,16 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Infineon
Тип каналу	N-канал, HEXFET
Напруга Vds (Vgs 0 В, Id 250 мкА)	100 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C, Vgs 10 В)	42 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C, Vgs 10 В)	30 А
Опір Rds(on) макс. (Vgs 10 В, Id 23 А, Tj 25 °C)	0.036 Ом
Заряд затвора Qg макс. (Id 22 А, Vgs 10 В)	110 нКл
Вхідна ємність Ciss	1900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Розсіювана потужність Pd (Tc 25 °C)	160 Вт
Порогова напруга Vgs(th)	2.0–4.0 В
Напруга Vgs	±20 В
Робоча температура переходу	-55…+175 °C
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

IRFP21N60L транзистор TO-247AC, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP21N60L оригінал демонтаж, TO247

В наявності

282,00 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Vishay
Тип каналу	N
Корпус	TO-247
Напруга Vds	600 В (VGS=0 В, ID=250 мкА)
Струм Id (25 °C)	21 А (TC=25 °C, VGS=10 В)
Струм Id (100 °C)	13 А (TC=100 °C, VGS=10 В)
Rds(on)	0.27 Ом тип., макс. 0.32 (VGS=10 В, ID=13 А)
Vgs(th)	3–5 В (VDS=VGS, ID=250 мкА)
Qg	150 нКл макс. (VGS=10 В, ID=21 А, VDS=480 В)
Вхідна ємність Ciss	4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd	330 Вт (TC=25 °C)
Tj max	150 °C
Вбудований діод	надшвидкий
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

IRFP22N50A MOSFET N-канал TO-247, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP22N50A ( IRFP22N50 ) оригінал (500V,22A) , TO247

В наявності

344,04 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Vishay
Напруга Vds	500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм стоку Id	22 А (VGS 10 В, Tc 25 °C); 14 А (Tc 100 °C)
Опір Rds(on)	0.23 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 13 А)
Заряд затвора Qg	120 нКл макс. (VGS = 10 В, ID = 22 А, VDS = 400 В)
Вхідна ємність Ciss	3450 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Розсіювана потужність Pd	277 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Час зворотного відновлення trr	570 нс типове, макс. 850 нс (TJ 25 °C, IF = 22 А, dI/dt = 100 А/мкс)
Тип каналу	N
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

IRFP22N50A MOSFET TO-247, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP22N50A ( IRFP22N50 ) оригінал демонтаж (500V,22A,277W,0.23R) , TO247

В наявності

216,20 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Vishay
Тип каналу	N
Напруга Vds	500 В (мін.)
Струм стоку Id	22 А (TC = 25 °C); 14 А (TC = 100 °C)
Rds(on)	0.23 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 13 А)
Потужність Pd	277 Вт (TC = 25 °C)
Заряд затвора Qg	120 нКл макс.
Вхідна ємність Ciss	3450 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу	150 °C
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

IRFP22N60K MOSFET TO-247AC, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP22N60K оригінал демонтаж, TO247

В наявності

208,21 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Vishay Siliconix
Тип	MOSFET, N-канал, одиночний
Корпус	TO-247
Напруга Vds	600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм Id при 25 °C	22 А (VGS = 10 В, TC = 25 °C)
Струм Id при 100 °C	14 А (VGS = 10 В, TC = 100 °C)
Rds(on) типове	0,24 Ом (VGS = 10 В)
Rds(on) максимум	0,28 Ом (VGS = 10 В, ID = 13 А)
Заряд затвора Qg максимум	150 нКл (ID = 22 А, VDS = 480 В, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss	3570 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Напруга Vgs максимум	±30 В
Температура Tj, Tstg	-55…+150 °C
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

IRFP23N50L MOSFET TO247, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP23N50L ( SiHFP23N50L ) оригінал демонтаж, TO247

В наявності

164,50 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, N-канал
Виробник	Vishay
Напруга Vds	500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id (25 °C)	23 А (VGS = 10 В)
Струм стоку Id (100 °C)	15 А (VGS = 10 В)
Rds(on)	0.190 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 14 А)
Заряд затвора Qg	150 нКл макс.
Вхідна ємність Ciss	3600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Розсіювана потужність Pd	370 Вт (TC = 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Час відновлення діода trr	170 нс тип.
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

IRFP240 MOSFET TO-247AC, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP240 оригінал (200V,20A,150W,0.18R) , TO247

В наявності

164,50 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Виробник	Vishay
Напруга Vds	200 В
Струм Id (Tc 25 °C)	20 А
Струм Id (Tc 100 °C)	12 А
Опір Rds(on)	0.18 Ом (макс.) при VGS = 10 В, ID = 12 А
Vgs(th)	2.0–4.0 В
Qg	70 нКл (макс.)
Вхідна ємність Ciss	1300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	150 Вт при Tc 25 °C
Tj макс.	150 °C
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

IRFP250N MOSFET TO-247AC, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP250N оригінал (200V,33A) , TO247

В наявності

107,16 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vds	200 В
Струм стоку Id (TC 25 °C, VGS 10 В)	30 А
Струм стоку Id (TC 100 °C, VGS 10 В)	21 А
Rds(on) макс. (VGS 10 В, ID 18 А)	0.075 Ом
Vgs(th)	2.0–4.0 В
Qg макс.	123 нКл
Вхідна ємність Ciss	2159 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd (TC 25 °C)	214 Вт
Vgs макс.	±20 В
Робоча температура переходу Tj	-55…+175 °C
Канал	N
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

IRFP260N MOSFET TO-247AC, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP260N оригінал , TO247

В наявності

132,07 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vds	200 В
Струм стоку Id (TC 25 °C, VGS 10 В)	50 А
Струм стоку Id (TC 100 °C, VGS 10 В)	35 А
Rds(on) макс. (VGS 10 В, ID 28 А)	0.04 Ом
Vgs(th)	2.0–4.0 В
Qg макс.	234 нКл
Вхідна ємність Ciss	4057 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd (TC 25 °C)	300 Вт
Vgs макс.	±20 В
Робоча температура переходу Tj	-55…+175 °C
Канал	N
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

IRFP3006 MOSFET TO-247AC, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP3006 оригінал демонтаж, TO247(60V,195A)

В наявності

223,25 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vds	60 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id (обмеження виводами корпусу)	195 А (Tc = 25 °C, VGS = 10 В)
Струм стоку Id (обмеження кристалом)	190 А (Tc = 100 °C, VGS = 10 В)
Rds(on) макс.	2,5 мОм (VGS = 10 В, ID = 170 А, Tj 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)	2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg	200 нКл тип. (ID = 170 А, VDS = 30 В, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss	8970 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц)
Розсіювана потужність Pd	375 Вт (Tc = 25 °C)
Корпус	TO-247
Тип каналу	N-канал
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

IRFP3206 транзистор TO-247, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP3206 оригінал демонтаж, TO247

В наявності

107,16 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Тип	MOSFET, N-канал
Корпус	TO-247
Напруга Vdss	60 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм стоку ID (по кремнію)	200 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В)
Струм стоку ID (по виводах)	120 А (VGS = 10 В)
Rds(on) тип.	2,4 мОм (VGS = 10 В, ID = 75 А, TJ = 25 °C)
Rds(on) макс.	3,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 75 А, TJ = 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)	2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 150 мкА)
Розсіювана потужність Pd	280 Вт (TC = 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	6540 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц)
Напруга затвор–витік Vgs	±20 В макс.
Робоча температура переходу Tj	-55…+175 °C
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

IRFP32N50K MOSFET N-канал TO-247, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP32N50K оригінал демонтаж, TO247

В наявності

141,00 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал (HEXFET)
Виробник	International Rectifier
Корпус	TO-247
Напруга Vds	500 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА)
Струм Id (Tc 25 °C)	32 А (Vgs 10 В)
Струм Id (Tc 100 °C)	20 А (Vgs 10 В)
Rds(on), Vgs 10 В	0.135 Ом (тип.), 0.16 Ом (макс.) при Id 32 А, Tj 25 °C
Vgs(th)	3.0–5.0 В (Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg	190 нКл макс. (Id 32 А, Vds 400 В, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss	5280 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	460 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу	150 °C
trr діода	530 нс (тип.), 800 нс (макс.) при If 32 А, di/dt 100 А/мкс
Вбудований діод	є, Vsd макс. 1.5 В (Is 32 А, Vgs 0 В)
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

IRFP360 MOSFET TO-247AC, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP360 оригінал демонтаж, TO247

В наявності

107,16 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Виробник	Vishay
Напруга Vds	400 В
Струм Id (Tc 25 °C)	23 А
Струм Id (Tc 100 °C)	14 А
Опір Rds(on)	0.20 Ом (макс.) при VGS = 10 В, ID = 14 А
Vgs(th)	2.0–4.0 В
Qg	210 нКл (макс.)
Вхідна ємність Ciss	4500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	280 Вт при Tc 25 °C
Tj макс.	150 °C
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP4110 оригінал демонтаж, TO247

В наявності

107,16 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Тип	MOSFET N-канал
Корпус	TO-247
Напруга Vdss	100 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Rds(on) типовий	3.7 мОм (VGS = 10 В, ID = 75 А)
Rds(on) максимальний	4.5 мОм (VGS = 10 В, ID = 75 А)
Струм стоку (обмеження виводами)	120 А (TC 25 °C, VGS = 10 В)
Розсіювана потужність Pd	370 Вт (TC 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	9620 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц)
Напруга затвор-витік Vgs	±20 В (максимум)
Робоча температура переходу	-55…+175 °C
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP4332 оригінал демонтаж, TO247

В наявності

122,20 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Тип	MOSFET N-канал
Корпус	TO-247
Напруга Vdss (мін.)	250 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Напруга лавинного пробою VDS(Avalanche), типова	300 В
Rds(on) типовий	29 мОм (VGS = 10 В, ID = 35 А)
Rds(on) максимальний	33 мОм (VGS = 10 В, ID = 35 А)
Заряд затвора Qg, типовий	130 нКл (VDD = 125 В, ID = 35 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss	5860 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Максимальна температура переходу	175 °C
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP4468 оригінал, TO247

В наявності

188,00 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Infineon
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	100 В
Струм стоку ID	195 А (VGS=10 В, TC=25 °C)
Rds(on) макс.	2,6 мОм (VGS=10 В, ID=180 А, Tj=25 °C)
Потужність розсіювання	517 Вт (TC=25 °C)
Макс. температура переходу	175 °C
Заряд затвора Qg	363 нКл
Вхідна ємність Ciss	22000 пФ
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

IRFP450 транзистор TO-247, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP450 ( IRFP450A ) оригінал , TO247

В наявності

149,46 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Vishay Siliconix
Тип	Польовий транзистор (MOSFET)
Канал	N-канал
Напруга Vds	500 В (Vgs = 0 В, Id = 250 мкА)
Струм стоку Id (25 °C)	14 А (Vgs = 10 В, Tc = 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)	8.7 А (Vgs = 10 В, Tc = 100 °C)
Імпульсний струм Idm	56 А
Опір Rds(on)	0.40 Ом (Vgs = 10 В, Id = 8.4 А)
Заряд затвора Qg	150 нКл макс. (Vgs = 10 В, Id = 14 А, Vds = 400 В)
Вхідна ємність Ciss	2600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id = 250 мкА)
Напруга затвор-витік Vgs	±20 В
Розсіювана потужність Pd	190 Вт (Tc = 25 °C)
Температура переходу Tj	-55…+150 °C
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP4568 оригінал (150V,171A), TO247

В наявності

188,00 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	150 В (VGS = 0 В, ID 250 мкА)
Струм Id	171 А (TC 25 °C, VGS 10 В); 121 А (TC 100 °C, VGS 10 В)
Rds(on) тип.	4.8 мОм (VGS 10 В, ID 103 А, Tj 25 °C)
Rds(on) макс.	5.9 мОм (VGS 10 В, ID 103 А, Tj 25 °C)
Vgs(th)	3,0–5,0 В (VDS = VGS, ID 250 мкА)
Заряд затвора Qg	151 нКл, макс. 227 нКл (VGS 10 В, VDS 75 В, ID 103 А)
Вхідна ємність Ciss	10470 пФ
Потужність Pd	517 Вт (TC 25 °C)
Температура переходу	175 °C
Корпус	TO-247
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Стан	Оригінал

IRFP4568 MOSFET TO-247AC, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP4568 оригінал демонтаж(150V,171A), TO247

В наявності

117,50 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Напруга Vds	150 В
Струм стоку Id	171 А (Tc = 25 °C, Vgs = 10 В)
Опір Rds(on) типовий	4,8 мОм (Vgs = 10 В, Id = 103 А)
Опір Rds(on) максимальний	5,9 мОм (Vgs = 10 В, Id = 103 А)
Порогова напруга Vgs(th)	3,0–5,0 В (Vds = Vgs, Id = 250 мкА)
Напруга затвор–витік Vgs	±30 В
Температура переходу Tj	-55…+175 °C
Корпус	TO-247
Вхідна ємність Ciss	10470 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц)
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

IRFP460 транзистор TO-247, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP460 оригінал (заміна для IRFP460A , IRFP460LC , RJK5010 )(500V,20A), TO247

В наявності

143,82 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Vishay Siliconix
Тип	Польовий транзистор (MOSFET)
Канал	N-канал
Напруга Vds	500 В (Vgs = 0 В, Id = 250 мкА)
Струм стоку Id (25 °C)	20 А (Vgs = 10 В, Tc = 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)	13 А (Vgs = 10 В, Tc = 100 °C)
Імпульсний струм Idm	80 А
Опір Rds(on)	0.27 Ом (Vgs = 10 В, Id = 12 А)
Заряд затвора Qg	210 нКл макс. (Vgs = 10 В, Id = 20 А, Vds = 400 В)
Вхідна ємність Ciss	4200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id = 250 мкА)
Напруга затвор-витік Vgs	±20 В
Розсіювана потужність Pd	280 Вт (Tc = 25 °C)
Температура переходу Tj	-55…+150 °C
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

IRFP9240 P-канальний MOSFET TO-247AC, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP9240 оригінал (200V,12A,150W,0.5R) , TO247

В наявності

117,50 ₴

Параметр	Значення
Тип	P-канальний MOSFET
Виробник	Vishay Siliconix
Напруга Vds	-200 В (TC 25 °C)
Струм стоку Id	-12 А (Vgs -10 В, TC 25 °C)
Rds(on)	0,50 Ом макс. (Vgs -10 В, Id -7,2 А)
Розсіювана потужність Pd	150 Вт (TC 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	1200 пФ (f 1 МГц)
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

IRFPC50 N-канальний MOSFET TO-247AC, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFPC50 оригінал демонтаж, TO247

В наявності

141,00 ₴

Параметр	Значення
Тип	N-канальний MOSFET
Виробник	Vishay Siliconix
Напруга Vds	600 В (TC 25 °C)
Струм стоку Id	11 А (Vgs 10 В, TC 25 °C)
Rds(on)	0,60 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6,0 А)
Корпус	TO-247
Вхідна ємність Ciss	2700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

IRFPS43N50K транзистор Super-247, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFPS43N50K оригінал демонтаж, Super-247

В наявності

200,22 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N (HEXFET)
Напруга Vds	500 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА)
Струм стоку Id	47 А (Vgs 10 В, Tc 25 °C); 29 А (Vgs 10 В, Tc 100 °C)
Опір відкритого каналу Rds(on)	0.090 Ом макс., тип. 0.078 (Vgs 10 В, Id 28 А)
Порогова напруга Vgs(th)	3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Потужність розсіювання Pd	540 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	8310 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Корпус	Super-247
Виробник	Infineon
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

IRFR120N (FR120N) N-канальний MOSFET D-PAK, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFR120N ( FR120N ) оригінал, D-PAK

В наявності

32,43 ₴

Параметр	Значення
Тип	N-канальний MOSFET (HEXFET)
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Напруга Vds	100 В (мін., Vgs 0 В, Id 250 мкА)
Струм стоку Id	9,4 А (Vgs 10 В, TC 25 °C)
Rds(on)	0,21 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 5,6 А, Tj 25 °C)
Розсіювана потужність Pd	48 Вт (TC 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	330 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Корпус	TO-252 (D-PAK)
Стан	Оригінал

IRFR9120N MOSFET P-канал D-Pak, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFR9120N ( IRFU9120N ), D-PAK (100V;5.6A;0.6 Ohm)

В наявності

24,44 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	P-канал, HEXFET
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Напруга Vdss	-100 В (Vgs 0 В, Id -250 мкА)
Струм стоку Id	-6.6 А (Tc 25 °C, Vgs -10 В); -4.2 А (Tc 100 °C, Vgs -10 В)
Імпульсний струм Idm	-26 А
Опір Rds(on)	0.48 Ом max (Vgs -10 В, Id -3.9 А, Tj 25 °C)
Заряд затвора Qg	27 нКл max (Id -4.0 А, Vds -80 В, Vgs -10 В)
Вхідна ємність Ciss	350 пФ (Vds -25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	40 Вт (Tc 25 °C)
Напруга Vgs	±20 В
Корпус	TO-252 (D-PAK)

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFS3806 ( AUFS3806 ) оригінал демонтаж, D2PAK

В наявності

188,00 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Тип каналу	N-канал, HEXFET
Напруга Vdss	60 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C, Vgs 10 В)	43 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C, Vgs 10 В)	31 А
Rds(on) тип. (Vgs 10 В, Id 25 А)	12.6 мОм
Rds(on) макс. (Vgs 10 В, Id 25 А)	15.8 мОм
Vgs(th) (Vds = Vgs, Id 50 мкА)	2.0–4.0 В
Qg (Id 25 А, Vds 30 В, Vgs 10 В)	22 нКл тип., 30 нКл макс.
Вхідна ємність Ciss	1150 пФ
Напруга Vgs	±20 В
Pd (Tc 25 °C)	71 Вт
Tj	-55…+175 °C
Корпус	D2PAK
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

IRFU9024N P-канальний MOSFET I-PAK, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFU9024N , I-PAK (55V,11A,38W, 0.175R)

В наявності

42,30 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET P-канал
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Напруга Vds	55 В (за модулем, максимум)
Струм Id	11 А (при 25 °C, максимум)
Rds(on)	0,175 Ом (VGS = 10 В, максимум)
Заряд затвора Qg	19 нКл (макс., VGS = -10 В, Id = -7,2 А, Vds = -44 В)
Вхідна ємність Ciss	350 пФ (Vds -25 В, f 1 МГц)
Qgd	10 нКл (макс.)
Потужність Pd	38 Вт (максимум)
Tj max	150 °C
Rth(j-c)	3,3 °C/Вт (макс.)
Корпус	I-PAK (TO-251)

IRFZ24N транзистор TO-220AB, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFZ24N оригінал

В наявності

39,95 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал (HEXFET)
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Напруга Vdss	55 В
Струм Id (TC = 25 °C)	17 А
Струм Id (TC = 100 °C)	12 А
Імпульсний струм Idm	68 А
Rds(on)	0,07 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А, TJ = 25 °C, макс.)
Vgs(th)	2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Потужність Pd (TC = 25 °C)	45 Вт
Вхідна ємність Ciss	370 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Tj max	175 °C
Rth(j-c)	3,3 °C/Вт (макс.)
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Стан

Корпус

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Транзистори